英飛凌推出全球第一個矽晶低雜訊放大器

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適合UMTS/HSxPA和WLAN之應用，其效能超過GaAs
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& T: c3 N9 }0 U; t8 f(台北訊) – 2007年2月15日 - 英飛凌科技公司(Infineon Technologies)是全球第一家推出商用矽晶低雜訊放大器(low noise amplifier, LNA)產品之半導體供應商，和現今昂貴的Gallium Arsenide(GaAs)產品相較，該產品能夠提供更佳之效能價格比，同時亦符合行動電話3GPP之規定。在巴塞隆納舉行之3GSM World Congress 2007中，英飛凌宣佈供應最新之低雜訊放大器：BGA700L16和BGA734L16，它們結合了英飛凌獨家的矽鍺碳(Silicon Germanium carbon, SiGe:C)製程和低電阻晶片接地之特性。採用這樣的結合，可獲得同等級低雜訊放大器中最佳之雜訊水準。BGA700L16是一個雙頻道低雜訊放大器，適用於無線區域網路(Wireless LAN, WLAN)系統中，而開發三頻道的低雜訊放大器BGA734L16則是適用於UNTA或HSxPA之應用。

設計無線產品之RF電路所面對的主要挑戰之一，是要將靈敏度、網路之涵蓋面、以及數據傳輸率做最佳化的處理，主要的決定因素是接收器之雜訊水準。傳統上，RF和微波系統之設計者必須採用更昂貴的GaAs低雜訊放大器，這是由於以往矽晶效能的限制之故。在過去的十年，有許多的科技出版品在敘述具成本效益之矽晶製程可能在效益上是GaAs之對手。目前英飛凌是第一家證明這個方法的半導體公司，它推出了一個商用矽晶產品，其效能要超過GaAs。此外，全新之矽鍺碳(SiGe:C)製程更具能源效率，更容易和其他晶片功能進行整合。
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英飛凌科技公司產品行銷部資深總監Michael Mauer表示：「英飛凌推出此全新等級之LNA之後，再次展現在RF技術上的領導地位。我們已經在產業界設定了新的標竿，為下一代的無線應用形成更高的效能和加長的電池壽命，其中包括UNTS、HSxPA或WLAN產品。」
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/ x: x: K5 d9 LBGA734L16和BGA700L16之技術特性

BGA734L16是一個用在3G應用的高度整合低雜訊放大器。為了能降低設計的複雜性，並將成本降至最低，這個RF裝置整合了三個放大器在單一晶片上，包括800、1,900、和2,100MHz手機頻道。BGA734L16具有超低雜訊數據，在2,100MHz頻道時只有1.2dB。本晶片還具備更多的功能，包括一個溫度穩定電路、1KV ESD之保護、以及一個輸出匹配網路(50Ω)。BGA734L16亦擁有增益控制功能，在高水平的干擾環境之中，涵蓋更寬的範圍以及更好的系統效能。此外，經過控制後的增益，能夠延長電池的壽命。

BGA700L16是一個特別為無線區域網路(802.11/a/b/g/n)應用而設計的低雜訊放大器。該晶片整合了一個2.45GHz單級放大器和一個兩級放大器，以符合4.9至5.95GHz頻道的需求。BGA700L16的雜訊水平在5.5GHz時只有1.3dB。該晶片的其它功能特性包括了內部匹配之輸入和輸出、關機模式、以及溫度穩定。
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: _+ w) I- ]) R3 s2 [5 x! E供貨狀況，封裝和價格

目前已經開始供應這些全新低雜訊放大器之樣品，於2007年4月開始量產。售價將從US$0.80起(BGA700L16)以及US$1.20起(BGA734L16)，這是訂購10,000片的量。此兩種晶片均採用TSLP(Tiny Small Leadless Package)-16封裝，其尺寸僅2.3mm X 2.3mm X 0.39mm，非常適合低高度的多媒體電話以及高度整合的WLAN模組。