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蒙地卡羅分析 即為 Worst Case Analysis9 @5 p" C# Z+ W; x m2 e" l6 u/ K5 X* L
在我們公司裡面的作法 就是去設不同的Corner
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7 n8 R& A4 H7 U+ Q/ k+ P3 [) F% fDevice Model裡面會有 PMOS/ NMOS 的速度會有 Fast/Typical/Slow 三種情況
: r% T9 j- S6 Z8 z電壓部份 外部電壓與內部電壓 有可能會受到 Bounce與IR Drop的影響 使得電壓提高或降低
0 u5 o/ q' j9 W9 t8 d1 ~+ }- T, ?; l7 Q, |
這些電壓與MOS的效能加上溫度的高低溫與室溫就可以組成 十幾個Corner Case* Y, d$ r* s- m, M6 j' |+ X
如果你能夠讓全部的 Corner Case都通過你 Data Sheet 的 SPEC.* B9 ^' y' R: ^
8 k# t" A4 N, H6 |IC製造出來的良率 自然就會提高很多.
2 O! S9 H. M) z- s- k3 D
% ?4 ?6 U, w0 h/ D/ x) u) i/ F0 X至於 Corner 的 Variation選定的 幅度 要取決於 FAB的量測資料
1 r" |* D* |2 I8 j3 ?大致上把 Corner的範圍 設定為 比 FAB的量測資料的Window 略大一些 應該是較為合理的作法
2 f p% m' Q) I$ t3 z在 RD與 Device Team 的好惡 取出一個平衡值; Y8 k+ x( x- U6 r* i& e% \! k' Y
(RD喜歡Range小 因為好設計, Device喜歡Range大 到時做出來的良率會比較好 也可以避免' @& O) w4 v9 ?, E/ n
下線回來之後要很痛苦的解 Low-Yield Issue)6 q, n Y) J5 n' e! T" v
, H; a& |4 E$ B, X/ x8 S5 J
範圍太大 設計者做進SPEC的難度大大提升: r% Q o" L- k" i |. O, ^4 W
範圍太小 製作出來的WAFER的良率就會不好
+ o7 N2 }; q3 d8 _1 R ~& r
' p* `% o9 g% l5 ][ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-29 02:14 AM 編輯 ] |
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