Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
- I1 |: X( z+ ~- ?+ VA gain of 1000 is expected.
9 s. P0 f- t& }& e$ d! n  o=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
7 |8 K7 _9 R- g# k, _Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
+ m& Q( u/ C$ c) u. Q+ V7 J
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
3 m5 Y" w* ~7 d+ P% ?! u+ `Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
* t! z' \4 G7 J6 V+ R/ y" Q
& Z' ^" Z$ T3 z1 h. M補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
) F3 ?) a3 Q$ nInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
Output series: Current sampling輸出電阻變大

賴永諭

slide 0731
, Z+ O1 p, d) k3 e9 T需要4各bias 點~
6 f4 J3 [9 ?9 t
side 0732
# l1 E! S( M" m  g$ X7 S6 s只需要3各bias 點~
' Z* {( f- R7 ~M2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
7 u3 @! x/ ]( n% r. I: T3 eIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.
: A- Q- D4 l+ ~5 [) h- }  Y=> 更正
+ o1 n7 ?; A/ W' V4 L% fIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
5 p/ o, P' J- V2 v3 z. tdepending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
/ B% Y1 M- B& b! R! ?7 ]回復 32# tuza2000

. D" \( M+ `* K) x1 _) S6 k上面說明有誤～
( b9 v; j2 ?, i7 v0 X7 x實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
Ref: silde2219
% M; X% `! j9 g  A8 G6 w0 ]3 yStart-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
Noise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
Noise of a current mirror with series R:
0 ?" r3 }! a" U前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
, I: [3 |* A/ W分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
) b/ k8 l- c, X2 M/ b% N% Z分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
- {# O) L" l3 u6 t4 ?: u3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
3 V5 M2 ^  u1 @5 g: Z+ H. ZVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

5 U# U$ v. e) A) r  E=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
/ }1 o' j1 t6 S. R* w/ b

賴永諭

slide 2222
6 f( l- n' w8 sVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
: r, L0 U/ h+ m. \. E. \5 ~+ }
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
$ Z8 A' e3 M2 @2 H所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
  m0 t5 M& v: y( @5 B/ P; X
- b/ Q& \& P( x0 A$ o" S=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
8 F. e! D; g. Y' E+ L1 D& H

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

4 y2 @+ J' n0 J- j  M4 O" y% f=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA
% Q1 H' D2 a- @3 _6 U7 ]
# p& u: p% O3 x1 {gmmax 應該是C1WC1/2C3

7 d6 F. K" \! L; ~+ R$ _/ D=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
slide 2222
6 v- Y- U- V4 h& p2 YVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

gmA~ 4RsCL^2Ws^2
and 4WsCL^2/QCS

賴永諭

RIP

In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)

https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html