遇到一個疑問,請各位先進協助解答

ianme

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: T2 r/ T, m" G1 ~# o8 s) u我可以冒昧請問是哪間學校嗎?別無他意，但是想必你們少有Layout跟下線的經驗對吧?懸賞的金額有點低喔XD，不過我是存脆來交流交流順便交交朋友的，呵呵!目前是大學生一個....唉

7 d$ h. T/ B1 Y* [) T是TSMC 0.35um 2P4M嗎?他的substrate是P，PNP是由P substrate - N well - P disfftion 組成的，所以這樣就是PNP，實際上我們在Layout的過程當中，會有大圈小(知道說什麼吧?)三圈這樣構成，所以你自己想想，如果我要在0.35um 2P4M的製程裡面要怎麼做出NPN?根本就是不可能的事情!個人覺得這是常識喔!要懂得設計必須先要懂得元件特性跟製程，不然怎麼有可能設計出高級的電路出來?
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另外不知道你們要下什麼樣的?不然怎麼會需要用到那可憐到不行的PNP5跟10，那兩個真的是有跟沒有一樣，就不知道你們是研究什麼方面的才會需要用到這兩個呢?目前製程管制越來越嚴格，所以可以拿到BiCMOS的話就改用BiCOMS做吧。
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話說回來超缺乏model的，想跑個模擬卻苦無好的model，只能用那用到不能再用的.35

ianme

等下，一個歸一個探討，CMOS製程要怎麼樣在P substrate之下產生NPN?我覺得有些人觀念沒搞清楚，這根本就不可能，你在製造的時候根本就不是這樣的，這跟什麼latch up沒什麼關係，latch up是四層式架構，三層的bipolar要怎麼產生?

個人覺得元件特性要先搞清楚，P substrate要加上正電壓跟這些效應也沒什麼太大關係的。我建議不清楚的去翻翻元件的東西來看，bicmos的作法是不同的，他是水平軸，CMOS是垂直軸，這很簡單的一個問題，要回歸到原點探討，跟什麼效應沒友直接關係，那些根本就可以加上guardring就可以解決的!
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話說我都沒機會tapeout說，BJT畫法很簡單，就是三個同心的方形，線路腳接開，我想如果這方面有問題要從Layout的理論探討起，Layout是有理論基礎的，不是像小畫家一樣畫一畫喔!否則要達到最好的Layout是不太可能的。

ianme

昨天去詢問過老闆囉，我得到答案，.35是可以做NPN的，但是...注意，但是喔，你沒有model可以模擬，因為這不屬於正常的使用方式，一般的方式他才有辦法去給你一個參數來做為依據。並且這樣有可能你LVS之類的或是DRC會有問題??這可能要做看看才知道囉。
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方式就是在P substrate中，挖一個N well，然後在上面中間長一個P diffussion，並且在這上面再做一個N doped。這時候就會有個NPN了，問題在於你無法在事前知道他的特性大約範圍，所以可能要透過Layout那邊去做調整。

另外關於Latch-Up的問題的話，其實到也沒這麼嚴重，基本上要產生Latch-Up也不是這麼容易的，可以的話把Bipolar的貝塔值降低，不然就是降低內部阻抗，這邊指的是寄生出來的阻抗，有關於N well跟P substrate這邊。

& B$ z( C" H' W  u; D假設製程允許，其實可以畫guradring到這上面，理想的話用FOX，不然也可以使用N-去圍繞你整個N well。其實我個人是覺得大可不必拉，這問題在我看起來是覺得還OK，因為你的bulk其實是p+，這樣看起來的話從上到下這樣是五層結構，而且還必須要操作在兩者皆為特定區段的時候，基本上這樣的問題實際上根本沒有，因為你是垂直結構，Latch-Up他是水平斷面的，先天上就已經不同，何況要產生Latch-Up的條件在這裡理論上是沒有的，所以是還好。

' P! l" e! `% ^, h' r) f另外關於在參數模擬方面，可以看看技術手冊裡面有無提供單一層的參數，可以據此依照面積來推論有幾份，然後大約去算你大該有多少值，不然就是在Layout那邊去做調整。再回頭來修改模擬值。當然這是要在製程許可之下，個人建議直接打電話去CIC問個清楚。
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話說我也學了些東西說，觀念更清楚了XD。人家說教學互長就是這個意思囉^^

ianme

沒有model做simulation還可以透過post那邊去修正，未必就不能做了，個人確定是可以實現的，也希望我的回答wlyi0928能滿意^^，但是非必要不建議這樣做，麻煩，真的要下還要去註解之類的。
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學東西不分年齡喔，就看過五六十歲的人也回來上課說，只看身段放不放的下，做學問只有達者沒有長者。否則已年紀論可能我還要叫wlyi0928您一聲大哥@@，每個人缺乏的不同，互相求進步。

ianme

NPN是可以做的，也有人實際做過，實際看過有人做出來過!研究要實事求是，有什麼就說什麼，何況有些設計是很難更動成為PNP的!只要不要讓外加電壓打穿接面，距離靠近又如何?何況NPN的作法距離才會靠近，PNP的話反而更遠，這邊根本前後矛盾!
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9 ~$ F1 D( [0 Q% _$ Y! X5 b3 ~請詳細的研究一下製程怎麼做!今天就是本來有PNP 5跟10，樓主所問的問題點在於為何只能使用PNP而非NPN?對於研究生來說這類算是基本常識吧?有修過半導體物理的這邊應該都算還好。變通就是在製程標準之下還可以達到別人做不到的才叫變通。做不做的出來這是一個議題，好不好用還是怎樣的那是另外的問題，何況少量之下這樣的方式算是可以接受的，如果說整片上面都是這樣的東西那就要考慮去改用製程。
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  S# [  {' l- ?+ |1 b. W  L研究就是找出問題並想辦法解決，同樣都是設計，有人去投片成功，有人去投片失敗，我們的Fab就會說失敗的人就是不會設計，但是今天不一定是設計上有問題，可能設計上真的就是沒問題，但是製程變動率過高，之所以要徹底了解製程與model就是要去遷就它，唯有如此才真的能設計的出高水準的電路，若是Spice跑跑然後Lay一下然後萃取個參數再回去修改一下就OK的話那全天下都會設計了，還學什麼IC Design?順便再說一下關於substrate接電壓的問題這是屬於另外的議題，Bulk-Driven這邊的。CIC的講義裡面也有談到PNP跟NPN這些虛擬製程的問題。

2 z3 z* N2 W  j[ 本帖最後由 ianme 於 2007-6-1 12:34 AM 編輯 ]