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安森美半導體功率分立產品資深總監兼總經理John Trice說:「全球能耗的大幅增加及預計對經濟及環境的不利影響,持續推動針對更高性能功率分立元件的需求。這些新一代元件在提供高性價比及業界領先能效的同時無損其強固性。安森美半導體專有的溝槽型場截止技術能為工程師在應用其電源系統設計時提供更豐富的選擇。」 S9 O) B0 v S$ W' k+ x, p
1 q8 L. u( s, s! O% F第一組新IGBT是NGTB40N120FLWG、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。這些產品採用強固及高性價比的溝槽型技術結構,為高頻開關應用提供優異的性能。低開關損耗及超快恢復二極體使它們非常適合於高頻太陽能、UPS及逆變焊機應用。這些元件分別擁有40 A、25 A及15 A的額定集電極電流(IC)。三款元件均經過高度最佳化,用於頻率在10千赫茲(kHz)至40 kHz的開關應用,提供低導通電壓(VCEsat)及低門電荷(Qg)特性,並具備超快恢復能力,提供極低開關損耗,以保持低功率耗散。這些新IGBT元件都提供−55 °C至+150 °C的工作結溫。
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第二組新元件也拓寬了安森美半導體的溝槽型場截止IGBT元件陣容,將產品額定電流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWG 及NGTB40N120LWG提供低Vcesat及強固的短路特性,帶有快速恢復二極體,用於低頻(2 – 20 kHz)硬開關應用,如馬達控制變頻應用。與這兩款元件相輔相成的是NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG及NGTB30N120IHSWG,這些元件具有均衡的開關及導電損耗,用於中等工作頻率(15 – 30 kHz)的電磁感應加熱及其它軟開關應用,如電鍋、電飯煲及微波爐等電器。 ; `; ?/ j9 \ L% M U& `' { f
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封裝及價格( N8 C! ^' L" Q
6 B. e4 G _; N9 `4 JNGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均採用緊湊的無鉛TO-247封裝,每批量10,000片的單價分別為2.00、2.50、4.00、2.50、2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。 |
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