Power MOS 的測量?

mt7344

1. POWER MOS 電阻都相當的低，要如何量測才會得到比較準確的值?
2. Bonding wire 的寄生電阻，要如何做才可以減到最低? 才比較不會影響 Power MOS 的 Rdson value?

感謝唷!!

ssejack1

用 kevin type 的接線方式應可解決! 可參考 keithley source/meter 的應用文章:
or 到 http://www.keithley.com 尋寶吧!

finster

Bonding wire的寄生電阻只有和封裝廠的技術有關
沒法子由現有的電路技術來改善
至於Bonding wire的寄生電阻為多少,以前,我們曾向日月光要過類似的資料
日月光方面會依照不同的封裝技術給不同的moel

另外,順道提一點
一般外掛的Power MOS的Rds(on)可以由廠商的datasheet來查詢得知
至於HSPICE Model也可以向廠商要
如果Power MOS是畫在chip內部的話
那建議當在一開始設計時,儘量有一個test mode,在這個test mode下時,可以由外部電壓來控制Power MOS的gate電位
然後再用精密的三用電表量測Power MOS的兩端電壓和流過電流,如此即可求得Rds(on)
我曾使用過可以量到1mV/10uA單位的三用電表,所以換算出來的Rds(on)可以很小
但,難是難在當初有沒有考量到要有test mode,如果沒有的話,那要如何量測就變得很麻煩