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[問題求助] poly fuse 的問題

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1#
發表於 2007-7-5 15:27:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
不知道發這個版對不對... / g  Z; ~$ P+ U) `

1 y& e( c  G: A/ ^6 a想請教版上有使用過 poly fuse 的前輩們..
; a& |# d' b/ q+ Y/ g/ N) V一般在 C/P 時要確保 fuse 燒斷的條件是如何?? 小弟目前有個產品使用 0.35um process 生產,
% E* q& k. b7 o% A8 _$ Zpoly fuse 區域 W=0.4um, L=0.8um, trim 的條件為 5.5V, 限流 150mA, 持續 70ms, 不過ㄧ個6 z! m0 }. t. A
lot 生產下來仍有 2% 到 8% 不等的失敗比率 (從 log 看起來是沒有完全燒斷)...( `2 J8 r4 ]) F" f8 p+ [

$ H  h7 h# I' Y+ u4 U* v目前沒有什麼方向...不知道該怎麼解決說...1 K9 i) c3 g) R+ `. t

9 B1 t- b' ~% [先感謝前輩們的分享..$ d6 ]4 t" {1 d/ q$ W1 t. J
: ^4 b# _  U/ f) I5 F
以下是 Fuse & Trim 的相關討論:7 L; O, G/ L8 Y! }
e-fuse?  
0 P1 j# l. u: O! ^poly fuse 大約多少能量便可以燒斷?
4 Z1 c: v; p+ Y2 ^4 l5 x. P如何判断poly fuse 已经blown  
7 C% s$ O0 o. Q( D8 n" Q+ j有關poly FUSE的不錯paper給大家參考  
- u3 w& c0 L. e) e- y# A/ YLaser Trim
' Y$ k' M/ R1 s# K$ t& h% L% `做完laser trim後內部的電路被打傷的情況嗎?  
) y- j( y8 X- Y. x( B! QTrimming method?   
" O" _# R7 s" @0 S8 T" }Current Sensing Resistor Trimming!!   
, X* C+ V. B2 M9 q8 Q请教做laser trim的注意事项  9 S; ]9 U* l2 h8 b
Current trimming 要如何做呢?  . R3 Y% W6 H+ L/ w( F: Q0 S* L/ i

5 {) [5 C# N! O6 q% O3 m: ]2 o) y" Y( c
( O9 `6 H/ f$ o& k7 }

* v, S3 o1 K' N& w" e4 y[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:39 PM 編輯 ]

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monkeybad + 3 Good question!

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2#
發表於 2007-7-5 19:49:58 | 只看該作者
提示: 該帖被管理員或版主屏蔽
3#
發表於 2007-7-6 13:08:04 | 只看該作者
1.一般題高電壓是可行的,但須不damage device 為前題; .35 應可耐到至少 7V 不會 break-down 吧!?
$ D& I/ A4 n6 Y) @: R% N  G2. Current limit 放大些,因為初期的做用會因為 R 小讓 current limit 限制了stress 的 power ( I^2*R << V*I; 因此時的 V已掉落至很低的電位了!
- x& s$ l6 q% N& X, v, o結論: Current limit 放大至 CP 探針之限額內, V 提到最大且不會 break-down, trimming 的時間可以縮短很多!可靠度也可以改善!

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wpwang + 3 Good answer!
skyboy + 3 很實用的回覆, 謝謝..
mt7344 + 3 Good answer!

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4#
發表於 2007-7-8 23:07:08 | 只看該作者
poly fuse ...
4 u" C4 }/ v/ T$ y7 x我看到的fuse 很少有用poly fuse
- w; m. y8 B  L9 E: D通常是用metal fuse...
& U8 u; ?) o$ Y. }5 u! ]( [4 l我以前看過有使用poly fuse" h4 T8 |  W- a' ?/ H# i( }
1.因為 process 是 0.6um 所以電流較大(about 350mA)
& c' Z0 w1 S$ g( G) ]' k大部分的fuse 都燒斷了,但是還是有一些無法燒斷/ v- L# P( ?4 {& T! O$ Y
有用顯微鏡看(0.6 um 還可以看啦)
, \/ v/ O( c+ u, C6 [. J發現到燒斷的地方形成一個節球,又短路在一起了
( c7 ~1 d0 a" l3 P# c1 d才發現到layout 的形狀也是蠻重要的
; ~3 g# R8 Z3 @0 y- J+ A最好要有轉角(電流集中)! X2 Q" @; F( w5 G6 l
2.fuse 的地方通常會開window
: v2 J% k% c4 Y/ ?9 w- H4 o6 ~......結果......水氣跑進去,原來燒斷的地方又短路了???+ I/ Y! m# s. {1 B3 Q& h0 y7 t
目前解決的方法是,封裝前要烘乾一次........: D3 R9 {, {8 ]2 G7 r8 p
3 F3 b, Z9 p1 B7 [% c
以上是實際的經歷,僅共參考

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skyboy + 3 很有用的經驗, 感謝分享..
mt7344 + 3 Good answer!

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5#
 樓主| 發表於 2007-7-10 21:55:34 | 只看該作者
嗯..感謝兩位大大的經驗分享..
+ {/ g+ _9 |9 \4 |" s! [7 u& V2 ^3 }' M+ i( y1 z3 m
關於 ssejack1 大的建議, 從過往的 WAT 來看這個製程 3V MOS gate oxide 的 break down 電壓大約都在 8V 上下, 雖然 WAT 的 spec low 是只有 6V 啦 (foundry 的 spec 都訂得超級寬...) $ `  U9 `+ a4 ]
1 {! ^/ Q8 c; K5 D1 E: U, s
不過應該還是 ok, 所以我們已經修改測試程式提高 trimming 的 stress, 這幾天應該就會試試看...: T' o* X: J" h5 r& o4 b2 D
& ^4 _$ t3 X0 C& W
另外關於 kkk000777 大的經驗, 有個可以分享的是, 我們之前針對沒有燒斷的 die 去做 PFA, 剝到 poly 那層發現就像大大說的一樣, 燒的時候是有熔斷, 不過又"流"回去了 (foundry 的說法) 就又 short 了, 而第一次沒斷要再燒就很難斷了 (應是因為阻抗變大, 同樣外加電壓下的電流就又更小了)...
3 O3 G5 o" y. b, H, d
% `! N' g, k( a9 a不過 foundry 的人說, 我們的 poly fuse 被 power ring 蓋住, 是造成 poly 燒完又搭回去的主因, 建議改光罩, 關於這點不知各位看法如何? 我是覺得不太能說服我, 就算我上面沒有 metal 蓋住, 也是有其他的 field oxide 以及 passivation 蓋住, 應該也有一樣的問題不是嗎??7 d7 h# I% T; J4 [$ Z
, g2 `2 f4 T* ?2 I- @- v
另外我再衍生兩個問題 (我問題真多.. )
, D1 H7 L9 U3 j7 Y# J* {: u1st. poly fuse 與 metal fuse 有孰優孰劣 (可靠度) 的分別嗎?? 上次有個 foundry 的人跟我們說, poly fuse 的良率是很低的..(??) 因為我們使用這個東西的經驗並不是很多, 一開始就是用 poly fuse..目前有新產品在進行, 應該也會放入 trimming 的機制, 想了解一下業界在使用 fuse 上的一些習慣..* X# p& j; [1 \' j. r

; X5 \: ~8 ]" B2nd. metal fuse 除了面積較大外, 因為他燒斷時是"爆開"的, 會不會有 short 到另外的 pad 的問題?? 還有就是大大提到的水氣, 是否要考慮 package 品質導致日久也是會有水氣跑進去導致 short 造成的一些誤動作??  假如終端應用上是單價較高或環境較嚴苛的產品, 需不需要考慮這個問題??

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mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 2 感謝經驗分享!
chip123 + 3 不怕問題多!怕的是沒人討論?論壇吶!

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6#
發表於 2007-7-12 20:40:26 | 只看該作者
1.關於poly fuse 的方面,其實我們公司已經放棄此做法
% \8 K8 }5 O( `/ T   由於不是直接使用pad dirver , 是built-in buffer(nmos)2 y; k8 l) h, A! O
   算起來還真的是不划算說,由於並沒有量產所以良率並不是很準確3 w3 _' [' i. L( @
   但是工程樣品的數據大約 80% .4 N% D$ x, B5 M
$ n. K2 ?2 N" H8 Z& a) m6 f
2.metal fuse 的方面,目前的測試數據還算不錯,隨便都燒的斷8 t, y6 F: k9 y2 L  s
   不過要注意layout , 多個轉角比較容易燒斷,也不容易熔回去
* L, I* N$ q7 _$ E; T  M# H
# t4 j3 F! d/ J; v3.關於開window 的部分,也不知道是誰建議的(好像是fab. 的人)4 M6 G9 K; e% `, L
   水氣就是會累積啊,真是XXX,害我drc 跑個半死....  K- B3 \2 U1 a$ X
. s' Q! W3 F. b* O% U% T* l
4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考8 g$ Z, B# w. I, b
   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是.......
. N. Y/ G- O4 h# f   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的9 x4 M0 I( e" C8 i7 Y- k, x7 L
   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),' ^1 C' C; M( P& C4 ?+ ?1 g! M
   面積當然省啦.....
& o: K' n7 T" N$ y, T6 w% P   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以
- a. Q/ m1 D* r; i* s   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給
! N1 w- V$ @: ^( h. e8 M2 m   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看....

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參與人數 5感謝 +2 Chipcoin +5 +11 收起 理由
sam7186 + 2 感謝經驗分享
ssejack1 + 5 感謝經驗分享
skyboy + 3 實用的經驗分享, 可以嘗試..
mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 5 感謝經驗分享!

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7#
發表於 2007-7-16 17:57:12 | 只看該作者
以前接觸memory時有使用poly fuse,修補率都有95%以上,影響修補率有許多因素,laser machine setting, fuse layout的條件都會影響,我這裡有一份Excel file有針對輸入不同條件如何選spot size與energy,focus以達最大修補率, 可發email跟我要

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wpwang + 5 人人為我,我為人人!
mt7344 + 3 學到不少!

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8#
發表於 2007-8-1 21:47:47 | 只看該作者
請問 poly or metal fuse 與 靠 MOS gate oxide breakdown 的 OTP 比較, 優缺點是哪些?5 l! `* ?. s0 Q- C# L  t# B5 U  X
Thanks.
9#
 樓主| 發表於 2007-8-3 14:12:36 | 只看該作者
原帖由 kkk000777 於 2007-7-12 08:40 PM 發表 $ k1 \3 Z2 ~7 X9 @( o
4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考
; P- m) H8 B0 Z$ |/ V   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是.......
; q6 I& a7 E; S   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的
6 X1 h, w- `& Q% G, a% c  c   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),
3 H% H+ T" c8 w% f   面積當然省啦.....7 L! l7 o& e% X( V" n
   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以
6 O. m# z3 U8 |7 f  `   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給5 }5 G8 c- P- L+ U+ I
   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看...1 U5 }/ Q$ E6 S: L7 F
1 `. z* L8 ~3 k* Z- w: A5 S3 T. i
; K! D' D5 @4 ^" b7 F. W
看到 kk 大的回應才想到好像之前忘記聽誰提到過有這樣的 "偷雞" 法...; @8 m. O& f6 [+ M8 G
嗯...如果是這樣確實可以節省很多面積, 用 metal fuse 的話也不用擔心4 \6 f% v" X2 s7 f$ R
水氣累積的問題 (D/S 後 trim pad 都被切掉了..)
8 n$ ]0 S3 D; u  w+ ]3 ?& ]9 }/ z7 O/ a1 f+ g. F' [" @% R
不過 ATMEL 應該有他們自己的 foundry, 自己想怎麼搞都行...9 ^# b; }- p3 T; `. c* V
手邊正好有個新 project 在進行, 看來是考驗我們跟 foundry 交情的時候了...& M& G3 z7 c( @$ w$ p1 r5 H. j
呵呵... % h3 ^7 B# O1 g& w+ \( n4 W
4 d( w/ d0 H9 }7 q
順便 update 一下情報, 後來我把 trimming stress 提高後 trim fail 的數目+ l1 H7 a" \" w# Z. K
就減少許多了, 不過因為只測了一兩批, 這個部份還會持續 monitor...
10#
發表於 2007-8-10 11:51:15 | 只看該作者
請問 各位高手
( V7 ^) S* K2 B+ D2 A- j  Q* s   是否有人試過 trimming pad 與正常pad 共用?  方法是什麼? 有哪一下注意事項?
6 ^+ u8 v) ]: b/ r, K謝謝
11#
 樓主| 發表於 2007-8-17 18:04:56 | 只看該作者
原帖由 wpwang 於 2007-8-10 11:51 AM 發表
  @/ h4 i  j4 U) \% h請問 各位高手
9 M6 F- y/ ?& W) @   是否有人試過 trimming pad 與正常pad 共用?  方法是什麼? 有哪一下注意事項?
) E$ K- Y+ L% E  ^$ Q謝謝
2 h( n* {* [7 u( Q& `

" H: K8 d9 f4 ]2 [5 f7 S您的共用是指用一般的 I/O Pad 來當成 trimming pad 嗎?? 還是說一個 pad 可以跑信號
! V% b7 J. q1 {3 t' m6 b! V又可以用來 trim fuse??( g" ~1 D! S0 p$ y$ e) _: M
- z$ W6 g4 @6 n: M
如果是後者應該是不行的吧....
' z# w- U6 u3 o6 o8 F- V9 i$ z如果是前者應該也是不行, 因為一般 I/O pad 上會有 ESD 電阻, 會限制你 trimming 時的
# Y  y0 m- P- l7 S3 s/ j" A電流, 所以一般大概都是另外畫一個 pad 給 trim 的 function 用...
& J4 ?- H' b, \. T3 |, J6 m" b& g8 z' j- K' c0 l
不知道是否有回答您的問題.......

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wpwang + 4 學到不少!

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12#
發表於 2007-8-22 13:04:35 | 只看該作者
有一問題請教,一般 metal/poly fuse (漏斗型橋接)的 trimming 效率以常理推論 , V/I source 只要題供的能量足夠,均可以燒斷!# G$ B1 P2 g& q4 w/ K
最近有個 case 是 metal fuse , fuse 欲燒斷之橋接處呈 30~45 度橋接; 此形狀的 fuse 在trim 時電壓不能過高 ( typical 2.5V) 如超出個 200/300 mV 會造成trim完後又熔接的現像!!!..........真是無言..... 5 @1 ?7 Z' P% T  ^5 R) B0 A
不知那位好心的大大可以幫忙分析一下可能的原因?
& l# ?. K& L0 s0 i. h先感謝啦!
13#
發表於 2009-3-6 22:17:43 | 只看該作者
不曉得您是不是問這個問題 % }) a6 d5 i: Q. m0 s/ B! z

$ o. D- g6 I; ~  w2 _1 d8 o8 u5 ]我們家有的產品 trim pad 是可以 bonding 出來的
7 b1 t$ w& A( X! o% T" H5 f) [" a% |$ \; \5 g8 _
也就是 bond pad 與 trim pad 是共用的
  U) G" u  ~0 |+ D. k! Z" {, J$ \8 \! D' Z
[ 本帖最後由 redkerri 於 2009-3-6 10:20 PM 編輯 ]
14#
發表於 2009-3-10 21:27:17 | 只看該作者
CP 時請測試廠用氣吹一下正在trimming die,應該有幫助良率上升(要有開窗的poly fuse),
1 i  I6 J# v5 ^. {1 [還有其偵測電路也是一個問題,因poly fuse,trimming 之後,可能呈open有可能呈高阻,且高阻trimming 多次也無用.
15#
發表於 2014-1-10 10:34:57 | 只看該作者
回復 3# ssejack1 9 f4 |6 S* S' @# H* S$ X4 g
1 n0 s$ h' w* P1 N7 h
  m. w4 e' X1 a) o6 L; e* J
    幫助不小, 謝謝!!
16#
發表於 2014-1-10 10:37:09 | 只看該作者
回復 4# kkk000777 / E! |7 f+ M4 ^) A+ m
4 z3 I% _0 b0 Q1 J' s3 W* [

4 ?2 g' b6 }5 y* D    封裝前要烘乾一次........很好的資訊, 謝謝!!
17#
發表於 2022-11-1 16:12:28 | 只看該作者
谢谢,学习了!!!!!!!!!!!!!
18#
發表於 2023-11-3 01:55:53 | 只看該作者
kkk000777 發表於 2007-7-8 11:07 PM, u9 m6 s  N8 y! o! t8 M# N7 s
poly fuse ...
4 U2 f; f) r- T: J, q; ]我看到的fuse 很少有用poly fuse2 u3 C+ r0 r- t: ~- g' I1 b! d
通常是用metal fuse...
) y+ v  ^1 g; c% l- }( Z0 y

: ?3 X( M# A8 T, z' v! |* ^& F/ x: b' j  f) e* I- m2 b5 G/ g
很有用的經驗, 感謝分享..

: f8 a- w! s  @
19#
發表於 2023-11-3 01:56:26 | 只看該作者
Good question!/ S+ X4 q2 E  a9 r1 a5 M
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