|
四種產品群的主要功能特色:: p1 t9 Y3 w# ], x/ U" P
i6 ^' o/ Z# Z# m$ h3 T* z( N+ m
(1)業界最低的超低耗電量; A. r# Q2 I/ e' @9 B/ R
透過製程的改善及其他改良,運作時的耗電量每1 MHz 僅150 µA(每百萬赫茲微安培),相較於R8C/Lx第一款產品的每1 MHz為350 µA,約降低達60%,而且待機耗電量低於10nA。
W r. }. K+ k! C }, a/ R) P+ F0 J3 ?
這四種新產品群支援電源關閉模式(低電力模式),此模式首次出現在R8C/Lx系列的產品中。由於這種電源關閉模式可提供更精細的電源控制功能,因此獲得非常良好的回應,而且現在的耗電量比以前降低得更多。在電源關閉模式0中,待機電流量低於10nA,因此可大幅減少待機電流。最新款MCU的運用彈性也持續提升,因為它們能夠在電源關閉模式中維持隨機存取記憶體(RAM)的內容及I/O埠的狀態。另外,新加入至LAxA產品群的電源關閉模式2可維持real-time clock的運作。3 @2 k4 F: |5 U6 B) v/ |- f% j
( x, M1 m0 {: S. H, Z1 z上述改良可提升整體的系統電源效率,利用低耗電的應用大幅延長電池使用時間,例如各種以電池供電的裝置。' x+ m9 H% H9 F, A( Y3 A/ [
* W* t# N) G- F) f$ g: g
(2)使用1.8V低電壓即可刪除、編寫及讀取的快閃記憶體, e+ s N8 U0 l& \8 P0 X
瑞薩電子的R8C/Lx MCU具備兩種晶片內建快閃記憶體類型:一類主要用於儲存程式(可程式快閃記憶體),另一類用於儲存資料(資料快閃記憶體)。四種新產品群支援以1.8V電壓刪除、編寫及讀取所有快閃記憶體,可在MCU 1.8至5.5V整個作業電壓範圍內存取快閃記憶體。如此將可簡化電源供應設計,使用較低的電壓,並允許使用單一電源供應器,藉此降低系統的整體耗電量。8 f, W8 K" a& L
7 t* Z2 h/ ], D資料快閃記憶體(Data Flash,註1)是瑞薩電子獨家研發的特殊類型晶片內建快閃記憶體,用於儲存資料。由於不必使用外部EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory) 儲存資料,因此有助於減少外部元件需求的數量。 |
|