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[問題求助] λ -base esign rules中有些規則不懂 想請教謝謝^^

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1#
發表於 2007-6-11 12:57:51 | 顯示全部樓層 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小妹我從唐經洲的書上看到其介紹!) O- O! J2 d: K/ T6 j) p
而首先Mead&Conway只是提出λ基礎設計規則作者吧?) f. x8 i1 g% a
接著是書上寫的名詞規則有些不是很了解 ,在此提出麻煩大大們 提供意見謝謝^^
8 ~& A# y3 t# V) f. {3 Z4 r------------------------------------
/ p( k- Y9 _0 ]規則/說明
( Q( D/ G! g6 L& P( |# gEpd>=2λ  :閘poly需超過diffusion的最小長度。若不超過話,在diffusion  or  Implant  source/drain時,將使source/drain因為
6 S. Q% d) D, K4 h2 O/ b, n                 diffusion overlap而短路。
0 M; k  I: U4 d/ H' b: ^( N------------------------------------) y- L" g- s# `
關於diffusion overlap 這點 不懂diffusion為何會部份重疊而短路? 因為畫layout view時 畫棵mos不就先畫好diffusion後再畫poly閘極等,但diffusion已畫好了 那來的第2個diffusion來讓它部份重疊而短路呢?  還是說poly畫上 形成了s及d的diffusion 而poly未超過diffusion的最小長度將使這2區的diffsion短路呢?
4 I5 k% F( f5 Q) Z7 H# _. T-------------------------------------( k6 @* O+ v" G* c/ r6 ]
名詞定義:2 x4 o# l0 }) [! \
i:implantation region  
6 H4 E1 N- u' p9 V' C/ W# yimplantation region  這是畫mos有 畫到嗎? 這是什麼東西?implantation好像指摻雜區吧?
7 g* _* c( |- J8 P-------------------------------------
( }" F, I. {# ]! B$ HEmc>=1λ:contact hole 和包覆著洞外面的metal區的最小寬度+ ^  ]  k* E( j2 q
------------------------------------
. k. Y5 z9 [$ a, Z9 ~( L) ^上述規則是不是指包覆著洞外面的metal區從contact往外延伸的最小寬度呢?, `2 z; O, `3 p3 R
------------------------------------& `/ y4 M# B9 z: N
Opd=1λ:poly與diffusion對接成接觸的重疊寬度。通常poly與diffusion均作成4λ寬,兩者重疊1λ的寬度,在兩者之間開一個2λ寬、4λ長的
2 }; ]' P8 A0 k" q              contact hole置於中間,而覆蓋於其上的metal為4λ寬、6λ長的metal。( E8 q1 P8 g! b1 |. K3 z
-----------------------------------" b7 d2 G+ d, m+ `
上述規則介紹poly、diffusion、contact hole、metal的尺吋,但是業界每間公司都是用Mead&Conway提出λ基礎設計規則嗎?
  b9 L7 j/ n! P- ~還有我是使用calibre驗証軟體,我曾開啟drc  command file來看 有看過這些規則如wd>=2λ  ,sdd>=3λ ,wp>=2λ等等,只是每間公司desing rule要求的線性尺吋λ的大小 應該與Mead&Conway提出λ基礎設計規則不同大小吧?: \% K7 Y9 `$ S) S( Z' D0 p
---------------------------------
" E( q* e6 O2 I- A3 X還有我跑drc 出現的錯誤訊息看不懂,但訊息中有出現這些規則如wd>=2λ 等之類的訊息,於是我去開啟drc command file內容想看看裡面的設計規則,而我不會寫command file 所以也看不懂別人寫的內容,但是跑drc時除錯的錯誤訊息的內容 不都是撰寫drc command file時寫好各物質之間的距離、寬度 及不符合規則時要出現的錯誤文字訊息嗎?2 d7 O6 ^: c# W! S6 O5 y
所以我只要看的懂command file就能知drc的所有規則吧?; ^+ ]9 Y5 ?' u; z8 G
簡單的就是問 如何看懂command file? 看的懂的話 那我跑drc、lvs時 的錯誤訊息 我就能清楚了解是那裡的錯誤 ,讓我方便很快的除錯。
; j) y% o/ O6 N" x是有書還是網站有介紹嗎?
: y: H6 E' W3 {; z) w4 l# O--------------------------------------1 K) C) U3 F" Q
Eig>=1.5λ :implantation區需超出閘poly的最小長度。, p$ E$ T  d2 k! [3 [
--------------------------------------+ m! I) J" |) E9 m1 C! r& A
上述規則的 implantation區 我沒看過 ,到底是什麼?. U. f$ d! C8 G! K2 L" h
7 |. h. m/ Y! c! E% z/ h$ k

* r8 M$ g: R3 L: Q* w2 V& l. x; n+ I% B4 I; }0 ]  P7 S# E0 Z
麻煩大大們有空 協助解決小妹的問題  3q  ^^
% R9 n; s3 n/ x2 ]/ i6 k
9 w3 L5 w* d, _" E. g[ 本帖最後由 君婷 於 2007-6-11 01:08 PM 編輯 ]
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2#
 樓主| 發表於 2007-6-11 21:18:27 | 顯示全部樓層
還有一堆規局雖然寫各材質間的距離、寬度為多少λ?  但是λ只是個參數用以表示物質的線性大小,所以這與畫layout view時有關嗎?  因為畫layout時 不是都必須符合drc command file裡所設定的規則,否則跑drc就不會過了。
; c7 r  x5 A) V! |% E4 Q# X# m+ J那麼書上的這些規則 在應用的實作上 到底是用在那阿?& ^- _; w' m8 F5 `$ u' D; ?2 g% {
希望有大大 願意回答小妹我那麼多的問題,因為才7個人看過我的文章 @@ 感恩><
3#
 樓主| 發表於 2007-6-12 06:40:52 | 顯示全部樓層
謝謝2位大大的答覆,請問λ -base上定義許多規則分別多少λ  只是為了讓你看懂這名詞所代表那裡不符合design rule的意思嗎?& T8 q1 y9 {, e! s4 X
而design rule定義的內容不是都在DRC,LVS,ERC的command file並且在裡面也定義了 若跑這3樣, y! Q) J- Q7 n. [2 U* v+ W, U' x: O/ P
check時 若有違反design rule 將出現什麼錯誤訊息,我的確主要目的是 想問 怎看定義>< 才方便除錯,請問關於design rule內定義的規則和錯誤訊息 的撰寫 都是固定語法嗎?還是有相關資訊有教你怎看這間公司design rule定義的內容? 像我作DRC  check都是直接看layout view上圖示標示那裡違反規則 再從錯誤訊息中看其要求所規定的最小長度或寬度,但我錯誤訊息只看的懂上面寫的數字其它都不懂,而作LVS check時 因為design rule定義更不了解 ,而跑LVS時除錯時 沒像DRC還有在layout view有圖示 直接清楚告訴你就是那裡錯誤要修改 所以 小妹我才請教是否有相關資訊教你怎看design rule定義的內容   ^^9 _$ l2 o, I! H2 K
同時也謝謝2位的答覆   感恩^^

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4#
 樓主| 發表於 2007-6-12 21:57:39 | 顯示全部樓層
喔喔^^想請問一下您的業界經驗,因為畫的是vlsi 具有1000個邏輯閘、1000~1萬個元件,如此超大的電路畫layout view一定畫死人><. c5 m& V3 F% m4 N% G8 @
是不是習慣上 先建好各基本邏輯閘和電子元件的schematic,symbol,layout view,然後作到DRC,LVS check就好 並存在library,當要開始畫設計工程師交給你的schematic為其建layout view時 才叫出已建好的邏輯閘 來方便畫?: m" h! f% K7 C) A; q0 I5 ?1 [
而事先建好的電子元件和邏輯閘作到DRC,LVS check就可以了?
( r% Y6 M4 J  [9 t) M我的想法大略只有這樣畫vlsi電路才較快 不然會畫死人 不知畫到民國幾年@@0 G! z1 c( C6 i
還有公司裡的cell library裡應該有先前的layout engineer早先建好的元件才對吧?
* F! P# _6 ^. c
+ y$ s+ O8 l+ l+ e% S3 K[ 本帖最後由 君婷 於 2007-6-12 09:58 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2007-6-12 23:29:06 | 顯示全部樓層
很多公司仍用0.35um以上的製程嗎?因為我學的正好是0.35的,而您介紹的verylog等tools應該是屬semi custom中分類在programmable device這一類 的tools 如FPGA、PLC等這些IC設計軟體且會自動幫你佈局拉線  設計者只要會寫程式就好 是吧^^
6#
 樓主| 發表於 2007-10-22 23:38:53 | 顯示全部樓層
使用cadence tools學習至今 發生了一個很大的問題 即LVS的除錯訊息根本幾乎不太明白其所表達的意思,無法直接從訊息中直接了解 就是指電路那裡節點有誤。4 L% `1 i& g4 t0 r/ q) q
LVS的除錯訊息有教學網站嗎?因為小妹認為除錯花最多時間的地方乃在於LVS 而DRC本身就會顯示那裡的佈局不符合規局,所以小妹現在為了LVS的除錯能力很頭疼。
! S" V, q3 G9 J& J# s1 }+ @對於finster  副版主所提的LVS看法....
( z/ [, J# a8 ?6 U' j$ Y小妹覺得將netlist與layout作 LVS比對時,netlist因為之前跑過pri-sim所以netlist本身一定正確,LVS有錯誤訊息 一定是Layout部份有畫錯。- v- L! D- r( k6 u5 n7 }9 v1 ]
假設layout的晶體寬度與電路的寬度不同 所出現的錯誤訊息 應該是表示電路寬度與layout不符吧?
0 f8 u- x! r4 n而不是表示layout與電路寬度不符吧?  R) n' P. J8 h
不知小妹對LVS的想法是否正確? layout錯了 但除錯訊息卻都是表示netlist與layout不符 讓初學者以為是netlist錯了?, }  `2 a) F) T9 }/ r) ^: D# J
麻煩大大們提供LVS除錯經驗及是否有教學資訊     謝謝唷^^
7#
 樓主| 發表於 2007-10-23 15:18:49 | 顯示全部樓層
抱歉 我所用的是calibre   3 r9 P* v% k4 f4 E3 R
對於除錯訊息心裡的確認為不符部份 絕不會指netlist部份有誤,除非是後來schematic被修改過而忘了重轉一次netlist。8 ~* o% `' [' x5 u7 Y7 v
假設layout檢查出有17個net s和netlist 有16個nets6 g5 i* [! ~9 k8 h3 N3 I
就表示可能layout有某處開路 難到不會有可能是短路嗎?& G5 q$ |4 v/ L! x

# F9 F, V% q2 D1 T假設layout檢查出有16個net s和netlist 有17個nets  S& a9 w4 F3 m; V# w# e
表示可能layout有某處短路 難到不會有可能是開路嗎?
  _7 Y# Y; u, M3 x6 t0 V4 N$ [# F7 G1 B/ u9 P- C& U
想請教calibre有沒很直接的指明就是layout處那裡開路或短路以及很清楚的說明就是那個一個點?      謝謝唷><
% @  [+ A) m% }
; C. v; r! z/ ?5 ]. N小妹還想請教一下關於節點node在spice的定義,node指輸入端或輸出端的端點及2接腳以上連接在同一個點都算node吧...
0 Q- L0 Q( s* N7 b; d- U7 R  `/ K所以若2元件中有2接腳本來是連線在一起(只有一個node),若開路了 則在開路的2端也各算1個node於是變成2個node嗎? 謝謝
- F- z0 U+ C8 F9 b0 m  a3 r4 A1 [* e3 g5 [
[ 本帖最後由 君婷 於 2007-10-23 03:40 PM 編輯 ]
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