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蒙地卡羅分析 即為 Worst Case Analysis5 f( k, y5 A/ V
在我們公司裡面的作法 就是去設不同的Corner$ l/ k: p! R) I
7 ]9 O. L6 _3 h/ A( Q8 K, XDevice Model裡面會有 PMOS/ NMOS 的速度會有 Fast/Typical/Slow 三種情況
1 }# Q% P# @" u2 A. \: w電壓部份 外部電壓與內部電壓 有可能會受到 Bounce與IR Drop的影響 使得電壓提高或降低
* S. i) y) o2 Z3 l$ r: L% r, y" z7 H% c+ l
這些電壓與MOS的效能加上溫度的高低溫與室溫就可以組成 十幾個Corner Case4 y3 y+ a- d6 g3 l! g% X' C- c, e% Z
如果你能夠讓全部的 Corner Case都通過你 Data Sheet 的 SPEC.* ^0 C3 F& `6 H( S |: Y
) l/ w0 X3 t, D" B F* @( y( o1 X5 rIC製造出來的良率 自然就會提高很多.3 e0 |$ D. ~. G
. ?, M8 i6 ?! g2 [至於 Corner 的 Variation選定的 幅度 要取決於 FAB的量測資料
5 Z, x; M6 N5 w: N* L- I大致上把 Corner的範圍 設定為 比 FAB的量測資料的Window 略大一些 應該是較為合理的作法. o: L6 `( D4 D% ^( O! m* w
在 RD與 Device Team 的好惡 取出一個平衡值
# B% F7 n3 J1 y/ p$ T C0 y3 l8 L+ n(RD喜歡Range小 因為好設計, Device喜歡Range大 到時做出來的良率會比較好 也可以避免8 i$ v! E+ l, ?& K p# R
下線回來之後要很痛苦的解 Low-Yield Issue): ?# {# K/ ^; G& C* i# R8 F0 I
5 h1 V" p3 o, W7 ]- {範圍太大 設計者做進SPEC的難度大大提升" Y" K; j- R/ j {; G8 D
範圍太小 製作出來的WAFER的良率就會不好
; o/ F. f0 Z/ y8 o+ `: x* f- f" G4 h$ F: P- I8 Y
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-29 02:14 AM 編輯 ] |
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