應用在電腦伺服器的英飛凌能源效率提升晶片可省下一整座發電廠

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英飛凌第二代 ThinQ!TM 碳化矽蕭特基二極體提供完全絕緣的 TO-220 FullPAK 封裝

, [+ W$ {8 E4 i【2010 年 5 月 7 日德國紐必堡訊】英飛凌科技股份有限公司今日宣布推出採用TO-220 FullPAK 封裝的第二代碳化矽（SiC）蕭特基二極體。全新的 TO220 FullPak 系列產品結合第二 代 ThinQ! TM 碳化矽 蕭特基二極體的高效能電氣標準以及完全絕緣的封裝優勢，無需使用絕緣套管及墊片，安裝更容易、可靠度更高。
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該全新 TO220 FullPAK 在接面至散熱器的熱阻值與標準非絕緣 TO-220 的效能表現近似， 這可歸功於英飛凌專利的擴散焊接技術，不僅大幅降低「晶片至導線架」的熱阻，並有效針對 FullPAK 內部絕緣層做出補償。英飛凌推出 600 V FullPAK 產品組合，額定電流從 2 A 至 6 A，是業界此種封裝類型中最多樣化的碳化矽二極體產品系列。
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7 G3 Y( b2 o% }. T2 s" ]) C碳化矽可說是功率半導體的革命性材質，其物理特性遠優於矽的電源裝置， 主要的特性包括優異的切換特性、無逆向回復現象、幾乎不受溫度影響的切換特性，以及 -55° 至 175°C 的標準操作溫度。碳化矽蕭特基二極體的主要應用領域包括「切換式電源供應器」（SMPS）的主動式「功率因素校正」（PFC），及其他的 AC/DC 與 DC/DC 功率轉換應用，例如太陽能轉換器及馬達驅動器。FullPAK 產品系列尤其適用於平板顯示器 (LCD/PDP) 與電腦的電源應用。

" o' z, R$ |* g; l. E4 ^英飛凌於 2001 年即推出首款碳化矽蕭特基二極體產品，是全球第一家推出此類型產品之廠商。過去幾年中，英飛凌針對碳化矽蕭特基二極體的技術展開數項革新，包括突波電流的穩定性、切換效能、產品成本和封裝，並擴展了 碳化矽技術的效益。碳化矽蕭特基二極體已提供 600 V 及 1200 V 兩種產品。
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完整的產品系列已經開始生產，定價則相當於採 TO220 封裝的對等零件。

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英飛凌推出 650V CoolMOS™ C6/E6 高壓電晶體為交換式應用產品提供最高的效率及簡易的控制

) o3 k* P: e4 A4 V; B" [# a【2010 年 6 月 25 日德國紐必堡訊】英飛凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日宣佈推出全新 650V CoolMOS™ C6/E6 高效能場效電晶體(MOSFET)，結合先進超接面 (super junction) 技術，低導通電阻以及降低電容切換損失之優勢、簡單易用的切換控制以及高度耐用的二極體。C6 和 E6 系列採用相同的技術平台，前者是專為簡單易用而設計，後者則提供最高的效率。
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CoolMOS™ C6/E6系列是英飛凌所推出領先業界，採用高壓超接面技術 MOSFET 的第六代產品。新款 650V CoolMOS™ C6/E6 產品提供快速且可控制的切換效能，支援對效率及功率密度有高度需求的應用。650V CoolMOS™ C6/E6 產品易於進行設計 (design-in)，非常適用於各種節能的交換式應用，例如筆記型電腦的變壓器、太陽能以及其他需要額外擊穿電壓電位差的 SMPS 應用產品。

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英飛凌 HVMOS 功率離散式元件產品線經理 Jan-Willem Reynaerts 表示：「新款 650V C6/E6 系列產品讓我們稍早推出的 CoolMOS™ 600V C6/E6 系列產品更臻完善，為650V的其他應用需求提供第六代 CoolMOS™ 技術。對於採用我們廣受業界青睞之 C3 系列產品的客戶，CoolMOS™ C6/E6 提供了絕佳的升級選擇。」

2 }3 L$ r0 V& o0 \, B- w相較於 CoolMOS™ C3 650V 系列，新款 650V CoolMOS™ C6/E6 系列的輸出電容 (Eoss) 可減少儲存電力達 20%，而 C6/E6 經過改良的本體二極體，在對抗硬式整流 (hard commutation) 時，顯示高度的耐變性，並可減少 25% 的逆向回復電荷。C6/E6 系列產品的閘級電阻經過調整，設計能夠維持平衡，因此切換時不會出現過電壓及電流斜率。

" t: }5 E# s2 f: q0 S上市時間與定價

IPA65R280C6 / IPA65R280E6（280mΩ，採用 TO220 FullPAK 封裝）及 IPA65R380C6 / IPA65R380E6（380mΩ，採用 TO220 FullPAK 封裝）目前已推出樣品。新款 C6/E6 650V 系列的首批產品將於 2010 年 7 月開始量產。此產品線將逐步擴大，預計於 2010 年年底完成。IPA65R280C6 / IPA65R280E6 的單價為 2.90 美元(以一萬個單位為批量)。

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英飛凌推出  650V MOSFET，搭載整合式快速回復特性等效二極體；
高壓 CoolMOS™ 產量跨越 35 億組，為推動全球能源效率立下標竿
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2 V4 T+ m$ x8 E2 L7 T! V& G【2011 年 2 月 11 日台北訊】2011 年 1 月 19 日，第 35 億個 CoolMOS™ 高壓 MOSFET 於奧地利菲拉赫 (Villach) 的生產線上誕生了，成就英飛凌成為全球最頂尖的 500 至 900V 電晶體供應商。持續改善晶片架構，確保 CoolMOS™ 電晶體技術不斷地最佳化，讓英飛凌得以邁向成功之路。
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' g; ~8 @# c! F6 g5 R/ ~, S6 r在電晶體被發明的 55 年後，英飛凌以其革命性的 CoolMOS™ 電晶體技術，獲頒了 2002 年的「德國工業創新獎」。高壓電晶體已在各式應用領域不斷提昇能源效率，如 PC 電源供應器、伺服器、太陽能變頻器、照明與電信電源供應器。這些節能晶片也成為消費性電子的主要元件，如平面電視和遊樂器。如何有效率地使用能源並節約能源，已成為所有用電產業與家庭應用的必備關鍵。英飛凌的能源效率半導體解決方案可節省高達 25% 的全球電力消耗。舉例而言，使用 CoolMOS™ 晶片，讓伺服器板的所需電力減少約 30 瓦。如果以全球各地大約 6000 萬架伺服器來計算，節省的能源將高達 18 億瓦，相當於 1 整座核能發電廠的供電量。
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英飛凌電源管理與分離式元件部門副總裁暨總經理 Andreas Urschitz 表示：「我們持續開發 CoolMOS™ 電晶體技術，追求最高的效率，為客戶提供顯著的競爭優勢。我們為後代子孫的資源永續保護，做出關鍵性的貢獻。在高雄足球場的太陽能系統便是成功部署我們 CoolMOS™ 技術的最佳範例之一。太陽能變頻器中的 CoolMOS™ 晶片可確保能源效率達到最佳等級。也因此，這座太陽能發電廠可產生 110 萬千瓦小時的電力，每年可節省 660 噸的 二氧化碳。」

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下一個技術階段 – 全新 650V CoolMOS™ CFD2

2 L1 u8 |1 @9 b英飛凌目前正推出新一代，具備重要創新的高壓 CoolMOS™ MOSFET產品。全新 650V CoolMOS™ CFD2，是業界首款具備 650V 漏源電壓與整合式快速回復特性等效二極體的高壓電晶體。其更為出色的軟性換流行為以及更優異的 EMI 表現，為產品打造絕佳的競爭優勢。CoolMOS™ CFD 2 650V 產品系列提供高速切換超接面 MOSFET 的所有優點，如更佳的輕負載效率、降低閘端電荷、易於建置，以及卓越的可靠性。英飛凌預期此電晶體在太陽能變頻器、伺服器、LED 照明與電信設備領域將有極佳的市場潛力。如需獲取更多有關 CFD2 產品系列的詳細資訊，請造訪：www.infineon.com/cfd2

5 d8 }" `" }* s' Y+ a. e1 g英飛凌的 CoolMOS™ 技術
革命性的 CoolMOS™ 系列產品在能源效率領域設豎立了全新標竿。CoolMOS™具備高壓 MOSFET 最先進的技術，顯著地減少了導通與切換損耗，為優異的電源轉換系統提供更高得功率密度和效率。CoolMOS™ 產品的應用，在消費性商品、再生能源、電信業電源供應、連接器和其他領域皆具備最卓越的表現。CoolMOS™ 具備最佳性價比，對於日亦增高的能源需求，是最理想的解決方案。尤其是最新、最先進的新一代高壓 MOSFET，讓 AC/DC 電源供應器變得更有效率、體積更小、重量更輕，且產生的熱能較少。該款以推出的高壓 MOSFET 具備最低的導通電阻、最快的切換速度，以及最低的閘極驅動要求，有效提升效能。