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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
9 v# f9 Q& L/ Y$ jA gain of 1000 is expected.; E0 D* n6 G2 R% J6 R7 e8 |- E5 c
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: 4 }# A  f( l5 c( }  U, y+ s- y' ?7 j* h
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
: g' I4 Q9 m: |$ C+ V2 v; T2 U* {
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
$ O4 Q6 g- [6 B" x/ p( HSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
7 p; n$ J& g' Q3 z/ M! W8 b7 I- u* a8 {8 i" d
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):. o, W2 |: l2 h& ^
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
7 p/ S1 x& {+ C; ^8 K1 bInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
: ~( z8 g' w4 w8 aInput series: Voltage mixing輸入電阻變大! q5 Y8 q& a: k  ?
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
: M, e$ j9 c$ vOutput series: Current sampling輸出電阻變大
7 s9 d- x, g3 ?
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
% r* ]+ W) o. }* B5 k需要4各bias 點~. C5 h6 L3 x) w$ n* P
5 ]5 u  M" @. d
side 0732
5 S2 @; A* w& s; G' u只需要3各bias 點~4 k  H- ?. X* U8 _# b' j
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097" x3 l' o5 Y, L% F- g  c& H6 N
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
, [* \- n3 @) D0 Edepending on the phase margin required.
- ^+ V4 m, O; A& G) W=> 更正
% n; B2 y! Z1 {. f. P# vIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW7 F$ v1 M  x* {" M
depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM+ N# Y; _& L( }8 I  F
回復 32# tuza2000
+ ~1 F2 Y. {9 K4 l3 a; K" K  m- j
上面說明有誤~
0 p* B/ m& I; i) u( U實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接: f) F& S# ~, W; w& q
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
$ q4 Q" [, g+ C. s6 n$ [Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻: h9 [2 z) a9 f9 V: q- y8 \0 E
所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
5 J  p; D5 e: C$ c! L$ h' C/ j% ^" RRef: silde2219
; L+ _+ o- |+ }; _" @: wStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
8 r& k$ O& a. n  @0 q8 {% I8 X' KNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 04441 A, U: h* o/ R6 f8 |& H
Noise of a current mirror with series R:* _6 r7 p0 P7 u7 Q% J( E
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!" o$ w7 `! I* O, _) U
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~5 Q  W; k: R6 |* d* o" r
謝謝~~幫忙回附一下/ P2 l  N0 w+ A4 l3 R: o
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513+ ~  o7 Q6 r2 j) v
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下# B5 ~' H" J1 M2 }1 @
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。2 i; K& D* p3 W( v. K( S
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
& W! F5 o' D0 ]. v( w7 _3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 05131 ?9 \/ j4 r- |; W8 W$ B, w
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下% T% h( Q  i# U  k. D. ^
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。# X( K4 i1 i/ o( W+ O: B
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。# C/ k$ H' d- ^9 K5 G, {
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
, _+ A- J7 T2 r6 VVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
! \% E' p( a; ^: }% c2 Q0 l8 m$ x- |% B  w: q. f
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2: o0 C) e! h6 V  R
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻$ H2 p# l7 F& e/ s  b
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
$ O* K5 T3 h. y9 c
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222& a( q* u* q: e. _
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)+ C  ]$ o1 g, o& J$ f5 _+ K+ s

/ C+ z; R1 G! Z& e7 A8 Q$ o=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
; L% L/ A; n- e. ]7 e用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻  a# {* d- W/ ^& n6 n9 O! w
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)) D2 [, _' W& N1 z
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 22222 M3 t  X% F1 v# n
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
* Z1 L% [5 `; b0 w# j, J$ E$ D7 _/ [; T; E& S: I
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
- b1 @9 f* S7 g7 a  P; ?用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
; M7 H; ~8 w! d  n所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
5 A3 B* l* Z: G5 s1 ~# T& j8 u( \
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 22227 z! M, ]% b3 B7 {. N
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)8 m3 }$ _. z% t3 h+ f- t

% _! s* {8 S3 b=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2) k: k% C' G/ }3 D1 g9 h
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
6 S8 A9 W* O/ v  D) s7 D$ O所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
% ~0 m- ~9 E1 Y# T
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA* @5 }0 Q, G" _3 z# G
7 n& w7 Q. Z; S* q3 @/ l0 Y
gmmax 應該是C1WC1/2C3' a  x% _6 P7 P" ]+ w: F/ n! I

' y. {/ h9 q" ^  M3 \2 ]* i=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM% t7 Q4 q# F. o# q" L6 u
slide 2222
! e# @1 x# S, E" ?! oVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
2 ^8 W2 z! ]3 n% ~5 }, C9 c" n
gmA~ 4RsCL^2Ws^25 M/ Q( {& z9 f9 X: d1 \
and 4WsCL^2/QCS
0 p* V7 Y  o& Y- x5 V. Z% ~$ y* _+ u, u! }  F* T) q" {6 m
$ |; p  ]8 A+ `7 o& S/ V+ Q
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