技術大突破 宏憶國際發了

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宏憶國際(3079)去年第一季至第三季每股獲利分別為，0.26元 0.4元及0.83元，預估第四季的獲利應不會比第三季差，今年度在新技術的發酵及Vista刺激下，營運獲利表現將會更上一層樓

文╱《投資情報周刊》

目前大盤月K線位置在7680至7700點之間、季線在7760點附近，然而未來月線將有可能突破季線，屆時月線將呈上揚，估計近期內，指數若挺穩7700點之上，月線可突破季線呈黃金交叉，此將有利盤面正面表現；本周各上市櫃公司的三月營收將陸續公佈，配合技術面及基本面表現，可逢低撿選具備業績題材個股操作。
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" T3 j, O- p* Q2 J# L8 F模組升級+手機Flash 兩大利多

預期電子產業第二季至第三季強勁基本面成長的支撐下，大盤往下空間將非常有限，且科技類股價活潑，反彈空間往往比其他類股更大，空手投資人可等待大盤隨著時間呈現量縮打底後，科技類股買點可望浮現。

' j; Q- U# \. l) Z0 i( d" V根據全球半導體貿易統計組織WSTS最新的報告表示，今年半導體景氣將較先前預估樂觀。推動全球半導體銷售值成長的主要動力，是微軟新作業系統Vista與3G手機。WSTS預估今年全球半導體銷售值成長率為8.6%，較去年之8.5%還高。而明年將是本次景氣循環的高峰，年成長率將達12%。
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今年1月Windows Vista上市之後，對硬體的要求較Windows XP為高，除了64位元雙核心的CPU將成為市場主流之外，Vista炫麗的3D顯示，其所需知會圖晶片規格為PCI-E，同時需要能符合DirectX9以上的規格，將有助於推升高階CPU與DRAM模組的需求。

( p" s0 X/ g, v而本周所分析的宏憶國際(3079)即為其中一家受惠者，基本面相當看好，而且公司本身也有相當特殊的DRAM相關專利技術，比其他DRAM廠商更有競爭力。
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3 l4 i& c1 m3 k' q模組廠四月營收再攀高
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+ x. B+ j( C3 O" m+ VWindows Vista上市，除新機DRAM內建模組將由1G起跳，同時將刺激消費者購買DRAM模組自行升級。另Vista的Ready Boost功能讓消費者可以將隨身碟當成電腦的記憶體使用，增進Vista效能，將消耗大量的Flash。
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另外Apple的iPhone與各廠陸續推出音樂手機，預估今年音樂手機出貨將超過8,000萬隻，也將消耗大量的Flash。根據集邦科技(DRAMeXchange)的報告指出，手機應用將佔Nand Flash整體市場比重由去年的19.8%，上升至今年28.5%，成為Nand Flash最大的終端應用產品。明年1GB的手機用小型記憶卡將成為After Market的主流容量。預估明年全球手機市場對Nand Flash的需求將成長285%。
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日前NAND型快閃記憶體和DRAM雙雙傳出喜訊，不但8Gb容量的NAND型Flash現貨價再度大漲，一舉超越9美元的價格，在DRAM報價上，512Mb容量的DDRII 大漲至2.91美元，使記憶體模組廠近期的營運再創新高峰！在DRAM庫存漲價的效應下，加上NAND型Flash產業持續火紅下，模組廠4月營收更將再度攀高。

今年第一季DRAM廠除了靠良率提升外，投片量並沒有大幅增加，因此產出貢獻相當有限。第二季有機會量產的新廠，也只有華亞科第二座12吋晶圓廠。因此下游對DRAM的需求仍相當強勁，由廠商生產成本推算，只要售價在5.5 美元以上，毛利率即有機會超過50%。由於新開產能有限，第一季供應仍相當吃緊，報價在上半年仍將維持高檔。
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記憶體模組量產技術大突破

, D, ~8 C! \  j- H6 e# B5 dDDR II於去年下半年起，隨著英特爾965/975及矽統656等晶片組陸續推出，市場需求明顯增加。宏億順勢推出嵌入式記憶體模組，新產品效益已經於去年逐漸顯現，可望在今年度更上一層樓，有助於推升整體業績表現。
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! |# r- z8 N, j( O. T記憶體模組均以SMT生產製造，所有零組件包括記憶體IC在SMT製程中，於表面黏著後，須經過260℃以上高溫的迴焊爐，由於記憶體IC在高溫下，容易受損，極可能會降低模組生產良率，不良品需更換記憶體IC等，維修工作較困難。DDR II均以BGA方式封裝，在更換IC時須經過加熱、除錫、植球、定位上板等繁雜製程，不僅損失記憶體 IC，又浪費測試與維修時間及人工成本。

有鑑於此，宏億研發出一種創新的「嵌入式記憶體模組」 (Removable DRAM Memory Module)，使記憶體模組在SMT生產製程中，記憶體IC不須經過高溫迴焊爐，可減少記憶體IC被破壞，維修不良品時，僅須將不良IC直接取下，再將更換IC直接置入嵌入座即維修完成，完全克服BGA IC維修困擾，大大縮短維修時間及降低人工成本。
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- \) J; w# E% _  y  M' R' Q6 z. b- {另外，記憶體IC並無黏著於PCB上，減少錫膏使用，符合環保 (RoHS)要求，產品已取得DRAM大廠認證，且申請多國專利，是記憶體模組量產技術上的大突破，這技術使宏憶生產成本大幅降低，提升獲利表現。

3 N) ~# ^! p0 d- C基本面後市看好

: ~  w0 t, m% f宏億為DRAM後段製程廠商，業務中有一大部分為DRAM封測加工後之買賣業務，獲利相對於一般模組廠商為穩定，公司革命性新產品-嵌入式記憶體模組，具有提升良率、維修與升級方便並具有成本上之優勢等，頗具市場潛力。

觀察該公司基本面，去年每季的表現漸入佳境，前第三季每股獲利分別為0.26元、0.4元及0.83元，估計第四季的獲利也是0.83元，整年每股稅前盈餘將會達到2.32元，以股價33元計算，假設全部配現金，推估殖利率可達到5至7%，ㄧ點都不輸其他傳統的高殖利標的，值得多加留意。