Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
5 C$ g/ W* u: t! M- p! Y" kA gain of 1000 is expected.
1 r$ ]4 \# o1 j! l7 b; e/ M) M/ _=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
& I& ~& t$ Z& W$ X. Z. e, P* b, c1 X3 ASlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1

補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
" H( _! K' S2 USlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1

4 {1 `% k( ]+ I/ ^  {補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
8 Y8 w9 J0 V7 ~  IInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
8 ]/ Z/ g$ y, uInput series: Voltage mixing輸入電阻變大
9 _( ]# o3 t0 dOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
' x7 G6 ?5 \% h6 p0 e0 F$ U& H; COutput series: Current sampling輸出電阻變大
1 u( `$ M/ M. u9 k3 b' u

賴永諭

slide 0731
/ x# j' T" s  `% ~% Q8 S需要4各bias 點~

side 0732
只需要3各bias 點~
M2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
0 Y" d( o" _6 P0 uIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
6 ?# E" L$ z: s4 Z; j% F/ odepending on the phase margin required.
=> 更正
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
# `9 L0 T) _+ k# H3 O* H/ P0 L- ~depending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
! U4 Z& P1 R% D4 a回復 32# tuza2000

2 I  i# R8 a; l. }上面說明有誤～
# p3 h8 j' r8 b; r實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
. ~( w5 P, i( c( m) ]  sRef: silde2219
- `( S6 q: r0 P+ W& \  w& rStart-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
Noise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
Noise of a current mirror with series R:
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
7 W& R- \3 B, K3 j9 q  l8 w& J$ C2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
+ V4 k+ B: g7 D4 n3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
4 \  G, S4 l3 U; H9 F3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
4 t7 L9 I* d, O9 q, XVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
9 G# Y. a6 x* Y2 }用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
6 g5 t% C' |, k/ l. E所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
- P' n4 `! m! F5 a

賴永諭

slide 2222
" H5 Z; u8 H" p6 j6 V* GVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
# n: {: Y7 R; n# K
) _' P# Q* @/ B=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
' B5 m$ O9 V- h2 B, Y5 c8 X4 dVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
6 d4 i( r' d/ p+ P  v3 G
8 {1 O3 u/ h/ p" Q( A1 ]6 M=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
" ^6 e& {- l3 p/ k3 q用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
# `$ b' f' F% j* H0 J所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
, v  C4 t' m6 H: O

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA
, i# p5 t/ A5 _4 Z5 E7 P- |
gmmax 應該是C1WC1/2C3

=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

gmA~ 4RsCL^2Ws^2
3 L" n7 E- k9 f* A! Xand 4WsCL^2/QCS

& p1 F2 y5 H$ S* x% q+ e
; k# G0 z8 M9 P- C" s

賴永諭

RIP

- A& D9 S+ K& }0 z. e4 A! HIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
( k2 G; E0 X+ h. H6 m1 o/ X* G% D
& G; X) O7 m- Shttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html