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英飛凌與美光合作開發下一代HD - SIM卡數據存儲解決方案,共同將HD-SIM卡容量提高至128MB以上 # l4 r& Z1 L! q9 y6 ?, K2 k
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- M0 K1 j& T m5 Z* d5 ?/ \【2008 年11月5日台北訊】晶片卡IC全球領導製造廠商英飛凌科技(FSE,NYSE:IFX)與世界領先高階記憶體供應廠商美光科技(NYSE:MU)今日宣佈一項共同開發容量高達128MB以上高密度SIM卡的策略性技術合作方案。
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採用高密度 ~" m6 T, Z; l
HD SIM卡不但可提升電信業者的處理效能,更能提供更高容量儲存與更佳品質的服務。結合高密度與安全性功能,讓電信業者能推出更多圖像化、附加價值更高的服務,例如行動銀行與非接觸式行動購票等。此外,電信業者也可確保手機透過無線網路直接更新或刪除應用程式,以及在任何時間下載新的應用、服務或設定至HD-SIM卡,以維持快速的產品面市時程。然而功能的提升也意味著SIM卡的儲存解決方案也必須跟著升級,以更快的運算和通信速度,以及更高的儲存容量,以滿足這些應用程式的需求。
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. \9 i: D& A; ]' t d' N為了因應上述需求,英飛凌和美光將共同開發一項創新的高密度SIM卡解決方案。兩家公司透過技術上的緊密合作,運用彼此的領域專長,結合英飛凌的安全微控制器與美光專為HD-SIM應用而設計的創新NAND快閃記憶體,設計出模組化晶片。美光亦將採50奈米與34奈米製程技術製造該NAND記憶體。這項合作開發的成果將應用於HD-SIM卡,一舉將SIM卡容量上推至128MB以上,並且提供了多項新功能,包括:
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密度:串接的NAND快閃記憶體提供128MB以上容量HD-SIM卡最具成本效益的解決方案。" x1 e$ T, B6 j! g+ t+ p) O
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. u( V/ V8 o g. D$ U2 z- @& KECC(錯誤校正碼)電路:內建於美光NAND快閃記憶體8 {4 C( _* h; Z; D
,得以免除來自HD-SIM微控制器資料錯誤校正的影響,簡化整體安全設計。
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. A$ ?5 X- K: T優越的電源管理功能 (Superior Power Management):設計符合ETSI (歐洲電信標準協會) 規範,英飛凌/美光合作開發的HD-SIM解決方案,其操作電壓範圍從1.8V到3.3V,並且符合ETSI建議的低操作電流規範。
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易於轉移:該安全微控制器的概念包括優化與具成本效益封裝解決方案,可輕易在NOR與NAND技術之間切換轉移,因其採用相容的應用程式協定介面 (API) ,以及相關軟體堆疊。專為現有SIM卡設計的作業系統,亦能輕易被重複使用。1 [- Z0 Q8 k9 r, `0 Q
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美光科技行銷資深總監 Bill Lauer3 \) Y5 ~ R7 c, @
表示:「市場對於高容量與多元應用的渴求,驅使通信產業進入下一個紀元。而美光科技素以世界一流技術與 NAND 研發實力著稱,我們不斷致力於投入開發各式策略性、通用模式的儲存解決方案。我們與英飛凌科技共同開發的 HD-SIM 解決方案,提供前所未有容量密度,而我們相信這項技術必將為行動通信市場帶來更新與令人振奮的應用服務。」
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英飛凌科技晶片卡與安全事業群副總裁暨總經理$ r/ S, z. \" s
Dr. Helmut Gassel博士表示:「英飛凌為未來的SIM卡發展找到了新定位:不僅能作為儲存大量的影音內容之用,甚至可望取代快閃記憶卡。英飛凌致力於開發規格更為完整的HD-SIM卡產品系列組合,容量涵蓋從數 MB 到 2GB,提供客戶所需各個等級的效能與安全性需求。我們的客戶,不論是晶片卡製造廠商或行動電信業者,都能從我們的智慧型 HD-SIM 微控制晶片系列獲益,包括可在 NOR 與 NARD 技術之間輕鬆轉換,減少研發支出經費,降低HD-SIM平台的相容門檻。提供客戶在新興的 HD-SIM 市場中,擁有高度的營運彈性,對於各種應用模式快速做出因應。」
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4 o( d0 {3 r3 Y產品原型預計在
5 {1 F$ T) W% g6 ?2 A$ i; l2009年秋季問世,將採用裸晶片或經濟型晶片卡 IC 封裝形式銷售。 |
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