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快捷半導體推出4.5V-20V IntelliMAX負載開關

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發表於 2008-7-16 16:34:57 | 顯示全部樓層

快捷半導體的電壓轉換器能夠簡化SD卡應用設計

FXL2SD106帶有內置自動方向控制,增加了編程可用的GPIO: Q# \- p- H( S" C' H8 r1 j  _* ~
4 p* q& B  v) z: t. m
快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出專為安全數碼 (SD) 應用的設計人員而設能夠簡化其設計的低電壓、雙電源SD介面電壓轉換FXL2SD106,具備內置的自動方向控制功能,可讓器件感測和控制數據流動的方向,而無需方向控制接腳。這種自動方向控制功能降低了設計的複雜性,無需對控制方向的通用I/O介面 (GPIO) 進行編程,並將控制電壓轉換器所需的接腳數從20個減少到16個。這種轉換器是印表機、便攜式電腦、GPS系統和帶相機手機等使用SD卡應用的理想選擇。1 l- ]: ?3 p1 V4 ]

) W/ w6 J4 K; j  {& w快捷半導體的FXL2SD106採用緊湊 (2.5mm x 3.5mm) 的16引腳DQFN封裝。這種封裝的中心位置無信號引腳,可讓設計人員輕易黏結在電路板上;其引腳並位於封裝的週邊,以便於檢測和減少返修工作,從而加快設計過程。
" q$ }- ~& j/ `$ q& S/ N( d( B+ @8 G9 k  S& ^1 y" q. j
FXL2SD106經專門設計,可保護SD卡免受ESD事件的損壞;這類卡常常暴露於外界環境中,相比其他的部件更易於受到ESD事件的影響。快捷半導體的SD卡介面電壓轉換器在底面具有12kV的ESD保護功能,而其他替代性解決方案的ESD保護最大值僅為6kV。這一額外保護功能可在嚴苛環境中為SD卡提供了更多的保護。FXL2SD106還具有輸出控制功能,讓設計人員在產品不使用時禁用輸出以節省功耗。
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SD卡介面電壓轉換器是快捷半導體廣泛的專用邏輯轉換器系列的一部分。隨著當今電子產品的高功能性需求不斷增加,提供專用邏輯轉換器以降低材料清單成本有助於改進設計性能,以滿足至關重要的產品上市時間要求。快捷半導體的轉換器產品系列包括:業界首款4位元低電壓、雙電源電壓轉換器,帶有獨立方向控制;業界唯一的單比特雙向電壓轉換器,保證能在低至1.1V的電壓工作;以及帶有獨立方向控制的業界首款雙電源雙向轉換器。
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FXL2SD106採用採用無鉛 (Pb-free) 引腳,潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛回流焊的要求。所有快捷半導體產品均設計滿足歐盟有害物質限用指令 (RoHS) 的要求。* c! H- S$ F: F4 F: M2 y/ ~* L

& u. U. L: _$ V* R- d供貨: 現提供樣品
5 k* _& j: V1 j4 L% g交貨期: 收到訂單後4至6周內
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發表於 2008-7-28 14:08:25 | 顯示全部樓層

快捷半導體推出新電壓轉換器 能簡化SD卡應用設計

快捷半導體(FairchildSemiconductor)推出專為安全數位(SD)應用的設計人員而設能夠簡化其設計的低電壓、雙電源SD介面電壓轉換FXL2SD106,具備內置的自動方向控制功能,可讓器件感測和控制資料流動的方向,而無需方向控制接腳。這種自動方向控制功能降低了設計的複雜性,無需對控制方向的通用I/O介面(GPIO)進行編程,並將控制電壓轉換器所需的接腳數從20個減少到16個。這種轉換器是印表機、攜帶型電腦、GPS系統和帶相機手機等使用SD卡應用的理想選擇。
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5 f: Y% A& k6 C: w  Z  sFXL2SD106經專門設計,可保護SD卡免受ESD事件的損壞;這類卡常常暴露於外界環境中,相比其他的部件更易於受到ESD事件的影響。快捷半導體的SD卡介面電壓轉換器在底面具有12kV的ESD保護功能,而其他替代性解決方案的ESD保護最大值僅為6kV。這一額外保護功能可在嚴苛環境中為SD卡提供更多的保護。FXL2SD106還具有輸出控制功能,讓設計人員在產品不使用時禁用輸出以節省功耗。
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發表於 2008-10-3 14:44:32 | 顯示全部樓層

快捷半導體下一代DrMOS在業界最小型的封裝中提供高於92%的峰值效率

快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出業界首款用於同步DC-DC降壓穩壓器的高性能及節省空間的集成解決方案XS™ DrMOS產品FDMF6704,針對計算、遊戲控制台和使用者負載點 (POL) 應用。FDMF6704是採用超緊湊封裝的FET加驅動器 (FET-Plus-Driver) 模組,能夠替代一個驅動器IC、一個上橋MOSFET、兩個下橋MOSFET和一個bootstrap肖特基二極體。與分立式解決方案相比,這種具有高熱效的6mm x 6mm封裝可節省84% 的電路板空間,而比較採用8mm x 8mm MLP封裝的 DrMOS模組,則節省44% 的電路板空間。FDMF6704的效率高達92%,能夠讓應用滿足能源之星 (ENERGY STAR®)、Climate Savers®和Green GridSM等嚴格的高能效規範需求。; m: E- m/ u# }* R/ |

* j( w2 y' G7 R) N* l8 k( ~FDMF6704備有眾多的先進功\能,經過專門設計和優化,可與市場上多種控制器共用。它與三態和非三態PWM控制器兼容。為了進一步確保兼容性,FDMF6704的PWM閾值電平可以定制,以滿足市場上現有多種控制器的電壓範圍要求。這款緊湊的模組具有一個5V柵極驅動電路和改進的PCB介面,保證提供更高的性能。該模組集成了快捷半導體的先進SyncFET™ 技術和下橋MOSFET,進一步確保更高性能的實現。FDMF6704亦備有二極體模擬 (SMOD) 功\能,用於提高輕負載的效率。
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快捷半導體的FDMFxxxx系列DrMOS產品是經全面優化的集成式FET加驅動器多晶片功\率級模組的完整系列,專為多種同步降壓轉換器應用而設計。這些多晶片模組經過設計,通過使用電氣性能、熱性能和機械性能匹配的元件,實現針對特定應用的最佳解決方案。5 r" z) d6 w! B: g( i5 h* S
' N- \1 P6 ]* h, F* ]
FDMF6704採用無鉛 (Pb-free) 引腳,潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛回流焊的要求。所有快捷半導體產品設計均滿足歐盟有害物質限用指令 (RoHS) 的要求。
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供貨: 現提供樣品
" x; Q/ `/ p8 Q交貨期: 收到訂單後12周內
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發表於 2009-10-19 10:11:29 | 顯示全部樓層
快捷半導體記憶體開關擴充印表機、數位相機和可攜式設計中的通信功能
5 ~! Z0 d, v1 L" A9 H+ b2:1多工器實現處理器與不同配置周邊設備的通信能力% h' p( M4 I( O7 F
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快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)為手機、數位相機和可攜式應用設計人員提供兩款記憶體開關產品FSSD06和 FSSD07,擴展了安全數位記憶卡(SD)、安全數位I/O 卡(SDIO) 和多媒體記憶卡 (MMC)等周邊設備至普通處理器的通信功能。, H8 K: B: x+ d. e, A! w
; n# e# J. e2 S! \5 S" O
FSSD06可以讓一個處理器與兩個周邊設備進行讀/寫操作,FSSD07則可讓兩個處理器與一個周邊設備進行讀/寫操作,它們的架構包含了必須的雙向資料和指令轉移功能,用於單一高壓卡或雙壓卡,而且時脈路徑是一個單向緩衝器。- N! n1 V0 J* s: ]6 h8 e( T& ~
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這些記憶體開關具有寬廣的工作電壓範圍(1.65V至3.6V),並採用緊湊型(3.5 x 4.5mm) 24腳MLP或(2.5 x 3.4mm) UMLP封裝,能夠滿足可攜式設計的需求。藉由內建的電壓轉換,主機處理器電壓可以轉換至等同於、大於、或低於周邊設備卡電壓,並達到最低的功耗(最低2µA)。其它優勢包括低導通電容(典型值6pF)和強大的ESD保護功能(10kV HBM)。
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8 x; w2 \' J1 HFSSD06 和FSSD07是快捷半導體完整記憶體開關系列的一部分,該公司是可攜式和消費性應用所用開關產品的主要供應商,其類比、音訊、視頻和USB開關能夠大大減少冗餘電路,省去連接器,簡化設計並節省空間。
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發表於 2010-4-12 11:48:07 | 顯示全部樓層
快捷半導體全新運算放大器為可攜式和消費性產品設計帶來低功耗特性 以業界標準的占位面積提供軌對軌性能( f+ D4 f# V* E$ J; I: I7 ?0 ?

' Z3 w# ^; |- i" I* ~快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出耗電量僅為200µA的FAN4931運算放大器,該器件採用小型5腳SC-70封裝,具有業界標準的占位面積,能夠滿足可攜式和消費性產品設計對低功耗和小外形尺寸的要求。9 }7 B" P4 j( [! ^; f

: _" g* K. {! a, L  f0 IFAN4931運算放大器具有超出正電壓軌和負電壓軌的擴展共模電壓範圍,從而為設計人員提供更大的靈活性。這款產品在2.5V至5V電壓下工作,能夠滿足感測器介面、硬碟、手機、GPS設備、MP3播放機以及多種可攜式和消費性產品的需求。
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: u4 k0 h/ t* v! e6 \3 l0 v0 f快捷半導體擁有廣泛的解決方案,可延長可攜式和消費性產品設計中的電池壽命和節省線路板空間,FAN4931是這種應用的另一個例證。FAN4931與快捷半導體現有的運算放大器產品系列相輔相成,如之前發表、具有類似特性和可選引腳輸出的FAN4174以及具有雙通道的FAN4274,為可攜式和消費性產品設計提供更廣泛的產品組合。
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' O& h( E2 ^9 z; t( I價格:訂購1000個,每個$0.16美元- E( C0 w) x7 [& [6 x
供貨:樣品供應中
$ n" G* X1 B! q$ @9 N+ X交貨期:收到訂單後8周
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發表於 2010-4-12 14:14:19 | 顯示全部樓層
快捷半導體高性能光耦合器榮獲EN-Genius Network年度產品大獎9 w! u4 ~5 M; M) l$ j1 Y
FOD8001獲選為最佳新型光耦合器" h) t) V2 n( |' w' d
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快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)的高性能光耦合器FOD8001贏得EN-Genius Network 2009 年度產品大獎之「最佳新型光耦合器」獎項。系統工程師使用FOD8001,能夠設計出穩健的工業現場匯流排網路(fieldbus network),讓低傳輸錯誤率、低系統故障率和經驗證的高可靠性等特性保持更長的時間。7 y& u4 w* T) h; {+ g  ^4 a

9 Z, G$ a- i9 n: F- dFOD8001是一款3.3V/5V高速邏輯閘光耦合器,採用專有的共面封裝(coplanar packaging) 技術OPTOPLANAR®,提供同級最佳的抗雜訊性能。FOD8001在高速光耦合器開關狀況下具有25kV/μs@1,500Vcm的動態共模瞬變免疫能力 (Common Mode Transient Immunity, CMTI) ;而靜態CMTI達到40kV/μs@1,000Vcm,具有更強的抗雜訊能力。FOD8001提供3,750V(rms)的額定隔離電壓。在光傳輸經過隔離障礙(isolation barrier)時,實現隔離。在初級側和次級側之間具有0.5mm的最小物理分離,以確保在客戶應用中達到長期的隔離障礙可靠性。5 ~2 X" @! G2 M* N/ X2 u* H* R$ z6 u& ?5 ^

! _5 j9 T2 I5 OFOD8001具有出色的高頻寬 (25Mbps) 和嚴格的脈寬失真 (6ns) 性能,能滿足汽車技術現場匯流排通信的工業標準要求,適用於Profibus、DeviceNet、CAN、Modbus、Interbus和許多其他標準。它具有3V至5.5V的寬電源電壓範圍,能夠輕易地與低壓設備介接,降低整體的系統功耗。FOD8001亦支持 -40 ºC至 +105 ºC的寬溫度範圍,以滿足工業應用的要求。
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EN-Genius Network指出,快捷半導體的FOD8001光耦合器具備高效率、高頻寬性能和出色的抗雜訊能力,因而獲頒「2009年度產品大獎」。EN-Genius Network 之「年度產品大獎」的獲勝產品是由EN-Genius編輯團隊審核整個年度發表的傑出產品而遴選出來的。獲獎產品的審核條件是要具備卓越的技術水準、設計、創新和市場成功可能性。
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發表於 2010-6-10 18:18:00 | 顯示全部樓層

快捷半導體榮獲《電子產品世界》兩項功率產品創新獎

全球領先的高性能功率和行動產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣佈,公司榮獲中國著名電子設計刊物《電子產品世界》年度功率產品大獎中的兩項最佳創新獎。
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" h$ Y7 I3 x3 g- B$ F) @1 hFAN9612交錯式臨界導通模式(BCM)功率因數校正(PFC)控制器榮獲功率管理類別的最佳創新獎。而業界第一款採用Power 56封裝、阻抗低於1 mΩ的30V MOSFET器件FDMS7650也在競爭激烈的功率元件類別中奪得最佳創新獎。, Y; M9 b- r8 O% P4 f
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獲獎的FAN9612可為AC-DC電源提供超過百分之九十六的功率轉換效率,應用領域包括用於數位電視、桌上型電腦和入門級伺服器、前端電信系統,以及額定功率範圍從100W至1000W的工業電源系統的電源。隨著業界採用PFC來當作減少配電點能量損耗的方式,交錯式PFC正成為當今能耗敏感的世界中,實現節能最大化的最先進的方法。
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發表於 2010-6-10 18:18:09 | 顯示全部樓層
另一獲獎產品FDMS7650可以當作負載開關或ORing FET使用,在伺服器中心 (server farm) , ORing FET可用於多電源並聯分擔負載的情況。FET的連續導通特性,可降低功耗和提高效率,以提升伺服器中心的整體效率。FDMS7650的最大RDS(ON) 僅為0.99 mΩ,能夠減少傳導損耗,提高應用的整體效率。 / V* O* F' ~, C( t
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獲獎的30V MOSFET器件FDMS7650能夠以競爭方案一半的FET數目,提供相同的整體R DS(ON),該器件採用快捷半導體性能先進的PowerTrench® MOSFET技術來達到這一性能水準。這項技術擁有非常低的導通電阻 (RDS(ON) )、整體柵極電荷(gate charge, QG) 和米勒電荷 (Miller Charge, QGD) ,能充分地降低傳導和開關損耗,從而帶來更高的效率。 
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1 I! i' ]. h* r( x* u. j快捷半導體公司在二○一○年六月八日於深圳舉辦的第七屆綠色電源和功率管理技術研討會的頒獎儀式上, 接受主辦機構頒發有關獎項。' d* l* A9 \* H7 }2 P8 f2 v
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快捷半導體公司中國及東南亞地區銷售及市場推廣部副總裁陳坤和先生就產品獲獎發表意見時表示:「能獲這項殊榮,我們倍感自豪,而這也清楚地說明了快捷半導體能夠設計和開發滿足中國工程師特定需求的產品。我們的兩款高效率產品獲得創新類別的獎項,突顯出快捷半導體實踐承諾,協助中國和此一區域內工程師提升所有產品的效率,以滿足地區性和全球規範的要求。」
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