RAMTRON擴充FRAM-ENHANCED MCU家族陣容 符合工業標準可直接替換8051架構的微控制器

heavy91

Ramtron推出新款32Kb器件

: |- _) G2 `$ S( O! L1 X: D" E, N

擴大 F-RAM 串列記憶體產品線的陣容

  ]: z* S8 z) u) X7 m3 j* @; Z

% E4 ]+ T# O( P3 w7 z

最新雙線串列介面記憶體具有運作功耗低和資料保持時間長的特性

4 v+ ?' g0 j% \2 `- k! L" @# {世界頂尖的非揮發性鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出一款編號為 FM24CL32的串列非揮發性RAM器件，它可提供高速讀/寫的性能、低電壓運作，以及出色的資料保持能力。
FM24CL32是32Kb 的非揮發性記憶體，工作電壓的範圍為2.7V至3.6V，採用8腳的SOIC封裝，採用雙線
6 P, ~/ Q& T& y0 Z  r(I2C) 協定；並提供快速存取、無延遲 (NoDelay™)寫入、幾乎沒有限制的讀/寫次數(1E14) 及低功耗特性。FM24CL32 適用於工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲和計算應用及其它領域，可當作串列EEPROM 記憶體的直接硬體替代產品。

Ramtron市場推廣經理Mike Peters 指出：“FM24CL32 為我們的標準記憶體產品系列，增添了帶有用戶熟悉的 I2C 串列介面低功耗 32 Kb器件之選項。由於F-RAM 的寫入電路不需要內部升壓電源，因此對需要頻繁或快速寫入操作的資料收集應用而言，FM24CL32是一款非常適用的非揮發性記憶體。”
5 o* T; e/ |% j* y0 k
9 v# r1 A4 s- d在要求嚴格的工業控制應用中，如果採用EEPROM器件，其較長的寫入時間可能會讓資料遺失，而FM24CL32則可避免這種風險。此外，FM24CL32 即使在75℃溫度下工作，仍然能夠穩定地提供長達45
  c8 E4 z; d, V年的資料保存時間，充分滿足電力計量產業對資料保存期限的要求。
5 x3 i/ Y$ M" v) G/ h* p, ~8 r
關於FM24CL32

FM24CL32是一款串列鐵電隨機存取記憶體，被安排成4,096 x 8位元的記憶體陣列，採用業界標準的雙線
  a6 B7 e) f. N5 l, ]" x9 a$ A0 c" H(I2C) 通信介面來進行存取。不像EEPROM，在使用FM24CL32時並沒有寫入延遲，而且也不需要進行資料輪詢即可執行下一個匯流排週期。FM24CL32 以高達1 MHz的匯流排速度進行寫入作業，支持100 kHz 和400 kHz的舊有定時(legacy timing)，並提供長達45年的可靠資料保存期限，同時消除了由EEPROM和其他非揮發性記憶體導致的複雜性、額外的費用和系統級可靠性的問題。
' r5 h9 l- n6 o$ [5 [: |( R

FM24CL32 具有2.7V-3.6V 的低工作電壓，有效電流為70 mA(100 kHz 下的典型值)，待機狀態下為12mA，可在-40℃至+85℃ 的工業溫度範圍內正常工作。
5 n$ ^" A" r; Q! H  `5 E1 K價格和供貨 Ramtron現提供採用8腳、與“綠色”/RoHS相容的SOIC封裝之FM24CL32樣品，訂購1萬片時，單價從0.99美元起跳。

9 a6 a( \/ [  F7 f# E  x[ 本帖最後由 heavy91 於 2009-8-14 11:16 AM 編輯 ]

heavy91

Ramtron推出兩款全新串列低功耗、高性能F-RAM元件

3 Z8 Z0 h# `' [/ a" {

新款串列256Kb F-RAM元件擴展V系列產品線

5 I7 r% l2 Y. I: t$ k. c9 l全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM) 和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation，宣佈推出兩款具有高速讀/寫性能、低功耗運作和可選元件特性的新型串列非揮發性F-RAM產品，它們分別是帶有雙線介面(I2C)的FM24V02和帶有串列周邊介面(SPI)的FM25V02。這兩款256Kb元件是Ramtron公司V系列F-RAM元件的最新成員，工作電壓範圍為2.0V至3.6V，採用產業標準的8腳SOIC封裝，具有快速存取、無延遲(NoDelay™)寫入、幾乎無限的讀/寫次數及低功耗，是工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲、電腦及其它應用領域的256 Kb 串列快閃記憶體和串列 EEPROM記憶體的相容替代產品。
- _" n9 S* v, x# [
2 P* y0 e$ \0 w3 K& x2 {  jRamtron 市場推廣經理Mike Peters 表示：「與上一代產品比較，這兩款256 Kb V系列串列件的電壓更低、性能更高，可用以替代FM24L256和 FM25L256B。我們不斷地擴展V系列產品線，履行Ramtron對環境保護的承諾，在提供功效更高非揮發性記憶體產品的同時，還要降低對電池的需求。」

關於FM24V02 和FM25V02
; M/ `- o7 d+ vFM24V02最高可以3.4 MHz的I2C匯流排速度執行寫入操作，同時還支持100 kHz 和400 kHz的傳統匯流排頻。該元件無寫入延遲，不需要進行資料輪詢即可進行下一個匯流排週期。此外，FM24V02還提供高達100萬億 (1E14)的 讀/寫次數，比EEPROM高出幾個數量級。FM24V02在執行寫入操作時不需要為寫入電路提供內部升高的電源電壓，因而功耗也較EEPROM低得多。FM24V02在工作模式下的耗電量低於150μA (通常在100KHz下)，待機模式下則為90μA，而睡眠模式下的耗電量更可低至5μA。
6 E( ^' r9 ^/ L$ I
FM25V02 在40 MHz SPI時鐘頻率下運作的耗電量僅為3mA，在待機模式下則為90µA，在
睡眠模式下則為5µA。FM25V02的典型運作功耗為38µA / MHz，比相類似的串列快閃記憶體或EEPROM產品耗電量降低了一個數量級。

$ v# }- W: \9 c+ i6 M3 w0 tFM24V02和FM25V02均具有標準的唯讀元件ID，可讓主機確定製造商、產品密度和產品版本資訊。兩款產品還提供了可選且獨特的唯讀序列號，它可用來確定帶有全球獨有ID的電路板或系統。最後，FM24V02 和 FM25V02可確保在-40°C至+85°C的工業溫度範圍內工作，極度適合工業用途。
. w. n3 X+ _4 j3 E' s6 g0 U
! M# `) z9 m2 `5 ^關於V系列F-RAM
Ramtron的V系列F-RAM產品採用Ramtron和德州儀器共同開發的先進130nm CMOS生產製程製造，包括多種容量的串列I2C、串列SPI和位元組寬並列記憶體(bytewide parallel memory) 。產品以先進的製程製造，能夠提高元件規範，並增加功能集。除了FM24V02和FM25V02之外，V系列F-RAM還包括了以下元件：

價格和供貨Ramtron目前已經可以提供採用符合RoHS標準的8腳SOIC封裝的FM24V02 和 FM25V02樣品，訂購1萬片，FM24V02的起價為每片2.39美元；FM25V02起價為2.35美元。

chip123

Ramtron高性能F-RAM系列之第二款並列器件

7 B5 i7 Z9 |$ j& u世界頂尖的非揮發性鐵電記憶體(F-RAM)和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出新型V系列串列和並列F-RAM產品之第二款並列器件。V系列F-RAM具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓。Ramtron 公司V系列F-RAM最新產品的編號為FM28V020，它是一款採用業界標準28腳SOIC封裝、容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V的並列非揮發性RAM，具有快速存取、無延遲(NoDelay™)寫入、幾乎無限的讀寫次數及低功耗等特點。FM28V020可在工業控制、計量、醫療、汽車電子、軍事、遊戲和電腦及其它應用領域中當作電池供電SARM的普適型替代產品(drop-in replacement)。

Ramtron市場拓展經理Mike Peters表示：“相較於現有的256Kb並列記憶體比較，FM28V020有多項性能經過強化的特點，並為由電池供電的SRAM或NVSRAM提供了一條簡便的升級之路。與目前廣泛使用中的FM18L08相比，FM28V020具有更快的存取速度和更短的讀寫週期，工作電壓降低至2V，工作電流更小，而且頁面模式工作頻率可高達40MHz。”

jiming

Ramtron推出具射頻功能之無線記憶體MaxArias™ 支援EPC Gen-2協議的第一款高容量記憶體轉發器IC

$ [& Y. E; r# x; o) Z8 R; F世界頂尖的非揮發性鐵電記憶體(F-RAM)和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation日前宣佈，目前已開始在為多個產業中的客戶提供首款MaxArias™無線記憶體產品的測試樣品。Ramtron的MaxArias™無線記憶體產品將無線存取功能與其非揮發性F-RAM記憶體技術的低功耗、高速度和高耐久性特性相結合，能夠在廣泛的應用領域中，實現具有創新性的資料收集的功能。
/ l. ]% k7 }- {7 {2 s
Ramtron首款無線記憶體系列稱為MaxArias WM710xx產品系列，該產品結合F-RAM記憶體並支持無源UHF EPCglobal Class-1 Generation-2無線存取協定，並提供4、8和16Kb記憶體容量供選擇。WM710xx系列適合航空/工業製造、庫存控制、維護追蹤(maintenance tracking)、建築安全、電子收費、藥物追蹤，以及產品認證等眾多產業應用，並規劃於2010年第一季開始生產。
" g4 b+ u: U$ t) z# @
0 W/ e0 H, i7 U* d) F+ H) [Ramtron高級行銷經理Dan Secrest表示：「Ramtron 的MaxArias產品線開創出了一全新的無線記憶體產品類別，為眾多應用帶來全新的資料收集功能。我們的MaxArias產品將讓系統整合商和用戶能夠可靠地擷取、傳送和儲存更多的資訊。MaxArias器件結合業界標準的非揮發性F-RAM記憶體並遵從EPCglobal Gen-2 RFID協定，能夠提高當今快速變化的全球供應鏈系統的效率。」

jiming

Ramtron執行長Bill Staunton表示：「Ramtron為MaxArias系列無線解決方案提供測試樣品，這是Ramtron進一步擴大市場和增強F-RAM領導地位的重要的步驟。我們的策略是以F-RAM記憶體業務為基礎，在充分利用F-RAM低功耗特性以開拓新興市場機會下，並進一步建立F-RAM記憶體和其他記憶體解決方案的差異性，在此同時，也將繼續積極開發新產品。我們初步的計畫是要將目標集中在RFID市場，特別是高價值資產追蹤和無線計量等領域。」

關於MaxArias無線記憶體解決方案

Ramtron的首款MaxArias無線記憶體系列結合了最高16Kb的高性能非揮發性F-RAM記憶體和EPCglobal Class-1 Generation-2 UHF無線介面協定標準，運作頻率為860MHz 至 960MHz。結合經優化的天線設計，MaxArias WM710xx產品系列可以使用由射頻場感應出的能量來供電。根據Gen-2標準，MaxArias晶片可接收和處理經由RFID閱讀器傳輸的指令。
2 a$ D6 @+ [+ x, J6 C) Q; F
產品特性和優勢

MaxArias無線記憶體的第一批產品包括：WM71004、WM71008和WM71016，其容量分別為 256/512/1024 x 16位元，這些器件具有幾乎無限的讀/寫次數(寫入次數大約為1014次)，以及20年的資料保存期。就運作範圍、持續的記憶體存取頻寬及可靠性而言，MaxArias無線記憶體具有完全對稱的讀/寫運作能力，達到Gen-2標準的最大資料速率。

jiming

Ramtron的MaxArias無線記憶體具有超越傳統基於 EEPROM的RF IC的獨特優勢，包括：
' o5 S* g2 H6 j0 P& h
% x6 g. v9 R3 Y* e# }6 C9 E•更高的RF靈敏度：WM710xx能實現零功耗寫入運作，因而在執行寫入時不會影響功率或速度。
, N, L# i% a0 y9 z. K( L( y% Q•更大的運作範圍：使用低功耗F-RAM的MaxArias無線記憶體具有逾10公尺或更大範圍的對稱無線讀/寫功能
•出色的寫入速度：MaxArias無線記憶體的速度較EEPROM快六倍，能夠實現整個記憶體區塊的寫入運作，以更快的速度儲存更多的資料，免除基於EEPROM 的器件的「預備時間」(soak time)限制
0 r/ ?, G' ?) j- Q2 L$ m•區塊寫入完整性：Ramtron的SureWrite™ 特性可確保資料完整性，防止在全區塊寫入期間出現資料損壞
: x: ^6 e  N+ N# q& K  k* q& \•磁場和伽瑪輻射承受能力：由於F-RAM器件完全不受磁場的影響，並具有高伽瑪輻射承受能力，MaxArias無線記憶體是需暴露於磁場或輻射干擾之應用的理想選擇。

WM710xx MaxArias無線記憶體能在整個工業溫度範圍 (-40°C 至+85°C) 運作，並備有幾種配置，包括標準RoHS相容的6腳UDFN封裝、凸塊晶片、裸片，或經全面測試且符合ISO-18000-6C標準的電子標籤。

heavy91

Ramtron在二○一○年矽谷嵌入式系統會議上展示MaxArias無線記憶體 Ramtron展示Gen2大記憶體無線IC
( Y8 e7 n2 K# h; ]
7 p/ g+ E, O( P4 L. k$ g- p; \全球領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation 在美國加州聖荷西的McEnery會議中心舉行的矽谷嵌入式系統會議暨展覽會(Embedded Systems Conference—Silicon Valley)上，展示MaxArias™無線記憶體。

4 ]4 q5 i* J& I& Y7 b* K+ }在展會期間，Ramtron公司展示了其MaxArias™產品系列的創新無線記憶體技術。Ramtron的MaxArias系列無線記憶體將產業標準Gen2 RFID無線存取功能與其非揮發性F-RAM記憶體技術的低功耗、高速度和高耐久性特性相結合，可讓亞洲乃至全世界的工程師使用RF相容高性能應答器(transponder) IC來發送、擷取和儲存更多的資訊，從而擴大其系統的通訊範圍和記憶體容量。

Ramtron公司的MaxArias無線記憶體非常適合高價值資產追蹤、藥物追蹤、製造和維護記錄收集以及智慧型能源讀表等應用。
1 K0 `. o! [2 X6 p
產品特性和優勢

2 C2 j7 M2 t7 |3 ]* m( z+ uMaxArias無線記憶體的第一批產品包括：WM71004、WM71008和WM71016，其容量分別為 256/512/1024 x 16位元，這些器件具有幾乎無限的讀/寫次數(寫入次數大約為1014次)，以及二十年的資料保存期。就運作範圍、持續的記憶體存取頻寬及可靠性而言，MaxArias無線記憶體具有完全對稱的讀/寫運作能力，達到Gen-2標準的最大資料速率。

heavy91

Ramtron的MaxArias無線記憶體具有超越傳統以 EEPROM為基礎的RF IC的獨特優勢，包括：

9 n/ S% a% ^6 w2 u' r% n, V6 a0 v•更高的RF靈敏度：WM710xx能實現零功耗寫入運作，因而在執行寫入時不會影響功率或速度。
•更大的運作範圍：使用低功耗F-RAM的MaxArias無線記憶體具有逾十公尺或更大範圍的對稱無線讀/寫功能
•出色的寫入速度：MaxArias無線記憶體的速度較EEPROM快六倍，能夠實現整個記憶體區塊的寫入運作，以更快的速度儲存更多的資料，免除以EEPROM 為基礎的器件的「預備時間」(soak time)限制
•區塊寫入完整性：Ramtron的SureWrite™ 特性可確保資料完整性，防止在全區塊寫入期間出現資料損壞
, E/ s+ I, R8 }+ U' y% V8 N2 Q: x•磁場和伽瑪輻射承受能力：由於F-RAM器件完全不受磁場的影響，並具有高伽瑪輻射承受能力，MaxArias無線記憶體是需暴露於磁場或輻射干擾之應用的理想選擇。

. K0 E& o+ v- B" J3 P3 }WM710xx MaxArias無線記憶體能在整個工業溫度範圍 (-40°C 至+85°C) 運作，並備有幾種配置，包括標準RoHS相容的6腳UDFN封裝、凸塊晶片、裸片，或經全面測試且符合ISO-18000-6C標準的電子標籤。

關於MaxArias無線記憶體解決方案
2 G5 P9 q/ H0 v) D+ S$ y/ z! V; \
5 Y- Y. G7 g+ F4 s7 V4 }Ramtron的首款MaxArias無線記憶體系列結合了最高16Kb的高性能非揮發性F-RAM記憶體和EPCglobal Class-1 Generation-2 UHF無線介面協定標準，運作頻率為860MHz 至 960MHz。結合經優化的天線設計，MaxArias WM710xx產品系列可以使用由射頻場感應出的能量來供電。根據Gen-2標準，MaxArias晶片可接收和處理經由RFID閱讀器傳輸的指令。要瞭解有關 MaxArias無線記憶體的更多資訊，可從以下網址取得白皮書和資料表 www.ramtron.com/go/maxarias.

atitizz

具有射頻存取功能的高性能、低功耗F-RAM無線記憶體實現創新的行動資料收集功能
3 @- o7 y$ ~: y4 f
世界頂尖的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈開始提供其具有F-RAM特性之MaxArias™無線記憶體之商用樣品。Ramtron的MaxArias™系列無線記憶體將非揮發性F-RAM記憶體技術的低功耗、高速度和高耐久性等特性與產業標準的無線存取功能相結合，實現了創新的行動資料收集功能，MaxArias無線記憶體是高價值資產追蹤、製造和維護歷史記錄收集，以及智慧型電錶抄表等廣泛應用的理想選擇。

; F- }: ~" t* l" ^  V; C8 h2 VRamtron公司MaxArias產品行銷經理Dan Secrest表示：「自MaxArias產品在今年稍早之時推出以來，已獲得市場熱烈的響應，我們對此感到非常高興。MaxArias系列的首批器件能夠在更大的工作範圍提供無線的片上大容量記憶體資料儲存和檢索，功耗較以往更低。我們認為這種新功能將會提升許多應用的生產力、降低成本並改善供應鏈效率等之前不可能實現的優勢。」

' o: d; r; ~$ H% \9 n: h6 XRamtron的首款MaxArias無線記憶體系列結合了最高16Kb的高性能非揮發性F-RAM記憶體和EPCglobal Class-1 Generation-2 UHF無線介面協定。結合優化的天線設計，MaxArias器件可以由射頻場(RF field)直接感應出的能量來供電。主流RFID標籤僅能提供數Kb的記憶體內容，並表現出固有的存取緩慢缺點。Ramtron推出的MaxArias無線記憶體則可在IC上儲存1000個16位元資料。MaxArias器件的高性能、高容量可以讓終端使用者以非常低的功耗(-13dBm/-13dBm讀/寫靈敏度)、最遠10公尺的距離來儲存和檢索重要的資訊，諸如製造資料、生產數量和日期、配置狀態、故障記錄、維修記錄，甚至是韌體的修訂版本等資訊。
9 v/ ?2 S# M* u: d
Ramtron公司的MaxArias WM710xx系列適用於包括電力、飛機/工業製造、存貨控制、維護追蹤、建築保全、電子收費、藥物追蹤以及產品鑒定等許多產業。

atitizz

Ramtron的MaxArias無線記憶體獲中國《電子技術應用》雜誌頒發2010年度優秀產品獎
8 ^7 u# _! ]: n  Y- ?- _$ \
Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 的MaxArias™無線記憶體榮獲中國《電子技術應用》雜誌頒發2010年度優秀產品獎。《電子技術應用》雜誌是中國領先的電子/IT雜誌之一，Ramtron的 MaxArias器件獲該雜誌的讀者票選為嵌入式產品類別的優勝者。

$ e6 u& ]7 m; @  H. |0 [8 B, t* DRamtron公司MaxArias產品行銷經理Dan Secrest表示：“Ramtron 的 MaxArias無線記憶體自2010年初推出以來，獲得了熱烈的市場反應，我們感到非常高興。此次獲獎進一步說明我們的MaxArias產品系列在提升眾多應用的生產效率、降低成本並改善供應鏈效率方面，具有前所未有的成效。”
" ^3 o& o6 G7 e. w* {' d
Ramtron公司是世界領先的低功耗鐵電記憶體及整合的半導體產品開發商及供應商，其MaxArias無線記憶體解決方案以第三代的自動識別晶片技術為基礎，能夠實現高容量和資料豐富的資產與資訊追蹤系統，可應用於智慧電錶、航太/工業製造、庫存控制、維護歷史追蹤、藥物和醫療設備追蹤、建築安全，以及產品認證等。

amatom

Ramtron發表具有寬工作電壓範圍的串並列F-RAM記憶體
W系列F-RAM記憶體提供寬工作電壓範圍和更低的工作電流

+ i$ ?  q1 ?3 A; Y, K2 `& a世界領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發表其W系列的 F-RAM記憶體，W系列器件具有串列I2C、SPI介面和並列介面(parallel interface)，可提供從2.7V 到 5.5V的寬電壓範圍。此外，W系列具有更高的性能，如工作電流(active current)需求降低了25%至50%，串列器件的首次存取啟動(初始上電)速度加快20倍。該系列中FM24W256 和 FM25W256器件分別帶有256-Kbit 串列 I2C 和SPI介面。64-Kbit FM16W08 和 256-Kbit FM18W08器件則帶有一個並行通信介面。
& }- F7 N, l3 l# w
Ramtron公司標準記憶體市場推廣經理 Mike Peters 表示：“W系列 F-RAM記憶體所具有的寬工作電壓範圍，可協助系統設計人員降低工作電流，提高系統性能。系統能夠檢測出早期的功率損失，控制器的資料寫入電壓可降至2.7V，從而保護重要資料避免受到毀損或丟失。W系列的寬工作電壓範圍帶來更大的靈活性，能夠讓客戶所需的庫存元件數量降到最少。”

amatom

關於W系列F-RAM記憶體

對先前使用64K至256K  F-RAM器件的客戶而言，W系列 F-RAM記憶體是一種設計替代方案。該系列產品以先進的高可靠性鐵電製程為基礎，具有無延遲 (NoDelay™)寫入、幾乎無限的讀/寫次數 (100萬億次-10e14)以及長達38年的資料保存期限等特性。這些新推出的器件採用業界標準的“綠色”封裝，其中串列器件採用8腳SOIC封裝，並列器件則採用28腳SOIC封裝。W系列非常適合需要頻繁或快速寫入資料或實現低功耗工作的非揮發性記憶體應用，應用範圍從高頻資料獲取直到要求嚴苛的工業控制應用。而在這些應用中， EEPROM的寫入週期很長，可能造成資料丟失，因而並不適用。W系列中串列SPI器件採用Ramtron的 F-RAM技術，能夠實現全速匯流排寫入，確保在-40°C 至 +85°C的工業溫度範圍內正常工作。


價格和供貨
2 o- B, ]% q- }& z: B: F) w4 z8 b
Ramtron 現可提供W系列 F-RAM記憶體樣品，訂購1萬片，每片256-Kbit FM24W256 和FM25W256的價格均為2.35美元。對於並列型的器件，訂購1萬片，每片64-Kbit FM16W08 的價格為1.96美元，每片256-Kbit FM18W08則為3.48美元。

amatom

Ramtron新款F-RAM Processor Companion帶有溫度補償晶體振盪器以大批量的消費性、工業和計算市場為目標
1 z) N7 ~# J0 n於矽谷嵌入式系統博覽會發佈的新產品，能夠為靈敏的時間記錄應用提供精確的即時時鐘運作
1 _; o+ e( h# m0 d- D7 p6 m; S
世界領先的非揮發性鐵電記憶體 (F-RAM) 產品供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 在美國矽谷嵌入式系統博覽會 (Embedded Systems Conference) 上宣佈推出該公司Processor Companion產品家族的升級產品；Processor Companion是以大批量、基於處理器的電子系統為其市場目標。Ramtron的新款Processor Companion (處理器伴侶) 整合了帶有溫度補償晶體振盪器 (TCXO) 的精密即時時鐘(RTC)，256 Kb非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM)，以及一整套周邊功能。這款帶有TXCO的高整合度Processor Companion 器件可為電子製造商帶來極具競爭力的優勢，幫助他們降低零件的庫存和材料清單成本，減少製造步驟和潛在故障點，以及縮小電路板空間。FM31T378是帶有TCXO的新型Processor Companions系列中的首款產品，適用於儀表、執行時間監控器、使用時間記錄，以及其它需要精確時間標記的密集型資料收集應用。
+ H; ^% [1 w, V9 @- z1 h
帶有TCXO的Processor Companion系列產品還具有處理器監控程序，支持幾乎任何基於微控制器或微處理器的設計。這項監控功能可以檢測電源故障，並可啟動重置功能以避免軟體鎖定的情況發生。Ramtron帶有TCXO的Processor Companion產品還具有多種整合功能，包括：

amatom

F-RAM非揮發性處理器 – Ramtron F-RAM處理器以先進的高可靠性鐵電製程為基礎，具有低功耗、無延遲 (NoDelay™) 寫入，以及100萬億次 (1e14) 的高耐久性讀/寫週期。
溫度補償即時時鐘運作 – 嵌入式晶體和板載溫度感測器在內部校正晶體溫度特性，在工業溫度範圍 (-40°C to +85°C) 情況的精度達到每年±2.6分鐘 (±5ppm)，精確的時間記錄元件在遮罩的保護下，可免於安全破壞和環境效應如振動、潮濕和突發的EMI/RFI。
低壓重置 – Ramtron Processor Companion器件的標準配置包括可程式設計的低VDD重置、可程式設計的看門狗計時器、備份電源控制器，以及手動重置功能。
1 q2 ]9 f$ f; H2 H9 i. ?6 m附加周邊 – 兩個帶有篡改中斷輸出的電池供電事件計數器，一個32.768 kHz時鐘輸出、一個可鎖定的64位元序號，以及一個可用於早期功率故障 (NMI) 中斷的通用比較器。
7 ~% g" c- N& m$ m; k8 O6 Q3 ^
關於Processor Companion系列 　　
2 \0 O' d  K7 G8 |4 Q
. _" Q+ W( f; r; s+ ]Processor Companion系列器件整合了相互補充但又截然不同的功能，可以實現共用介面，並在系統電路板上省去多個部件。完整的FM31T37x Processor Companion系列包括帶有4Kb、16Kb、64Kb及256Kb等不同容量非揮發性 F-RAM記憶體的成員，預計將於2011年上半年提供4Kb、16Kb和64Kb密度的產品。FM31T37x系列採用標準14腳SOIC封裝，帶有TCXO的Processor Companion產品的工作電壓為2.7至5.5V，採用產業標準I2C介面以存取記憶體和控制所有的功能。該器件提供用戶可程式設計的可鎖定64位元序號，並具有兩個電池備援的16位元事件計數器，可用於日誌系統侵入(篡改事件) 或任何其它通用事件。這些器件與事件計數器共用時，篡改中斷功能可在發生企圖侵入事件時中止系統處理器。

6 v; k0 S8 p; d& `  {, ~( w+ X% kRamtron提供採用14腳SOIC封裝的FM31T378器件樣品，訂購25000個時的起價為每個3.89美元。

atitizz

Ramtron選擇臺灣京元電子來擴大F-RAM產品的組裝和測試能力
, K2 Y+ Y$ G' w# u* I
世界領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣佈選擇京元電子股份有限公司 (KYEC) 來擴大其全部F-RAM產品系列的組裝和測試能力。京元電子在半導體組裝和測試服務領域擁有全球性的領導地位，可為Ramtron提供新增的後段生產能力，以滿足客戶對F-RAM產品日益成長的需求。

( D3 f4 I0 w* yRamtron公司客戶滿意度部門副總裁蕭穎表示：“我們非常高興與京元電子這樣的世界級企業合作，以便為廣大的客戶群準時提供高品質的F-RAM產品。京元電子目前正在積極準備，務必要滿足Ramtron對組裝和測試能力的需求，我們預計於2011年第三季初在京元電子為Ramtron展開全面性的運作。京元電子將在短時間內提升我們的產能，亦可提供一可調節的平臺以因應未來顯著的成長。”

5 C' a+ l& I/ ?$ U1 j, ]京元電子總經理梁明成表示：“我們非常期待擴大Ramtron在京元電子的組裝和測試能力，以及可以支援他們未來的成長。我們已經做好了準備，可以滿足Ramtron F-RAM產品的獨特需求，我們熱切期望可以幫助Ramtron簡化後段的生產運作。”

amatom

. [0 U, {" x% w2 }8 z世界領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣佈，開始提供以IBM公司新生產線上製造的首批先期驗證(pre-qualification)鐵電記憶體(F-RAM)之晶片樣品。FM24C04C和FM24C16C是位元密度分別為4kbit和16kbit的串列5V F-RAM產品，這些器件可為電子系統提供高性能的非揮發性資料收集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產品具有非揮發性RAM記憶體的性能、無延遲(NoDelay™)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。
' G/ r, Z7 ^0 |( \2 D$ ?
Ramtron公司執行長 Eric Balzer表示：「FM24C04C和FM24C16C晶片樣品的發表是Ramtron新代工服務專案中的一項重要里程碑。這些先期驗證晶片符合資料表上的所有規格和公司嚴格品質標準的要求，現在這批樣品可以提供給客戶進行產品評估。在測試完成後，我們將會提供其它晶片樣品，包括3V的I2C和3V及5V的SPI產品。」

amatom

FM24C04C和FM24C16C採用串列I2C介面，工作電流為100µA(100kHz時的典型值)，匯流排運行頻率最高可達1MHz。這些器件適用於工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲和運算應用及其它領域，可直接當作4和16千位元串列EEPROM記憶體的替代產品。FM24C04C和FM24C16C均採用工業標準的8腳SOIC封裝，工業工作溫度範圍為-40°C至+85°C。
' }9 u. q5 n7 j* Z7 h4 C' }
8 D; _, ^+ K% F& W$ QRamtron公司FM24CxxC產品的單位元組(single-byte)寫入速度比EEPROM快200倍。此外，與之前記錄新資料需要5至10毫秒寫入延遲的EEPROM器件相比，這些器件具有無延遲特性，能夠以標準匯流排速度寫入。FM24C04C和FM24C16C的寫入週期為1兆(trillion)個，而EEPROM的則只有100萬個。與同類的非揮發性記憶體產品相比，它們具有極低的工作電流。
; Q  O7 ?0 v) X: a7 x  _
$ k' D6 n/ e; q7 ~' M3 M9 e; I8 S關於IBM/Ramtron代工合作關係

; h9 w% v; ^( X! |6 d7 Y; c; L2009年年初Ramtron和IBM達成代工服務協議，IBM在其位於美國佛蒙特州Burlington的先進晶圓生產設施中部署了Ramtron的F-RAM半導體製程技術。Ramtron的專有F-RAM技術堆疊已經加入到IBM的 0.18微米CMOS製程中，用於生產Ramtron的標誌性高性能非揮發性F-RAM產品。IBM擁有世界級代工服務，為Ramtron現有產品及新產品開發計畫提供了具有成本效益的靈活的製造平臺。

globe0968

Ramtron開始供應64Kb串列F-RAM記憶體樣片 在新生產線上製造的5V、 I2C串列產品系列之最新器件已完成樣片生產
1 y+ U6 K$ ^! {3 l, F. f* T' G" ?
世界領先的低功耗鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣佈，該公司最新鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 產品的樣片現已在IBM的新生產線生產。此一新產品FM24C64C是64 Kb、5V串列F-RAM器件，以匯流排速率運行且無寫入延遲，並支援高達1萬億次 (1e12)的讀/寫週期，這比相同等級的EEPROM器件高出100萬倍。FM24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 µA (在100 kHz下)，典型待機電流僅為4 µA。這款F-RAM器件是64-Kb EEPROM產品的直接硬體替代產品，適用於需要頻繁或快速寫入的非揮發性記憶體應用。
! D: }4 }. j: R; t) X; C
. F8 q" T% Y  e1 s3 B9 a* \Ramtron市場推廣經理Mike Peters表示：“FM24C64C擴展了我們低密度串列I2C器件系列的陣容，這些產品是在IBM位於美國佛蒙特州 (Vermont) Burlington的生產線上製造的。FM24xxC系列產品包括帶有I2C介面的4-Kb、16-Kb和64-Kb串列器件。相較於競爭器件，Ramtron的F-RAM產品具有出色的寫入性能、耐久性和持久性。”

0 h  s& u, j) S關於FM24C64C

FM24C64C具有串列I2C介面，100 µA的有效電流 (通常在100 kHz下)，並以高達1MHz的匯流排頻率運作。該器件是64-Kb串列 EEPROM的直接普適型(drop-in) 替代產品，一般應用在工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲，以及計算等領域。FM24C64C 採用符合RoHS標準的工業標準8腳SOIC封裝，工作溫度範圍是工業級的-40°C至+85°C。