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理想的數位家庭劇院合理預算?

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發表於 2011-10-1 09:59:17 | 顯示全部樓層

ADI 的音訊/視訊前端讓家庭劇院設計具有劇院級音質與畫質

ADI 的 ADV 7850完整 AV 前端讓設計廠商能夠在需要 THX Media Director™、HDMI 以及3D 支援的家庭娛樂應用當中提供高階 AV 的諸項特點。 - W, N6 z1 n! ]8 y- u/ s( o* y7 r# n
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台北2011年9月28日電 /美通社亞洲/ -- Analog Devices, Inc. (ADI)美商亞德諾公司今天發表一款高度整合型 AV(音訊/視訊)前端,適用於需要優越影音處理能力以及支援3D 顯示解析度的 HDMIR(高解析度多媒體介面)規格1.4版的家庭劇院設計。ADI 的 ADV 7850完整 AV 前端 乃是為了改善先進 HD(高解析度)系統(包括 HDTV、AV 接收器、視訊切換器與投影機等)中的視訊影像、色彩品質、以及音訊清晰度所設計。ADV 7850屬於 ADI 的 Advantiv ® 先進 TV 解決方案 廣大產品線中的新成員。 - f, r6 J: r5 l. X4 C: J
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此外,ADV 7850還具有業界首創的整合型 HDMI 接收器,能夠支援 THX Media Director™嵌入式詮釋資料(metadata),採用多重 VSI(Vendor Specific Infoframes),可以使消費性電子製造廠商輕易的將其轉換為藍光播放器、影音接收器、電視與投影機使用。 THX Media Director 是一項獨特的技術,能夠將電影、音樂、遊戲以及其它的數位媒體轉換成「智慧型內容(smart content)」,讓 AV 元件能夠自動選擇最適當的音訊與視訊播放設定,藉以重現這些藝術專家們所呈現的內容。 $ R  m' J& ^- l# h% g% C9 n9 Z2 b

( w' u! n1 T2 J* OADI 的 ADV 7850完整 AV 前端具有3D 梳狀視訊解碼器,以及使用於 HD 1080p 輸入格式的整合式170 MHz 視訊與圖形數位化轉換器。AV 前端的3D 梳狀視訊解碼器提供了動作偵測方面與3D 梳狀濾波作業的優越處理解析度,而且不需要提高分離式晶片解決方案所需的成本與設計複雜度。 0 T! [& T" |! g$ L( C: W

5 {! T% X$ R, w藉由 ADI 專利的 Xpressview™ 快速切換 HDMI 技術所完成的高整合性 AV 前端,結合了4種關鍵性元件,其中包括圖形與視訊數位化轉換器、3D 梳狀視訊解碼器、HDMI 接收器、以及立體音訊編解碼器,為設計廠商提供了完整的單晶片解決方案,能夠縮短新的家庭劇院設計的上市時間。ADV 7850支援 HDCP 轉發器應用裝置,也可以當成 HDMI 收發器運作。
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AV 前端晶片與 ADI 的元件相容,其中包括 Advantiv 數位交叉點切換器、BlackfinR 與 SHARCR 處理器、iMEMsR 麥克風、電源管理 IC 等
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發表於 2013-5-15 13:24:23 | 顯示全部樓層

RE: 理想的數位家庭劇院合理預算?

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  x4 N' k8 B/ n國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布為一家領先的消費性電子產品公司的家庭劇院系統,成功測試並量產供應採用其革命性氮化鎵 (GaN) 功率技術平台製造的元件。$ ~, g6 f3 j$ d
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IR總裁暨執行長Oleg Khaykin表示:「採用IR旗下尖端的GaN技術平台及IP產品組合之元件進入商用出貨階段,再次成功延伸我們在功率半導體元件市場的領導地位,以及預示功率轉換新時代的來臨,這正好與公司旨在協助客戶節省能源的重要願景相輔相成。IR熱切期望,GaN技術對功率轉換市場的影響力能夠至少媲美我們在30年前所推出的功率HEXFET。」

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3#
發表於 2013-5-15 13:24:30 | 顯示全部樓層
有關成就標誌著IR在功率管理市場的策略性優勢,藉以帶來高資本效率的元件製造模式。相比先進的矽技術,GaN技術平台能夠為客戶改進主要特定應用的性能指數 (FOM) 多達10倍。這次IR邁向新的里程碑,彰顯出該公司一直致力為客戶提供頂尖的功率管理技術。9 I  i* x7 L. p: }; o6 _

) b, z; p% j. F) S5 d% @$ ^: cKhaykin總結稱:「長遠而言,GaN技術適用於IR所有業務單位及產品線。我們欣然見證該技術有效促進公司長遠收入增長和增加市場佔有率。我謹向所有相關人士致以衷心的謝意,並且祝賀他們取得非凡的成就。」
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" F6 U* m& ?$ z6 M1 j, ?: Z這款開創先河的GaN功率元件技術平台,是IR經過10年的時間,基於其專有矽上GaN磊晶技術進行開發及研究的成果。該高生產量的150mm矽上GaN磊晶和相關的元件製造程序,能夠全面與IR具備成本效益的矽製造設施配合,為客戶提供世界級的商業可行性GaN功率元件製造平台。
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