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SiC技術超越其他技術的優勢包括:$ w* \7 d/ D( o& \2 ~/ f$ ^ G
3 @8 X2 N& v/ F4 J$ _( m6 _4 `1 U• 在特定的晶片尺寸下具有較低的導通狀態電壓降(Voltage Drop) 4 ` V% ~, B, a( g& G+ ~
• 較高的電流密度 ; d/ W" {- v; F+ Z
• 較高的運作溫度
' _ p1 o* [4 f2 ]• 極低的熱阻抗
9 y& | t9 p6 N; o* T1 ^• 只有多數載流子傳導,具有超快的開關速度
j9 _6 V! `* J! Q& v; Q8 s• 採用電流增益範圍為100的通常關斷運作(off operation)方式,提供簡便的驅動解決方案
* \3 T5 A0 g, J6 q, W( s• 由於採用正溫度系數電阻元件,可以達成簡易並聯
! H ?7 P) p* F1 o d \$ |. `) o. B. i9 e& g5 E( w) F _
另外,這類元件的阻抗非常接近SiC技術的理論極限,並且成功在25ns的導通和關斷時間範圍內展示出800V下的50A開關運作。這些元件在長期的全額定偏流和電流應力狀況下具有參數穩定性。& p6 o* Y% [5 t, @- `
$ X S5 G8 D& F$ t! e這款元件具有領先業界的效率,可將成熟的矽技術元件的相關損耗減少達50%,或在相同的損耗條件下,將頻率提升達四倍。SiC元件具有顯著縮小的尺寸、較少的被動元件,能夠降低整體系統成本和提升價值。對於需要最高效率和功率密度的系統,該元件是無可比擬的首選產品。& H* b7 Y" \) N
, y; j7 K( |, n7 I* H# R% B; o
快捷半導體正在為目標應用提供最高50A額定電流的1200V初始產品之樣品,並將於未來開發具有更高電壓和電流範圍的產品,繼續推動省能工作。 |
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