跨moat的影響

ajiune

Dear 大大，
' w5 K( V. w+ Z+ Q4 W, K; ^麻煩你們，
1 _) B9 I. \. R, B1 U+ _我是EMC的新手，目前有些問題想請各大大們幫我解答或是提出看法，如下:
* Y- m$ W. A$ ~! M
1.跨moat，對ESD會有影響嗎? 影響多大?
8 A  p7 u. E1 `, b3 p2 E2.走線換層，算是跨moat嗎?
5 I$ t& |: j, C4 y0 m3.走線換層對EMI會有影響嗎? 那與跨moat對EMI的影響比較，何者影響較大?
7 H  T5 E3 ]! A  s. \2 k; R2 c4.CPU與北橋，reference GND layer 對ESD有何影響?
( x4 O( a3 L+ L, A6 T$ S- n5.南橋出pin於B+與5V，對EMI與ESD的影響?

麻煩大大們，針對以上5點，幫我解惑。

謝謝你們，感激!!!

flypigduncan

1.跨moat，對ESD會有影響嗎? 影響多大?
) b, o8 v" y# A2 k: i有IEEE的論文證明當trace跨moat的確會造成位準很大的浮動
7 p- ~2 d4 J% d5 a2.走線換層，算是跨moat嗎?
' c* i9 ~# \8 @* A9 s; D, p只要能確保電流迴轉路徑最短的情況下是可行的
) D! G. h7 M  B0 I2 S, I$ L3.走線換層對EMI會有影響嗎? 那與跨moat對EMI的影響比較，何者影響較大?
跨moat影響最大,因為迴路造成的天線效應無法預測
# G/ v% g. U! A$ K+ `8 x8 P/ L5 m: t4.CPU與北橋，reference GND layer 對ESD有何影響?
. I6 O) V9 n; w. ]reference GND layer較能控制位準的誤差
5.南橋出pin於B+與5V，對EMI與ESD的影響?
對ESD還好,對EMI可能使電流回流路徑經由電源回流造成很大的天線效應

ajiune

Dear flypigduncan:

謝謝你的回答!!
對我很有幫助，謝謝^^

jackie0888

一切都是zero  應該符合KVL and KCL

mic29

版主的問題似乎包含ESD與EMI兩方面，所以要小心回答
0 b- y' x; B! h8 w% G5 o0 g& C+ _1. MOAT若將ESD敏感元件隔離，應該對ESD是好的，但對EMI則不良
2. 走線換層不算跨MOAT，但仍須注意迴返路徑，故應儘量避免
0 H! r& T$ U: B& s6 b9 l3. 走線不可跨MOAT，除非確定有做好相對措施，換層影響較小

alienwarejian

版主的問題似乎包含ESD與EMI兩方面，所以要小心回答