Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 2933|回復: 9
打印 上一主題 下一主題

安森美半導體NCP1282獲中國《電子設計應用》雜誌“2006年度電源產品獎”

[複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2007-5-25 17:40:11 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
連續第4年獲此獎項突顯安森美半導體之電源管理解決方案領先地位

安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號:ONNN),今日宣佈其NCP1282控制器獲中國《電子設計應用》雜誌頒發電源控制類“2006年度電源產品獎”。此次是安森美半導體電源管理器件連續第4年獲《電子設計應用》頒最佳產品獎。

專家評委會指出:“我們選出安森美半導的NCP1282, 因為它是高壓主動式拑位控制IC的頂級作品, 也是下一代PC,伺服器電源的最佳控制。由於NCP1282可以帶來最小型的系統設計, 因此擁有最佳的功能價格比, 。採用NCP1282的設計的產品,擁有優良的效能表現以及低成本,並且帶來最低的輸出電壓漣波以及最佳的EMI處理能力。

NCP1282是專為要求高效率且元件數量少的ac-dc或dc-dc轉換器而設計的電壓模式控制器。控制器結合兩個同相輸出與重疊延遲,避免同時傳導並有助於和緩轉換。主要輸出在設計上是用來推動前向轉換一次端MOSFET,二次端輸出主要針對推動主動式拑位MOSFET、二次端的同步整流器或非對稱式半橋式電路。

NCP1282透過在關鍵規格,例如最高有效週期律限制,電壓過低偵測器和過電流臨界值等高精密度表現節省零件數並縮小系統尺寸,NCP1282的兩個特殊功能是和緩停止以及具備時間臨界值的週期跳脫電流限制。如果偵測到重大故障,和緩停止電路可以透過可控制方式來控管轉換器的電源,或是出現持續過電流情況跳週期偵測器將啟動和緩停止功能 。

安森美半導體汽車及電源管理產品部全球銷售及市場總監鄭兆雄說:“我們非常榮幸連續4年獲這電源產品獎。此獎項再次引證中國的客戶、媒體及業界專家充份肯定安森美半導體的電源管理解決方案。安森美半導體將不斷致力於開發創新技術為客戶提供高能效的解決方案。”

關於《電子設計應用》獎                                                                                                                          
《電子設計應用》是中國電子行業的主要刊物之一,在今年年初啟動了2006年度電源產品評獎程式。評審委員會由業內專家組成。與去年比較, 由於更多的競爭產品獲提名競逐, 故今年競爭尤為激烈。該雜誌由中國科學技術信息研究所和美國國際數據集團(IDG)聯合出版,並獨家擁有《日經電子》中文翻譯權。此雜誌側重技術,專注於產品設計和應用。
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂 踩 分享分享
2#
發表於 2007-9-19 10:31:39 | 只看該作者
安森美半導體NCP5810 雙輸出轉換器獲
«今日電子»“Top 10 DC-DC 2007”獎項


NCP5810是採用小巧封裝的高能效集成解決方案,提供正負輸出電壓,性能傲視同儕

2007年9月12日 – 全球領先的電源半導體解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)今日宣佈,其NCP5810的2 瓦(W)雙輸出直流-直流(DC-DC)轉換器榮獲《今日電子》(EPC)雜誌頒發的“Top 10 DC-DC 2007”獎項。這是安森美半導體連續第五年獲得EPC頒發這個獎項。

NCP5810包含1個升壓轉換器和1個逆變器,同時提供正負輸出電壓。它也是一款高能效的1.75 MHz脈寬調製(PWM)轉換器,專門針對有源矩陣發光二極體(有源矩陣OLED或AMOLED)面板的顯示驅動供電,為�定電壓應用進行了優化,用於可攜式應用的新興顯示技術,提供更多的色彩對比和視頻回播質量。

安森美半導體數位消費產品部亞太區行銷經理劉偉強(W.K. Liew)說:「安森美半導體連續第五年獲得此獎項,這充分地證明了我們的電源解決方案備受客戶、媒體和業界專業人士的認可。AMOLED面板是一種新興的可攜式應用顯示技術,而NCP5810為AMOLED電源提供了極大的優勢。我們非常高興這款器件已經被領先的顯示器製造商們選用於為超薄型可攜式多媒體設備中的AMOLED面板供電。」

NCP5810雙輸出DC-DC轉換器在1.75 MHz振盪器頻率下的整體電源能效高達85%,提供了業內最優異的性能。為了互補AMOLED顯示纖薄的外形,NCP5810能工作於1.75 MHz的高開關頻率,允許使用體積小巧的電感和陶瓷電容等外圍器件,NCP5810採用尺寸為3.0 mm x 3.0 mm的超薄型LLGA-12封裝,厚度僅為0.55 mm,非常適用於外形最纖薄的可攜式設備。此外,它在關機模式下的斷電功能將漏電顯示電流限制在1微安(μA),節省了關機狀態下的電池電能。NCP5810還具逐週期峰值電流限制和熱關機保護功能。

NCP5810採用超薄的3.0 mm x 3.0 mm x 0.55 mm LLGA-12封裝,每3,000片的批量單價為1.20美元。

關於《今日電子》的“Top 10 DC-DC”獎項
《今日電子》(EPC) 是在美國出版的Electronic Products雜誌的姊妹刊物,也是中國最權威的電子行業雜誌之一。EPC每年一度的“Top 10 DC-DC”獎項用於表彰優異的DC-DC電源產品,包括IC。EPC組建的專家小組通過嚴格的評估和推薦程序對提名的DC-DC產品進行評判,評審標準包括產品的創新設計、成本效益和技術突破等。

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
3#
 樓主| 發表於 2007-9-26 14:52:45 | 只看該作者

安森美半導體推出適合可攜設備電源穩壓應用的雙輸出、超高精度低壓差穩壓器

NCP590 在單個 2 mm x 2 mm x 0.9 mm DFN-8 封裝中提供雙路低壓差輸出, 是空間受限設計的高性能理想解決方案

2007 年 9 月 26 日 - 全球領先的電源半導體解決方案供應商安森美半導體 (ON Semiconductor ,美國納斯達克上市代號: ONNN) 推出極高精度的 NCP590 系列雙輸出 CMOS 低壓差 (LDO) 穩壓器。該系列元件採用超小、低高度的封裝,非常適合電池供電的消費性產品和微處理器控制的可攜應用,如手機、 PDA 、 GPS 和可攜式媒體播放器 (PMP) 。

NCP590 LDO 系列每路輸出能夠提供高達 300 毫安培 (mA) 的電流,結合了特別的製程與架構,能夠提供快速的客戶反應和極高的靈活性。 0.8V 到 5 V 的電壓範圍能夠配合客戶的不同需求。無論使用哪種類型的電容,或在無負載的狀況下, NCP590 都能穩定工作。 NCP590 的設定輸出電壓精度為 ±0.9% ,運作電壓輸入值可達 5.5 V ,能滿足高效能應用對於總體誤差餘裕度極為嚴苛的要求。這系列的超低壓差特性 (150 mV@Iout=300 mA) 和低接地電流功耗,能夠更長時間地維繫穩壓狀態並延長電池使用時間。這些性能特性結合 2 mm x 2 mm x 0.9 mm DFN-8 封裝,使 NCP590 系列非常適合所有電池供電消費類產品和微處理器控制的應用。

該系列元件具有兩個閾值低於 1 V 的啟動 (ENABLE) 針腳,增強靈活性,支持最新的專用積體電路 (ASIC) 晶片組和電源管理單元 (PMU) 平臺。 NCP590 提供短路、欠壓閉鎖和高溫過載等保護功能,是一款性能優異的理想解決方案。 NCP590 內部集成了補償穩壓器,故在瞬態情況下仍能維持精確的穩壓。在關閉時,內部主動放電電路會加快調整至的輸出反應。

NCP590 採用 DFN-8 封裝,每 10,000 片的批量單價為 0.37 美元。
4#
 樓主| 發表於 2007-10-8 16:19:08 | 只看該作者

安森美半導體榮獲 Samsung Electro-Mechanics2007 最佳供應商獎

2007 年 10 月 8 日 – 全球領先的電源半導體解決方案供應商安森美半導體 (ON Semiconductor , Nasdaq : ONNN) 獲得 Samsung Electro-Mechanics (SEM) 電源部頒發的“ 2007 最佳供應商”獎項。 SEM 是韓國領先的電子元器件製造商,也是世界主要的廠商。

這獎項表彰安森美半導體全球員工致力滿足 SEM 電源部在產品質量、技術、供應鏈和成本競爭力等方面深具挑戰性的要求和承擔,這些要求是 SEM 貫徹其液晶電視 (LCD TV) 、等離子電視 (PDP TV) 和開關電源 (SMPS) 電源解決方案的領先地位的關鍵。

這獎項也著重表明,安森美半導體包括脈寬調製 (PWM) 、直流 - 直流 (DC-DC) 、穩壓器、諧振 IC 和功率因數修正 (PFC) 在內的電源解決方案獲得了 SEM 電源部的廣泛認可和接受,並有助於 SEM 的傑出增長。

每年兩度的 SEM 電源部最佳供應商獎項頒於亞洲 ( 包括日本 ) 、美洲和歐洲的電子和半導體供應商中最佳的 7 間公司,安森美半導體是獲得此獎項的三家卓越半導體供應商之一。

安森美半導體亞太區銷售與營銷副總裁周永康表示:“我們非常榮幸獲得這項殊榮,我們的團隊達到這家重要客戶的極高標準和要求,為此我們倍感自豪。憑著我們業內領先的電源半導體技術和解決方案,我們期待著深化與 SEM 電源部的策略性關係。”

SEM 屬於韓國三星電子的成員公司,創立於 1973 年,如今已發展成為一家領先的電子部件和元器件製造商, 2006 年的銷售額達 32 億美元。
5#
 樓主| 發表於 2007-11-9 15:41:47 | 只看該作者

安森美半導體的NCP1605 PFC控制器榮獲《電子設計技術》最佳產品獎

2007年11月9日 –全球領先的電源半導體解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,Nasdaq:ONNN)今日宣佈,公司的NCP1605功率因數修正(PFC)控制器榮獲《電子設計技術》雜誌2007年度創新獎電源器件與模塊類別的最佳產品獎。

NCP1605 PFC是增強型高壓、高效能待機模式功率因數控制器,能夠工作在固定頻率非連續導電模式(DCM)和/或臨界導電模式(CRM)。這器件整合了構建功能強大的PFC段所需的全部特性。NCP1605能夠作為PFC主控端工作,以確保電源的第二段僅在安全條件下啟動。此外,它集成跳週期功能,將待機損耗降到最低。NCP1605有助開發出高效能電源, 應用於大功率交流(AC)適配器、桌上電腦、平板電視和工業等, 電源並符合新興的全球效能和功率因數標準。

安森美半導體汽車及電源管理產品部全球銷售及市場總監鄭兆雄說:“能獲這EDN China創新獎, 我們倍感榮幸,因為這獎是由工程師們投票的。得此獎項意味著工程社群非常接受安森美半導體的產品。這殊榮進一步肯定了安森美半導體為中國工程師所帶來的電源解決方案的價值。作為電源管理領域的業界領先供應商,我們致力於技術和解決方案創新。工程師們採用我們的解決方案,能構建效能更高的整體解決方案,並能縮短電源設計週期,符合世界各地的效能規範標準。”

NCP1605採用無鉛SOIC-16封裝,每1,000片的批量單價為1.07美元。

關於EDN China創新獎
EDN創新獎是半導體產業的一項極具聲望的評選活動,它起源於美國,至今已有17年的歷史。這獎項2005年被引入中國,已經成為中國電子設計社群的一項知名盛事。在專家提名的基礎上,這獎項由工程師通過網上投票來評選產生。
6#
發表於 2008-8-8 14:00:10 | 只看該作者
安森美半導體發佈2008年第2季業績
季收入5.627億美元


2008年第2季公司整體業績摘要:
·季收入5.627億美元
·經調整EBITDA1.337億美元
·公認會計原則毛利率為34.1%
·非公認會計原則毛利率為41.4%
·公認會計原則每股全面攤薄淨收入為0.11美元
·非公認會計原則每股全面攤薄淨收入為0.23美元
·發佈最終協議以全股交易收購Catalyst Semiconductor, Inc.

200888- 安森美半導體公司ON Semiconductor CorporationNasdaqONNN宣佈2008年第2季總收入為5.627億美元2008年第1季成長約33%2008年第2季,公司公認會計原則淨收入4,460萬美元,或按全面攤薄基準計每股0.11美元。2008年第2公認會計原則淨收入已計入特別項目扣除淨額5,050萬美元或按全面攤薄基準計每股0.12美元。附表闡述有關特別項目的細節。於2008年第1季,公司公認會計原則淨收入2,080萬美元,或按全面攤薄基準計每股0.07美元。

2008年第2季非公認會計原則淨收入為9,510萬美元,或按全面攤薄基準計每股0.23美元。2008年第1季非公認會計原則淨收入為6,540萬美元,或按全面攤薄基準計每股0.21美元。這些非公認會計原則的財務指標,與公司根據美國公認會計原則編制最直接可比指標的對賬,已載於附表及本公司網站(www.onsemi.com)。

以混合調整基礎計算,2008年第2季的平均售價比2008年第1季下降約2%。公司第2季的總體毛利率為34.1%,而第2季的非公認會計原則總體毛利率為41.4%。第2公認會計原則毛利率包含淨額約4,110萬美元,或以特別項目計730個基點。有關特別項目的細節詳見附表。按非公認會計原則財務指標的非公認會計原則毛利率,與根據美國公認會計原則編制的毛利率的對賬已載於附表。

2008年第2季經調整EBITDA 1.337億美元。2008年第1季經調整EBITDA 9,720萬美元。此非公認會計原則的財務指標,與公司根據美國公認會計原則編制的淨收入及來自經營活動的淨現金的對帳載於附表。

安森美半導體總裁兼執行長Keith Jackson:「我很開心宣佈公司2008年第2季收入,及經調整EBITDA均創下紀錄
整合AMIS Holdings, Inc.以及來自Analog Devices的中央處理器電壓及熱監控產品部都進展順利,並使安森美半導體穩居類比及電源管理領域的領導地位。於717日宣佈收購Catalyst Semiconductor, Inc.的最終協議預期將於2008年第4季完成。所有我們近期完成及宣佈的收購,都能不斷加強我們與市場領導客戶的關係及產業地位。我們相信,充分利用安森美半導體的世界級營運能力及供應鏈,這些收購行動將使安森美半導體持續為股東、客戶及員工增值。



2008年第3季度展望
Keith Jackson又表示根據我們的產品訂貨趨勢、未交貨的訂單水準、製造服務收入及預計的周轉水準,我們預期2008年第3季的總收入約為5.70億至5.85億美元。2008年第3季初的未交貨定單水準較2008年第2季初有所上升,相當於我們預期2008年第3季收入的90%以上。我們預期2008年第3季的平均售價將持續下降約2%。下表概要列出我們2008年第3季度公認會計原則及非公認會計原則展望。

安森美半導體2008年第3季度業務展望


公認會計原則特別項目*非公認會計原則***
收入5.70億至5.85億美元5.70億至5.85億美元
毛利率37.5%38.5%2,300萬美元41.5%42.5%
經營開支1.50億至1.56億美元2,000萬元1.30億美元至1.36億美元
其他開支1,000萬美元1,000萬美元
稅項300400萬美元100200萬美元200萬美元
全面攤薄股份**4.10
4.10


*特別項目包括:以股份為基礎的補償開支、重組、資產減值及其它,評估建立存貨公平市值開支、無形資產攤銷及所得稅調整至現金稅項約數。

**全面攤薄股份可因(其中包括)實際行使購股權或受限制股份、因公司全部可換股優先後償票據而發行的遞增具攤薄性股份,以及回購或發行證券或銷售庫存股份而變化。請參閱公司網站上的列表,以瞭解全面攤薄股份的可能變動。

*** 規定G及證券法的其他條例規定未根據公認會計原則編制財務指標的使用。我們認為,這些非公認會計原則指標為投資者提供了重要的補充資料。我們使用這些指標,連同公認會計原則指標用於內部管理目的,及作為評估期間與期間比較的方法。然而,我們不會,以及您不應該只依賴非公認會計原則指標作為衡量我們業績的指標。我們認為,非公認會計原則指標提供了審視我們業績的另外一個角度-當與公認會計原則業績合併起來及與相應公認會計原則指標(我們在新聞稿中亦將提供)進行對帳-能使您更加完整理解影響我們業務的因素及趨勢。由於非公認會計原則的財務指標並非標準化,即使他們的名稱相似,惟無法將這些財務指標與其他公司的非公認會計原則財務指標比較。所以應投資者及研究者的要求,我們擬於相關期間的盈利發佈中加入此非公認會計原則表格及指標。





[ 本帖最後由 heavy91 於 2008-8-8 02:04 PM 編輯 ]
7#
發表於 2008-10-31 17:58:46 | 只看該作者
安森美半導體發佈2008年第3季業績

破記錄季收入5.815億美元


2008年第3季公司整體業績摘要:
·破記錄季收益5.815億美元
·破記錄經調整EBITDA 1.409億美元
·破記錄現金及現金等值4.179億美元
·公認會認原則毛利率為38.1%
·非公認會計原則毛利率為41.5%
·公認會計原則每股全面攤薄淨收入為0.15美元
·非公認會計原則每股全面攤薄淨收入為0.25美元
·於此季結束後完成以全股份交易收購Catalyst Semiconductor

20081031
安森美半導體公司(ON Semiconductor Corporation NasdaqONNN宣佈,2008年第3季的總收入為5.815億美元,比2008年第2季增長約3%2008年第3季,公司公認會計原則淨收入為6,120萬美元,或按全面攤薄基準計每股0.15美元。2008年第3季公認會計原則淨收入已計入特別項目扣除淨額3,920萬美元,或按全面攤薄基準計每股0.10美元。有關特別項目的詳情載於附表。於2008年第2季,公司公計會計原則淨收入4,460萬美元,或按全面攤薄基準計每股0.11美元。

2008年第3季的非公認會計原則淨收入為1.004億美元,或按全面攤薄基準計每股0.25美元。2008年第2季的非公計會計原則淨收入為9,510萬美元,或按全面攤薄基準計每股0.23美元。此等非公認會計原則的財務指標(及本公佈內所用其他非公認會計原則指標,例如非公認會計原則毛利率及經調整EBITA)與公司根據美國公認會計原則編制的最直接可比指標的對賬,已載於附表及本公司網站(www.onsemi.com)

以混合調整基礎計算,2008年第3季的平均售價比2008年第2季度下降約2%。公司第3季的毛利率為38.1%,而第3季的非公認會計原則毛利率為41.5%。第3季公認會計原則毛利率已計入特別項目扣除淨額約1,950萬美元或約340個基點。有關特別項目的詳情載於附表。

2008年第3季經調整EBITDA 1.409億美元。 2008年第2季經調整EBITDA1.337億美元。

安森美半導體總裁兼執行長克信(Keith Jackson):「我們於本季在收入及經調整EBITDA方面再次獲理想業績,公司現金及現金等值由約9,700萬美元升至約4.18億美元。我們亦於20081010日完成收購Catalyst Semiconductor。我們相信Catalyst的業務將可令收入遞增及現金流上升,並可從公司的生產能力、供應鏈、廣泛銷售管道及強健客戶關係中受益。於本季最後一個月,我們已感受到當前經濟風暴及全球信貸緊縮對公司業務的影響。我們的客戶對其業務前景亦更趨審慎,因此公司調整了有關預測。鑒於宏觀經濟尚不明朗,我們仍會致力於繼續執行製造及營運成本削減措施以及嚴格控制資本開支以取得強勁的現金流。」

2008年第4季展望
克信說:「根據我們的產品訂貨趨勢、未交貨的定單水平、製造服務收入及預計的周轉水平,我們預期2008年第4季的總收入將約為5.00億至5.50億美元。最近數周,美元大幅升值。該匯率變動相應對我們收入產生負面影響,連續幅度約1,000萬美元或約2%,並已計入我們的整體收益指引中。 2008年第4季初的未交貨定單水平較2008年第3季初有所下降,相當於我們預期2008年第4季收入的95%以上。我們預期2008年第4季的平均售價將連續地下降約2%。下表概要列出我們2008年第4季公認會計原則及非公認會計原則展望。」

安森美半導體2008年第4季業務展望

公認會計原則特別項目*非公認會計原則***
收入5.00億至5.50億美元
5.00億至5.50億美元
毛利率37.0%38.0%1,300萬美元39.5%40.5%
經營開支1.60億至1.64億美元3,000萬美元1.30億至1.34億美元
其他開支1,000萬至1,100萬美元
1,000萬至1,100萬美元
稅項300萬至500萬美元50萬至150萬美元250萬至350萬美元
全面攤薄股份**
4.15
4.15


*特別項目包括:以股份為基礎的補償開支、重組、資產減值及其它,淨額、與Catalyst Semiconductor收購相關的進行中研發活動、評估建立存貨公平市值開支、無形資產攤銷及所得稅調整至現金稅項約數。

**全面攤薄股份可因(其中包括)實際行使購股權或受限制股份、因公司全部可換股優先後償票據而發行的遞增具攤薄性股份以及回購或發行證券或銷售庫存股份而變化。請參閱公司網站上的列表,以瞭解全面攤薄股份的可能變動。

*** 規例G及證券法的其他條例規管未根據公認會計原則編制的財務指標的使用。我們認為,這些非公認會計原則指標為投資者提供了重要的補充資料。我們使用這些指標,連同公認會計原則指標用於內部管理目的及作為評估期間與期間比較的方法。然而,我們不會以及  閣下不應當僅依賴非公認會計原則指標作為衡量我們業績的指標。我們認為,非公認會計原則指標提供了審視我們業績的另外一個視角-當與公認會計原則業績合併起來及與相應公認會計原則指標(我們在新聞稿中亦有提供)進行對帳-能使 閣下更加完整的理解影響我們業務的因素及趨勢。由於非公認會計原則的財務指標並非標準化,即使他們的名稱相似,亦可能無法將這些財務指標與其他公司的非公認會計原則財務指標比較。故此應投資者及研究人士的要求,我們擬於相關期間的盈利發佈中包括此非公認會計原則表格及指標。

[ 本帖最後由 heavy91 於 2008-11-4 03:19 PM 編輯 ]
8#
發表於 2008-11-4 15:17:21 | 只看該作者
安森美半導體專家在靜電放電防護技術研討會作主題報告
分享ESD防護的先進技術
透過資源配置和先進的技術有效防護ESD
2008114全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商安森美半導體(ON SemiconductorNasdaqONNN)今日在第七屆靜電放電防護技術研討會上,針對如何防止靜電放電(Electrostatic DischargeESD) 所帶來的損失,從元件、製造和系統三個層級的技術面加以探討,為業界提供實質建議。要有效降低ESD所帶來的損害,除了可選擇在製程中直接控制ESD之外,也可以在電子元件中加強抵抗ESD的裝置。安森美半導體長期投入於研發ESD防護技術,透過先進ESD防護技術和完整的產品系列,使電子元件具備優異的電路保護性能。

ESD是整個電子產業共同面臨的問題影響相當廣泛,包括生產、組裝、測試、以及搬運等每個環節都會受到ESD的影響,靜電往往會累積在人體、儀器和儲放設備當中,甚至電子元件本身也會累積靜電。因此所有IC都必須透過測試來檢驗是否能使元件免於受到ESD的損害,這些測試標準包括人體放電靜電模式 (Human Body ModelHBM)、機器放電模式 (Machine ModelMM),以及與IC封裝大小關係密切的元件充電模式 (Charged Device ModelCDM)

安森美半導體ESD離散產品部的資深專家Robert Ashton博士,在今日的靜電放電防護技術研討會中,特別針對如何配置資源以防護ESD發表演說。Robert Ashton認為,ESD的影響廣泛,但不代表必須針對製造與設計流程均勻分配資源來防範ESD的影響。事實上在元件層級的ESD防護上,耗費過多資源只為使IC通過HBMCDM測試標準,並非明智之舉,尤其是業界應進一步探究CDM與元件封裝尺寸之間的關係。而在製造領域,廠商應隨時提高警覺並改進元件的輸送傳遞Charged Board Event (CBE) 事件測試,可作為一個實用的測試工具,但不應發展成IC品管測試。

在系統層級的ESD防護上,Robert Ashton強調從產品著手的重要性,他認為:「ESD的控制對可攜式產品來說,是必需品,不是選項,業者必須投入更多努力,讓電子元件更具備抵抗ESD的條件。目前最受國際間多數國家認同的靜電測試規範是 IEC 61000-4-2,國際組織ESDA(靜電放電防護工程學會)著手推展和這個測試規範相關的工作,我們期待能儘快看到成熟且穩定一貫的測試方案。

Robert Ashton表示:「IC設計人員應努力為系統開發完善的ESD防護機制,最重要的是當我們在探討究竟應配置更多的資源於ESD控制,或是設法讓電子元件和系統更能抵擋ESD時,必須同時針對成本、技術以及客戶本身的需求進行全盤考量。」

安森美半導體在ESD防護技術上已耕耘多年,陸續開發出先進且完整的產品系列,例如領先業界的ESD7L5.0DNUP4212,能夠將15千伏(kV)的輸入ESD波形在數豪微秒(ns)內使鉗位低於7(V),提供最高水準的保護;而NUP4016ESD11L5.0D用於可攜式裝置高速數據線路保護,採用獲得專利的先進整合ESD保護平台,在增強鉗位性能的同時,還能維持超低電容和極小裸片尺寸。安森美半導體的ESD保護元件系列持續領先業界,不但因應客戶需求而設計,而且沒有無源技術的磨損問題,所以即使經過ESD的多次電壓突波(surge),其可靠性與性能仍不受影響。
9#
發表於 2008-12-2 13:05:19 | 只看該作者
安森美半導體任命林劍銘為大中華區銷售副總裁

2008122 - 全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商安森美半導體(ON SemiconductorNasdaqONNN)任命林劍銘為安森美半導體包括中國大陸、香港和臺灣地區在內的大中華區銷售副總裁。林劍銘先前擔任安森美半導體中國區銷售副總裁,成功領導公司在中國大陸的銷售業務,遂值這次拓展他的職責範圍。

林劍銘自2005年任職安森美半導體以來,在幫助公司實現在中國大陸重要本土客戶的銷售成長及設計勝出上,以及與中國市場領導者共同建立聯合電源實驗室等方面,居功厥偉。

安森美半導體亞太區銷售副總裁周永康說:「安森美半導體一向致力於建構一流的銷售管理能力,此次林劍銘先生的任命正好反映了我們在這方面的不懈努力。隨著大中華區經濟日趨整合,我們期望林劍銘能夠沿續他的良好業績,實現我們在這個區域的成長計劃,並提高客戶及業界對我們的認同,貫徹我們作為高效能產品和解決方案領先供應商的地位。」

林劍銘擁有22年以上的資訊科技和半導體從業經驗,出任過銷售、行銷、全球客戶管理、業務拓展和工程等不同的工作。他在加入安森美半導體之前,先後擔任艾睿電子的東協及印度區副總裁以及中國大客戶副總裁。在艾睿電子之前,他先後擔任過戴爾電腦的新加坡及汶萊公司總經理和亞洲區大型企業客戶業務部總監。他也曾經當過ECS Computers的副總經理。
10#
發表於 2008-12-4 13:57:10 | 只看該作者

安森美半導體為DDR3記憶體模組應用 推出整合EEPROM的溫度傳感器

CAT34TS02為DDR3應用提供簡單及節省空間的解決方案

2008年12月4日 – 全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,Nasdaq:ONNN)推出來自近期收購Catalyst半導體而得的溫度傳感器新產品線的第二款產品——CAT34TS02。這款新元件結合了12位(另加標記位)數位輸出溫度傳感器和     2千位元組(Kb)串行存在檢測(SPD)電子可讀寫可編程唯讀記憶體(EEPROM),用於高速個人電腦(PC)和膝上型電腦、顯示卡、伺服器、電訊設備和基站、環境控制系統及工業處理控制設備中的第三代雙倍數據率(DDR3)應用。

CAT34TS02符合電子元件工業聯合會(JEDEC)的JC42.4規範,在3.0至3.6伏(V)元件電源電壓範圍75°C至95°C和+20°C至+100°C工作溫度範圍時分別提供±1°C和±3°C的溫度傳感精度。它能夠每秒測量和記錄系統溫度近10次,並將相關讀數與內部記憶體寄存器中存儲的3個觸發限制值進行比較。主系統能夠通過I2C/SMBus介面檢索讀數,而開漏事件針腳會發出高出限制值或低於限制值條件的訊號。

對於通用溫度傳感器應用而言,將溫度傳感器與非揮發性EEPROM整合在一起,消除了使用外部記憶體來儲存傳感器和閾值配置資訊的需要。此外,CAT34TS02的非揮發性記憶體在上電時會保留定制配置傳感器和閾值,從而提供簡單、節省空間和高成本效益的解決方案。

整合的2 Kb SPD EEPROM內部組織為16頁,每頁16位元組,總計256位組。這EEPROM具有16位組頁寫緩衝,支援標準(100 kHz)和快速(400 kHz) I2C協定,並具備所有DDR3雙列直插記憶體模組(DIMM)定義為標準的永久及可逆軟體防寫功能。
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-15 12:13 AM , Processed in 0.146519 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表