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[問題求助] ESD PROTECTION DIODE的設計問題?

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1#
發表於 2008-11-20 12:14:15 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位前輩~0 }* Z8 H! `6 L

; N' M! m) R, R8 c6 W3 y想請問一般PAD裡的PROTECTION DIODE可以自行決定他的大小嗎?( s2 \' A5 G6 z7 v
' }" m8 I: P9 ^1 e4 ~
因為晶圓廠提供的PAD有點大,我想從中更改,但也只是想改小PROTECTION DIODE,
5 G- X- e7 Y- n  o6 ~( A: _+ W  H3 A6 C) s2 a( N0 n
但不知道這樣改小會對ESD造成多大影響,有方法可以算出PROTECTION DIODE的大小嗎?# e" K/ V9 O3 {$ b9 M$ A- T

2 Y) h) ~" \8 T7 H$ d# T+ y9 C有資料可以參考嗎?
4 a3 W6 M7 r/ |! ]9 d0 M' @
* `5 q  e* L+ ]謝謝~
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2#
發表於 2008-11-20 20:56:47 | 只看該作者
晶圓廠提供的PAD一般不要随意改,因为它是经过验证的,除非你有十足的把握修改后不会出什么事!
3#
發表於 2008-12-2 21:37:49 | 只看該作者
原帖由 averyer 於 2008-11-20 12:14 發表
; x( Y/ u+ l) V  \8 ]3 t* l- w( N& j5 ]各位前輩~
( N3 [# v7 X0 u, d, e: v6 N/ T3 `* v/ V
想請問一般PAD裡的PROTECTION DIODE可以自行決定他的大小嗎?
- m! O. Y' u# {& T) S5 z/ [5 ~2 ^& N+ n- Y0 e5 N
因為晶圓廠提供的PAD有點大,我想從中更改,但也只是想改小PROTECTION DIODE,; h, F2 \3 k, l& y# |& P

1 O; s* N, Y5 g+ T/ A但不知道這樣改小會對ESD造成多大影響,有方法可以算出PRO ...

! F9 d+ ?+ k/ H+ T& T6 D1 |9 P" X1 g' w
晶圆厂提供单个二极管的尺寸的一般是经过验证的,它的结构关系到了二极管本身的强健性;% h9 ]5 p5 X# y( m6 x# h2 _
但二极管的总体尺寸是可以计算出来的;
1 }7 J! v+ d) ^0 R. J我是这样理解的:/ _, r5 }: h- c6 }, i
我们可以从晶圆厂那里得到单个标准二极管的ESD能力(过电流能力,如100mA/10u)
8 u  j$ X; y" n/ I" |9 @! h" B6 m在计算我们需要二极管的ESD能力(如2KV,则电流为2k/1.5k=1330mA)
' v0 D- K, {# Z3 W那么我们需要的二极管的个数为1330/100=14个(10u*W)的二极管
" }8 o: R" y4 N, l考虑到二极管的过电流能力不是那么均匀,可以打个折扣吧
4#
發表於 2009-3-13 00:16:12 | 只看該作者
計算方式確如andyjackcao所說的  而DIO耐ESD能力主要看接面長度 也就是DIO周長 縮小DIO可增加周長 但要注意接線部分要讓電流均勻
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