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蒙地卡羅分析 即為 Worst Case Analysis2 C; h5 B8 }8 ?% F0 a5 g
在我們公司裡面的作法 就是去設不同的Corner- ~ U+ E6 f0 k: q1 P( H
1 f W X& S: t$ C" s# R1 |Device Model裡面會有 PMOS/ NMOS 的速度會有 Fast/Typical/Slow 三種情況 w5 i' Y6 n8 w' I( C5 D
電壓部份 外部電壓與內部電壓 有可能會受到 Bounce與IR Drop的影響 使得電壓提高或降低
; S: r5 _$ `# }8 Q% ]" v1 @5 _$ M5 r) L& y
這些電壓與MOS的效能加上溫度的高低溫與室溫就可以組成 十幾個Corner Case
# M" v1 M* d/ o- X; ^ Q9 N% {8 f如果你能夠讓全部的 Corner Case都通過你 Data Sheet 的 SPEC.
9 p$ Z, g3 J) E% Q( Z( Q4 C% ?; ]( c3 ~) g
IC製造出來的良率 自然就會提高很多.
! D l5 H' S# a0 z$ ^6 p) @+ @" A8 s/ V) S$ l# K
至於 Corner 的 Variation選定的 幅度 要取決於 FAB的量測資料9 |) K: {9 Y4 N7 d% [
大致上把 Corner的範圍 設定為 比 FAB的量測資料的Window 略大一些 應該是較為合理的作法# ^$ \. I0 ]; I/ I0 d4 |! d
在 RD與 Device Team 的好惡 取出一個平衡值9 w8 U, }. b* w7 G
(RD喜歡Range小 因為好設計, Device喜歡Range大 到時做出來的良率會比較好 也可以避免
, J/ C/ c" N& |- _+ Y6 ]9 ? 下線回來之後要很痛苦的解 Low-Yield Issue)( l! W/ F5 X1 E- z' n
! |7 J G/ f% {8 d( Y7 V" g
範圍太大 設計者做進SPEC的難度大大提升
) D7 n2 K5 b. F& j範圍太小 製作出來的WAFER的良率就會不好
2 }* p& z0 X- a$ c6 Z
$ ?' B8 y5 B. q6 m0 I1 l[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-29 02:14 AM 編輯 ] |
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狗仔卡
發表於 2008-1-29 02:13:33
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