請教 Band-gap BJT 如果 layout 不 match

yalon

有一問題想跟大大们請益??
如果是 bandgap 內bipolar layout 因製程變異; 導致silicon 上所見 並非如 cuicuit 上所建 1:8;

那麼在 silicon 上所見到的 reference voltage electric 特性會變怎樣.

6 G2 z! f5 q0 o. I3 d& H! [3 I歡迎大家發言...
2 O: E" H4 z0 r! f  N$ h謝謝


以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap無法將壓差降低  
$ N- F1 Y+ R  t) xbandgap voltage reference?
關於CMOS的正負Tc
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
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[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:54 PM 編輯 ]

yalon

Dear S 大:
+ y+ F3 b$ q/ v4 _* G  _8 D; t 怎樣說 為何通常 bjt 不會有大問題 ?
+ y8 U' c0 {% Q- ^! q例如 九公格內的單一unit 是 1umx1um 好 還是 10umx10um 好 ??
) m, u0 ~: B% _# j/ I
( d# V  T* h& b+ K+ S% [; j如果沒選好 ....影響有多大 ???
: v* O1 A% e) ?3 o+ ?% a這能用 monte carole 來仿看看嗎 ??
3 `" f  r0 ?" z% \) D1 t2 S
3 S5 @9 @( p: ?, a* ?多謝.
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