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LSI 推出單片12Gb/s SAS RAID單晶片控制器 突破百萬IOPS效能障礙
8 w) i0 ~+ ?/ }( u, _0 E! D4 iLSI® SAS單晶片 I/O 效能可以充分展現快閃記憶體儲存和未來PCI Express 3.0伺服器平臺的絕佳效能
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; R6 ~; w0 k' w @9 C) P# E1 ]: NLSI公司(NYSE:LSI)宣佈於英特爾開發者論壇 (IDF)上展示LSI新一代12Gb/s SAS RAID單晶片(ROC)技術。
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6 ]3 G/ z& q1 l+ i6 i於IDF中,LSI展示一款單片8埠12Gb/s SAS 單晶片,將該晶片連接至8顆6Gb/s Seagate® SAS 2.5 英吋硬碟,在 PCI Express® 2.0 直連式儲存之架構下,運行小型模組連續讀取/寫入作業時,效能可超過 100萬IOPS(Input/Output Operations Per Second,每秒輸入輸出運轉次數)。
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透過整合SAS和PCI Express最新增強技術,以及創新的 LSI 硬體加速引擎,LSI SAS ROC 能夠為企業級固態硬碟(SSD)和符合即將推出的PCI Express 3.0規格的伺服器平臺提供所需的I/O效能,以充分發揮其效能優勢。
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LSI RAID儲存事業部資深副總裁暨總經理Bill Wuertz表示:「固態硬碟的優異效能,再加上產業轉換至PCI Express 3.0伺服器平臺的趨勢,成為驅使 12Gb/s SAS連接功能需求不斷增長的強勁動力。採用12Gb/s SAS,IT管理人員既能夠將現有基礎設施發揮出最大效益,亦能夠滿足I/O密集型應用、雲端資料中心和虛擬化伺服器環境等儲存需求。」 |
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