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關於新的SiC模組) ~/ f8 j. \. [* J
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美高森美新的工業溫度SiC功率模組具有多種電路拓撲,並且整合在低側高封裝內。新模組產品系列中的大多數產品使用氮化鋁(aluminum nitride,AIN)基底,以提供與散熱器的隔離,從而改善到散熱系統的熱傳遞。, H& j% p Y" \0 [: j* i
% h8 k/ ^: U% r2 y7 N: j/ [# y其它的額外功能包括高速開關、低開關損耗、低輸入電容、低驅動要求、低側高和最小寄生電感,能夠實現高頻率、高性能、高密度和節能的電力系統。3 b( P6 p; W( h- c Q% `
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新工業溫度模組系列包括以下參數和元件:
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: i; ~$ C, x" i; k. y. R4 a• 1200V升壓斬波電路(boost chopper),額定電流為50至100A (元件編號:APT100MC120JCU2和APT50MC120JCU2)
( e. _6 M) f# z2 q8 j# P) Q• 1200V相臂(phase leg)架構,額定電流為40至200A (元件編號:APTMC120AM08CD3AG、APTMC120AM20CT1AG和 APTMC120AM55CT1AG)
1 Y' D; j4 D4 l- D }8 s( |, @9 C8 _% Y• 600V中性點箝位架構,專用於太陽能或UPS應用的三級逆變器,額定電流為20至160A (元件編號:APTMC60TLM14CAG、APTMC60TLM20CT3AG、APTMC60TLM55CT3AG和APTMC60TL11CT3AG)
) t5 K8 e3 W3 M8 j9 [" L% o• 中性點箝位架構,600V/1200V混合電壓,額定電流為20至50A (元件編號:APTMC120HRM40CT3G和APTMC120HR11CT3G)
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美高森美的SiC產品組合包括離散和模組封裝的蕭特基二極體,以及提供標準和客製化配置、採用SiC肖特基二極體和IGBT或MOSFET電晶體組合的功率模組。 |
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