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英特爾:碳基奈米管將成為晶片設計未來之路

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發表於 2006-11-14 09:25:44 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
英特爾:碳基奈米管將成為晶片設計未來之路
- m3 T1 q/ L5 j作者:李遠 發佈時間:2006.11.13 09:48:48 來源:賽迪網  
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5 C0 F3 l9 }8 L【賽迪網訊】11月13日消息,晶片巨頭英特爾表示,奈米管技術將成為晶片設計的未來之星。 # w9 w: z5 P2 M# M; }3 R- H6 ?

, \, r( @: p- O2 |9 I, m6 V5 \) k9 m2 o據CNET News.com報道,英特爾表示未來奈米管技術必將代替傳統的銅有線技術,成為半導體的主要設計根基,憑藉該技術更新,目前基本上所有晶片產業的發展桎梏都將得以突破。
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9 k) }2 e9 @( d- V3 V( P8 U* ~8 F據悉,目前英特爾正在進行碳基奈米管的測試,鑒定其究竟能將晶片性能提高多少。英特爾實驗室總裁將在下周美國聖.佛朗西斯科舉辦的國際SAVS會議上,繼續討論碳基奈米管的技術型問題。據悉,目前晶片巨頭正就奈米管晶片技術問題,與加州理工學院、哥倫比亞大學、伊利諾斯大學以及波特蘭州立大學進行合作。
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2 u6 J6 e9 A& N5 h0 {) J  D2 R據專家透露,奈米管技術,將有望解決困擾科學家多時的晶片“內連接”問題。根據莫爾定律,每兩年晶片元件的尺寸就要縮小一半,然而晶片“內連接”尺寸的縮小,就意味著電阻增大,這也將導致產品的性能下降。實際上,當年之所以從鋁過渡到銅晶片材質,從某種意義就是為了避免晶片內連接問題,不過時過境遷,當年鋁晶片的問題再次出現在銅晶片領域。 7 X) p% p# }  S5 N9 z# f

3 c, z' W# {- m$ f( v專家表示,碳基奈米管的導電性要遠遠好于傳統金屬,例如之前提到的鋁和銅,因此可以很好的解決高電阻帶來的性能下降問題。另一方面,奈米的厚度可以達到十億分之一米,因此在尺寸方面也比傳統金屬更具有優勢。據悉,目前藍色巨人IBM已經研發出基於碳基奈米管的電晶體。
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