Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 21770|回復: 17
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多??

[複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2008-11-24 15:16:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多??. \1 L3 M$ z4 s+ {
就是比較簡單,比較常用的ESD有那些??
  ]# H- T8 b! n  i8 `7 Z& O有純MOS的ESD嗎??
6 E. G0 i* E: l8 O: k$ L設計上有何重要的技巧??
7 h9 b9 ~0 Z! ^請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ??
% w6 p$ G, K9 V3 b( r1 n& K- T請高手幫忙解答?小弟正在學習esd有很多不懂得,謝謝

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂 踩 分享分享
15#
發表於 2013-8-16 15:53:07 | 只看該作者
poly to drain的距离,是增加电阻,让寄生三极管均匀打开。
14#
發表於 2012-7-12 13:18:29 | 只看該作者
说的好8 {8 m1 y" V4 p/ f9 N4 N
  y3 j- C+ y  ~- b5 T
" K4 E' b& D8 I- V; n
!!!!!!!
13#
發表於 2010-5-29 20:24:51 | 只看該作者
一般來說,在output PAD的ESD, contact能夠多打就多打,因為這個樣子可以降低從source to drain的阻值,這是以電路的角度來看6 N* b" j% c! l6 Y8 \
而對ESD而言,它所在意的並不是contact to contact的距離,而是poly to drain的距離,這是因為在測ESD時,我們希望ESD的瞬間電流或者電壓從power clamp或者ESD device來排掉,而不是走output PAD的path,因為本身的output PAD並沒有足夠大的面積來排掉這麼大的ESD電流,故而,poly to drain距離會比一般的device來的大一些,主要是增加poly to drain的阻值,如此一來在測ESD時,ESD電流大部份會藉由power clamp以及ESD device來排掉,部份則由output PAD來排掉
12#
發表於 2010-5-27 10:58:00 | 只看該作者
謝謝大大的分享~更加了解esd的重要性
11#
發表於 2009-7-27 08:46:08 | 只看該作者
“所以CON TO CON通常取MIN”,right!
10#
發表於 2009-7-26 21:54:42 | 只看該作者

小弟才淺

通常只要遵守Foundry場的ESD design rule畫layout的話,ESD基本上應該都沒什麼問題+ r( i, |- a$ ?7 I
因為他們自己開出來的製程都會先自己作實驗8 ~6 B" g8 u9 I$ r  c  P) S
至於con to con的意義呢?
( {/ o; @9 p: G6 u8 I在IO MOS上當然是能塞幾個就塞幾個
$ D# \9 K- y/ t9 b" E  B因為ESD電流來時又大又快1 W$ ]# F, s' |0 o% V$ [* w. d7 h
CON越多路徑阻值越小一點: @& J( M1 r# U) t
所以CON TO CON通常取MIN.
4 y3 j7 p) a- K* x0 |* q
1 B/ }1 D, {! A  T( w5 g9 D小弟才淺
9#
發表於 2009-3-25 10:41:07 | 只看該作者
如果有用SAB (亦稱為RPO),contact to contact spacing 可以是minimum rule
, R* |5 E7 Z5 e; g) b1 D, X但如果沒有的話,可以增加contact to contact spacing 而達到ballast resistance的效果.
8#
發表於 2009-3-24 01:50:12 | 只看該作者
提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽
7#
發表於 2008-12-11 12:01:12 | 只看該作者
contact to contact spacing is a minimum spacing,drain contact to gate spacing may layout with >3um
6#
發表於 2008-12-2 21:41:40 | 只看該作者
原帖由 hyseresis 於 2008-11-24 15:16 發表 4 s& ~6 {; D# u" e  A3 o
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多??. M8 A3 c; f! X+ q! M7 P
就是比較簡單,比較常用的ESD有那些??
* T- m3 w" Q7 @2 I6 l: r' `; J0 M  [/ s; f8 y5 v  {# {
請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ??( Y/ o+ s; Y- @! Z, J6 ~
請高手幫 ...
1 ~9 A  I3 v' I( O7 T  H- |. P5 R

4 u9 x1 x' A" g: p9 c我是这样理解的
" H& o' ]- D1 Z' ]( u+ n4 x4 D; Scontact to contact距離可以决定本身MOS管的ESD性能;
' u7 ]( N' z4 @* x& L2 y0 X会影响MOS泻放电流的均匀性和散热效果4 c) l" m2 A% j6 N
晶圆厂给的尺寸,一般是经过验证,比较可靠
5#
發表於 2008-11-25 13:58:21 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一般要比普通设计规则要大几倍,代工厂一般会有推荐值,之间也会有不同,具体可以参考设计规则文档!
4#
 樓主| 發表於 2008-11-25 09:19:10 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

感謝副版主,那請問contect to gate space在設計上有要注意的地方嗎?或是有何設計規則?
  W- N1 x3 g6 c- R; p感謝
3#
發表於 2008-11-24 23:14:50 | 只看該作者
"請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義??"8 n2 h7 }3 m, U; T2 Y4 w( \/ M
好像没啥具体意义,符合设计规则就可以了!! o$ }! N3 M% j* \' x) O% I" z
ESD设计时要考虑 contect to gate space!!!

評分

參與人數 1 +3 收起 理由
hyseresis + 3 要學得更多就要問得更多喔!

查看全部評分

2#
發表於 2008-11-24 22:48:41 | 只看該作者
很多都是用“純MOS做的ESD”,只是防护时开启泻放电流的是其寄生的三极管!
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-3 08:47 AM , Processed in 0.118007 second(s), 20 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表