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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 1545 Q+ P" V) m" F0 J+ {
A gain of 1000 is expected.: g% D$ r) |& ]4 M1 L& C" s
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: " y  F( q* H6 p
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
* P6 W  Z3 E2 f8 \
. K) H6 A' @* {, X" O% c$ d補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):- G: q3 E6 L8 \" W; j) X
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
* j  P3 f, E6 ?4 K4 W# V! H5 l
3 K% k5 @2 I9 M$ B1 f" p補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):2 Q% |+ Q( a4 ~# H! W# O
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
2 D, R2 p: W8 I/ \% J, qInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
0 T: r8 L' z$ d' u" m/ w$ `, ^. N  MInput series: Voltage mixing輸入電阻變大
0 G- H, N3 [: h+ dOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
6 g% s: O" L0 Y, f! j& w9 S: KOutput series: Current sampling輸出電阻變大7 `7 _$ J" Z# b7 B0 l! Y
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
( H6 N' i& J# J需要4各bias 點~' @3 h! p& q5 S9 G4 F' p
3 j" r! h7 K& Q- E) g- Q
side 0732
4 L. s* {0 j1 l( n) ^. }4 I9 ]只需要3各bias 點~
& [& {; Q* \8 @6 i1 ~M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097$ g! V6 Q& _) B6 }0 D# Q" H
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
! ?) S: a/ e% |( l* T1 Q. Cdepending on the phase margin required.% k& `* ?" J& [
=> 更正( N$ X6 Y! q  r5 [
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW9 t: k/ k. z0 d7 ]5 O
depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM1 `5 Q0 E3 H' r; y
回復 32# tuza2000
1 s9 ?: k7 f' \. M. P2 i( a
上面說明有誤~
! |5 W  m- a9 N: m6 t實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接7 f5 g. j8 h) q* u
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
9 z1 |1 q1 |) ^* U4 A; ^! v/ dCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
& W, r7 c: Q9 y8 _. I所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)1 A2 j* h- u# v3 e$ Q: ]
Ref: silde2219
) S+ d* D7 k; H( K, }' W+ U6 bStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
' M3 F0 z# f& e6 |Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
, ~# L, s1 X- Q9 J2 }4 N: R9 qNoise of a current mirror with series R:
9 q1 v. c; t+ ?( S' Q0 r6 }4 D前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!% H) u8 W2 S* K- s
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
. N+ B( |/ Q: b* \7 }2 X) B謝謝~~幫忙回附一下# V1 d6 Y/ i) ]* |; L! v/ m
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513
2 G0 o* P0 }* p$ U3 S2 U分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
/ e; |6 U. a% J  K" M& Y' b1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2 Z, ], {2 C8 H6 m* w2 I9 T4 _2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
1 a$ Q+ a) b. f! l5 ~. R3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
* P- n1 j: N" q分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
, S: j+ y- g, g4 T- a3 s- l' z8 h1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。) X% d" Q- G0 w4 ^4 y' j
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
; S3 C9 [9 B2 X8 Y3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222( |/ ?& H/ n( y6 R4 V& I
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
( r: e5 v  Z/ M4 l
) x$ s% |( M7 @4 c3 Y=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
7 C* A9 b& }& D( f用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻5 e6 ?# p- @. C8 {2 j2 D
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
, N, K+ W- a* P! f& @7 N  ?
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 22223 X2 K, x% X/ o
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)+ ^! Z$ e: A, Z+ m& V
* B* q9 q  E. @9 _4 }. _4 b
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2$ }4 a# v4 ^) G5 c) L
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
3 B5 F; t3 l2 N4 V( V( N' [+ S+ C所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
. B8 i5 ^9 D. X6 G/ w
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222  C2 C- {8 [; u1 k1 M: m
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
. p6 ~' z' f, R$ a
, `$ E8 ?1 ^. \) l$ J' W$ p, j7 R. e=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C28 S/ t4 {3 `1 O) n7 F; V# i7 I7 g
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
/ F1 U9 E- c& y1 s) u) ^4 H/ P% j所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)5 M2 t5 N4 E9 F1 M" i" D8 q
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 22227 L; N$ v$ A3 H+ C
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
+ O' t9 V8 W  Z0 \% W+ Z$ e8 V. S+ w& k4 m$ d
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2& Q* z, \" F4 J3 {
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
% |8 e1 w7 s+ Z3 w7 w3 B" G6 k所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)! |8 z5 s1 P) o4 p5 I
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
( g) Y* _; k% U. L. }9 P" G, O2 k$ M2 Y2 u
gmmax 應該是C1WC1/2C3
3 c$ Y4 Y2 }! S+ g; K. o+ v- _9 b
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM8 D" K1 D$ O# j
slide 2222
$ B1 ?  P0 @  z4 @Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

$ _  C* ^8 k  c3 dgmA~ 4RsCL^2Ws^2
/ y, J1 [4 E. P- }0 hand 4WsCL^2/QCS
  n$ ]; B' C% Q: D+ A5 B, U" ~  J" {( m; |# o
0 C' K& M; z$ Y) x( b* U8 s
59#
 樓主| 發表於 7 天前 | 只看該作者
RIP
8 [8 W6 x  J; m* @
9 D& n+ h' \3 q: W+ TIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
* o1 B" ^9 d. v1 u& u% ]* O: y9 V, ]+ S
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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