電阻layout時的溫度係數關係

woo240

請問電阻在佈局時的溫度關係TC與電壓係數VC要如何解釋呢?
是這樣的，我現在正在做有關LAYOUT的專題，但是一遇到公式就不會
3 q2 f; b' ~/ `8 J/ N老師給的PAPER中有給了TC與VC的公式
但怎麼想就是想不出怎麼推導出這式子

此外再問個專業用詞的問題，請問：
Silicided poly與unsilicided poly翻成中文要怎麼說呢？
! C. a" X4 [0 f: y+ c( Q% n我查了很多的字典，跟線上翻譯，但都沒有結果
) Q1 t) a+ V# ^如果有layout上的達人請幫我一下
& A) ^( Q0 N3 R. X  h4 B謝謝

woo240

謝謝各位的幫忙
已經有了初步的了解了
0 {  h0 k9 e4 y- k6 ^這種東西自己找書真的會找到翻的

sjhor

你可以看一下你使用的製程之 SPICE Model 或是他的 Electronic Design Rule
% g' _; h5 A0 Q( F( s: H; B他們應該就會描述!!
3 I6 @/ w5 ?) |你可以依你的需求來做判斷!!
因為製程的不同  這些也都會有所差異!!
4 {# ?! o: `8 _# d; q- M
每一種材料的電阻其  VC/TC 都不相同!!
0 b3 H, y+ b9 m' e* r1 r( \0 b正系數或者是負係數  也有所差異!!
) C9 H" H! E: K) I( j: t3 @看製程廠給的資料比較準!!
: I" r: y7 W, W
[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-8-2 12:23 PM 編輯 ]

woo240

to m851055:
   我指的翻是把英文翻成中文的意思
   因為老師給的都是英文paper

to sjhor:
     這是說以poly來話電阻的話VC是最低的是嗎?
* C; X/ }' C% |9 h; E9 f! }     那如果以別的層次來畫VC是不是會不一樣?

sjhor

TC  和  VC 的物理定性公式是如此沒有錯!!
0 n0 U/ {/ T! \6 t
製程廠提供的 TC, TC^2, .....  VC, VC^2, ........
1 V/ T9 Y8 L' U3 Y& ^; w% b: o這些值都已經算出!!
從圖中得知 TC=1000ppm, VC unkonw.  
+ V. G) o& e3 Y+ D" h. ?1 ~但已經提示  VC 是 所有可用的電阻中  是最佳的  所以放心去用的意思吧!!

m851055

foundary 廠通用公式，一定可以用。

1 F1 t: }. H! C* w  V+ ]另外你所貼的圖找半導體物理的書就有了，我以前也推導過(在大一時)，現在在業界都沒用過。

$ v$ n( D8 b$ Z1 C; s: y0 D6 I還有你說"翻出來"不懂是甚麼意思。

woo240

感謝大家的回答，對我來說幫助很大
$ t- h3 L( s" N2 C+ C$ ]to m851055:
* [) v- _0 G! `　　請問這個例子用於.35製程也可以嗎?
" P' G. K$ [# o9 d) d      你說得我有一點了解了，3q

# Q: |7 f9 n; ?* Y請大家幫我看看以下的圖:


5 Q  i; s& Z" m% w0 S! K這就是我所說的公式，老師給我的東西我都只是翻出來，但卻不懂
* j  D7 r( q5 S6 P1 x5 f) l6 K就連例題也是懵懂懵懂，有找過書，但是並沒有看到這樣的公式，請大家指導指導

4 C9 f2 d% t5 y3 S; G7 x! x[ 本帖最後由 woo240 於 2007-7-31 09:30 PM 編輯 ]

m851055

原帖由 sjhor 於 2007-7-31 09:15 AM 發表
電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
; ^& M- c5 ~2 f* A跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
, i% y* @( j8 ^# G像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!

& F+ a% q1 s7 Q4 s' c! q+ u# o與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
這才是考慮電 ...

) ]3 s+ v/ K5 Q" O& Q( R& Z; I

$ w- n: m  ?) M! \& |N+ resistor to 12V，so voltage is understand.

sjhor

電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
: _2 A8 F! h9 r- R  U8 N' I, v9 r像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!

' f5 }* O. B2 N1 V8 L* ~與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
這才是考慮電阻 layout 的住要原因吧!!!

m851055

Silicided poly...silicon targe poly
1 I; ^/ V4 H% J5 P; _8 S$ }unsilicided poly...unsilicon targe Poly
' x9 j3 [& x; C
5 _+ C" W0 R3 U+ E4 e/ b4 \' G7 _tc1 First-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc1r; 0 if no model is specified.)
% c5 y7 g( R" itc2 Second-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc2r; 0 if no model is specified.)
vc1 voltage across the first capacitor
vc2 voltage across the second capacitor

3 ]+ x* d6 W/ D  cA two-terminal resistor.
The resistance R is influenced by the temperature as follows:
R = N (1 + AT + BT2)
T = Ta – Tn
" r: e6 H8 {, c3 c5 Cwhere N, A, B are device parameters described below; Ta (the “ambient” temperature) is set by the
& C& \& f0 W  \.temp command; and Tn (the “nominal” temperature)
* \: e7 l8 z" i/ O( b* q
  _1 \, w% Y$ ?, ]& Y! \: n, C
" O2 ?# M9 C# z1 E& i$ t  lThis produces a resistor of resistance 30 kilohms at the nominal temperature tnom. If the temperature T
is different from tnom, the resistance is 30,000*(1+0.01*(T-tnom)+0.0001*(T-tnom)*(T-tnom)). For
example, if the circuit temperature is 127 degrees and tnom is 27 degrees, the resistance is
30,000*(1+0.01*100+0.0001*100*100) = 90,000 Ohms.
$ w/ ^: W1 X0 _+ P3 V. ~
/ n& B, C0 Z1 ^; H) `: \! \: `[ 本帖最後由 m851055 於 2007-7-30 08:50 PM 編輯 ]