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[問題求助] poly fuse 的問題

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1#
發表於 2007-7-8 23:07:08 | 顯示全部樓層
poly fuse ...
# B& B' e7 E5 ?! f" Y# S; P) F我看到的fuse 很少有用poly fuse
$ g8 z, x5 [4 X8 _" t2 ~通常是用metal fuse...3 f+ Y" w! {4 O/ C3 n+ T% T
我以前看過有使用poly fuse
: e! e2 d; \3 h, \. H/ e( M1.因為 process 是 0.6um 所以電流較大(about 350mA); Q/ e4 h+ O3 }2 ?( L0 @- J
大部分的fuse 都燒斷了,但是還是有一些無法燒斷
7 N. j; M& g& b. d有用顯微鏡看(0.6 um 還可以看啦)
$ ~' z& p4 L/ c8 A* b發現到燒斷的地方形成一個節球,又短路在一起了
) Y$ h" K" k( ?9 I9 g  P才發現到layout 的形狀也是蠻重要的
4 }. l" _5 ?% C: x5 y: v最好要有轉角(電流集中), x  d( f( Z8 B0 x) T6 K* s2 F+ ~4 R
2.fuse 的地方通常會開window: n' H* S% D4 B+ `
......結果......水氣跑進去,原來燒斷的地方又短路了???
- A( E4 h5 [- V1 q: h7 x目前解決的方法是,封裝前要烘乾一次........
( ]; [7 F+ v" x4 g: R" e7 P! S: I/ J' G) q% P
以上是實際的經歷,僅共參考

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參與人數 2 +6 收起 理由
skyboy + 3 很有用的經驗, 感謝分享..
mt7344 + 3 Good answer!

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2#
發表於 2007-7-12 20:40:26 | 顯示全部樓層
1.關於poly fuse 的方面,其實我們公司已經放棄此做法
  H3 O+ M- Q# y/ L7 C; W; u4 D9 [9 W$ ^   由於不是直接使用pad dirver , 是built-in buffer(nmos)$ r6 n6 I/ Q; W% B5 B$ l+ T# o
   算起來還真的是不划算說,由於並沒有量產所以良率並不是很準確  t& v) V: m- h
   但是工程樣品的數據大約 80% .4 Q# A! z% R; f! O' y

3 C  F  q  p5 n$ q; q2.metal fuse 的方面,目前的測試數據還算不錯,隨便都燒的斷
) M& ^! i! w  w/ H* B6 C( _5 w   不過要注意layout , 多個轉角比較容易燒斷,也不容易熔回去2 F% k9 [) D1 y
& }0 a5 n% G- w& ?' D
3.關於開window 的部分,也不知道是誰建議的(好像是fab. 的人)
: x! G: ]$ b( [6 [   水氣就是會累積啊,真是XXX,害我drc 跑個半死....& l; J, \7 i3 y; D3 F( _
* F, z5 m. }( @7 ?& H8 Q- p
4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考+ `& E' J! a) p6 Z" S1 U
   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是.......1 a/ O( k; D& t' }
   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的# m( [( C8 W; M! T
   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),( D/ \$ q2 `: i5 f4 o
   面積當然省啦.....
( o7 y& w6 N8 ]! g; r   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以
/ r$ q& n6 s. l3 Q: Q0 T2 M! D   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給
' Z* ~; v) e3 V1 K   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看....

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參與人數 5感謝 +2 Chipcoin +5 +11 收起 理由
sam7186 + 2 感謝經驗分享
ssejack1 + 5 感謝經驗分享
skyboy + 3 實用的經驗分享, 可以嘗試..
mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 5 感謝經驗分享!

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