電阻layout時的溫度係數關係

woo240

請問電阻在佈局時的溫度關係TC與電壓係數VC要如何解釋呢?
是這樣的，我現在正在做有關LAYOUT的專題，但是一遇到公式就不會
1 n* U6 v' M( b7 H" M$ f老師給的PAPER中有給了TC與VC的公式
/ p# b( W/ j  ?+ `  E! ^3 E但怎麼想就是想不出怎麼推導出這式子

此外再問個專業用詞的問題，請問：
+ {8 H  l" f0 p# u8 OSilicided poly與unsilicided poly翻成中文要怎麼說呢？
我查了很多的字典，跟線上翻譯，但都沒有結果
  s* o# O( c0 I6 r' V4 V如果有layout上的達人請幫我一下
6 o0 X# F$ K" L, K9 B9 s謝謝

woo240

謝謝各位的幫忙
/ {5 m' B3 Z8 _" u2 T已經有了初步的了解了
這種東西自己找書真的會找到翻的

sjhor

你可以看一下你使用的製程之 SPICE Model 或是他的 Electronic Design Rule
他們應該就會描述!!
% R% b& e: ]2 J8 g- K: n- }# d你可以依你的需求來做判斷!!
; A2 f/ q; B7 H* H& r  V7 d因為製程的不同  這些也都會有所差異!!
  W% _7 Z  ]1 F% l0 p* Y" O4 E' W. R
每一種材料的電阻其  VC/TC 都不相同!!
, W9 w- w$ i0 Z正系數或者是負係數  也有所差異!!
看製程廠給的資料比較準!!

9 C1 y  e# ~: ?0 K: j3 x[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-8-2 12:23 PM 編輯 ]

woo240

to m851055:
" o6 _9 X" I1 u! C4 Y3 P! q9 C2 \   我指的翻是把英文翻成中文的意思
. B3 s1 K( A" U% C+ t   因為老師給的都是英文paper

# U" x  {6 k; _4 V" J3 Fto sjhor:
     這是說以poly來話電阻的話VC是最低的是嗎?
     那如果以別的層次來畫VC是不是會不一樣?

sjhor

TC  和  VC 的物理定性公式是如此沒有錯!!

+ z1 X# U5 i! W1 l製程廠提供的 TC, TC^2, .....  VC, VC^2, ........
這些值都已經算出!!
從圖中得知 TC=1000ppm, VC unkonw.  
. o8 [4 H$ j  Q; J- A# _; J  [但已經提示  VC 是 所有可用的電阻中  是最佳的  所以放心去用的意思吧!!

m851055

foundary 廠通用公式，一定可以用。

/ R) O) }. w9 x; H$ E; E另外你所貼的圖找半導體物理的書就有了，我以前也推導過(在大一時)，現在在業界都沒用過。
5 d, F2 T8 q7 l" }
, H  p1 N2 Q/ g1 }還有你說"翻出來"不懂是甚麼意思。

woo240

感謝大家的回答，對我來說幫助很大
$ g5 o- H  t0 T& C5 ]0 Z, p9 Qto m851055:
7 N4 E* b4 X3 b4 }- q5 x. \　　請問這個例子用於.35製程也可以嗎?
      你說得我有一點了解了，3q

請大家幫我看看以下的圖:
* D9 S+ `# i, c/ _
( a% f7 y$ D; u/ F, P
$ H4 [- f& n" N, ?9 N( [7 P這就是我所說的公式，老師給我的東西我都只是翻出來，但卻不懂
就連例題也是懵懂懵懂，有找過書，但是並沒有看到這樣的公式，請大家指導指導

; f* `, ?0 V. f6 y' |% Z7 k2 K0 h0 o[ 本帖最後由 woo240 於 2007-7-31 09:30 PM 編輯 ]

m851055

原帖由 sjhor 於 2007-7-31 09:15 AM 發表
7 S$ V; c8 X' r4 u電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
9 F+ A/ r& u1 h% e像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!

與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
, }, F$ ~- C' s, k: g: v這才是考慮電 ...

' q/ @# F& s0 D# ]+ W

N+ resistor to 12V，so voltage is understand.

sjhor

電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
+ X0 P2 F6 V% F& ^$ W& x! U像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!
3 B* W! n: f  `$ {4 I7 \- a
與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
( q  Y+ U8 @( a5 Z; u7 M2 v( R4 `這才是考慮電阻 layout 的住要原因吧!!!

m851055

Silicided poly...silicon targe poly
$ [; w1 \8 A: |/ r( m5 c/ sunsilicided poly...unsilicon targe Poly
  H" R' w' D: p* d. P
5 o) W) w9 `7 ~: ?( c6 m  ?tc1 First-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc1r; 0 if no model is specified.)
# y# e& H( K- t6 K- b# itc2 Second-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc2r; 0 if no model is specified.)
vc1 voltage across the first capacitor
8 d) L2 \) Z: p6 |# d. Tvc2 voltage across the second capacitor

A two-terminal resistor.
4 j3 n- f: ~4 VThe resistance R is influenced by the temperature as follows:
6 v; T6 E& a( B7 JR = N (1 + AT + BT2)
4 Q" q3 h" r" P% ~4 \( l9 KT = Ta – Tn
+ M8 B; g0 H0 E# M; k. Mwhere N, A, B are device parameters described below; Ta (the “ambient” temperature) is set by the
.temp command; and Tn (the “nominal” temperature)

7 E! J# l) S8 ]8 H" ]
This produces a resistor of resistance 30 kilohms at the nominal temperature tnom. If the temperature T
5 n0 J9 p2 Z! H: f0 ]5 his different from tnom, the resistance is 30,000*(1+0.01*(T-tnom)+0.0001*(T-tnom)*(T-tnom)). For
example, if the circuit temperature is 127 degrees and tnom is 27 degrees, the resistance is
1 Y+ A1 j2 d% H0 X7 M/ C% }) ?5 X. P+ L30,000*(1+0.01*100+0.0001*100*100) = 90,000 Ohms.
7 M8 o2 `# I$ r4 f+ a; b  }; Z# V
$ c( M9 |  M7 X( v$ d9 E[ 本帖最後由 m851055 於 2007-7-30 08:50 PM 編輯 ]