求助关于GCPMOS管的版图

scy8080

如果GCNMOS管做电源的CLAMP电路，drain连接到电源上，source连接到地，很好理解，drain到POLY距离拉大，能减少电源电流对poly的冲击
0 @* n3 ]' f4 v/ l, x" `, G而对于GCPMOS管做电源的CLAMP电路，drain(到POLY的距离更大的有源区）是否也应该连到电源哪？
8 H1 D0 K4 N+ j; D谢谢

scy8080

我现在用得这个工艺，foundry推荐用GCPMOS的，但是不知道版图上drain和source怎么处理？
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7 x4 M8 s, X; F7 ]' q' ?: Z  S[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-12-19 09:52 AM 編輯 ]

scy8080

drain(到POLY的距离更大的有源区）是连到电源还是连接到地好？能否给个解释？谢谢

scy8080

我想知道的是PMOS管的情况！！！
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对于反相器，通常情况，我们认为pMOS管连到电源的有源区为source,连接到输出的为漏；
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# j" C5 U$ Q& rGCNMOS的clamp电路，drain连接到正电源，body/source接到VSS,正ESD pulse打到电源，NMOS的寄生BJT导通使ESD电流到地 pin，
而对于GCPMOS管的clamp电路，应该如何考虑？