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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
0 F' }' K" Z' M4 `" g& KA gain of 1000 is expected.# H4 A& x4 y. Q. _* N. }7 Q
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: ; m8 J  b" S: h; b$ n/ A
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1  O0 e' H% z% i1 b& F. N% g8 f
  i# s; u4 T4 E
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):" V. A% }8 Z6 F% @, M
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro16 l8 W% U, d! w1 E5 C! W
7 \4 t6 b9 t& g  ~2 `
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
( R% q8 {; B" E( Y3 x) ^' B) ASlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
, Z% s+ D8 |. H1 ~Input shunt: Current mixing輸入電阻變小$ x0 {! f  C6 e' c+ p
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大9 n# ~# C' A+ ?; t
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小& i! t$ j3 K* f( v/ {  B5 n8 y
Output series: Current sampling輸出電阻變大
  s7 H$ a5 [1 F+ R* {+ Z$ u
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 07317 K/ ]3 s$ i/ H  f
需要4各bias 點~
: O* {2 `" b( Y+ D9 u
* ?# z3 `( E; f, y8 Tside 0732) \2 t: L. ]& j7 @8 F
只需要3各bias 點~& C1 L* H& _# x
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097: v% ^$ W5 g8 |% R
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW& s* c& e  q. e0 W
depending on the phase margin required.
) l  E* p2 C$ E: N, `" ]=> 更正  U: n/ l) p0 T$ c4 |2 E
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW# l5 s. F1 C8 G8 t" t, L
depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
6 q3 C5 i2 I8 g/ v8 \, g. \回復 32# tuza2000
9 O5 d) V6 S# Q+ ~7 ?
上面說明有誤~
9 W9 Z) z3 c9 F8 K! A  q實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接5 u0 I5 n# M$ M
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
' s2 E: L% N, }* ~" Y5 ^; wCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻, |0 g3 n4 v" O! t7 K
所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
) k# }, I0 \. z) }/ z2 I0 l3 bRef: silde2219 1 X+ P" h0 n2 z7 o! l
Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
& x( h9 E# P; |! J; ]Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 04443 d- ~* o. w' \/ J4 a% I
Noise of a current mirror with series R:
! [7 c4 p5 ^; U) p前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!: u1 g& G  k. N9 V1 l# n
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~3 U8 r' {7 J6 e+ f
謝謝~~幫忙回附一下9 g7 O. J* v! _
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 05135 r2 Z! a8 a# Z6 x1 ?- s$ ~
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
3 ~; I0 P% m1 }2 v$ ^8 i1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
9 }2 H; u/ u7 M+ Y3 o- [2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
; t, K2 @) J# T( l& V3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 05136 O! d- u; |5 L: @1 H; @1 c) c
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
) G3 D2 I: i. B/ O) w1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。  Y2 P8 o- L9 s' m: o& U8 e
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
% T3 U3 L# v' i/ B& n6 Q# {3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222$ ^6 |( F3 k; x0 D2 B5 R% V% G- V- t
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
1 ]$ X" ]* t, n* T! X3 l# C
2 V, f* j+ ~2 |* s: f, C/ L=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
" E; \9 t7 X: `- n" v. e用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
4 I" j. O' n3 M+ X! o5 k7 G所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
' _! o5 U( ~2 s; K7 }; }5 t
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
# ?( w( y8 W4 G, [Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2): r/ s* D) L/ }4 }, Q: u' v/ L. s
# |: R' E; f+ I2 b  o
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2+ m4 d0 `2 K( t; h; _% |5 o
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻; C! E2 h; t; F5 w' w$ E
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2); s, x. _! e) B/ K' }& F
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
8 u) p3 U( ^" y9 lVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
1 K0 _/ s2 ^0 C$ n) S7 y+ Z; ^, r0 e' m& K
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
/ V) w' F) c# d9 ~" C用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
1 T9 n- w9 k( r9 f所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
" d  t/ A$ J" H3 G
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 22224 e/ P5 l4 u1 X0 w3 a2 D7 ?! X5 y
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
1 V' ~7 _: N, h8 v0 ]* i3 q& w4 H  `: N
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2) c+ S0 c# C1 ?2 v5 x* I9 Z
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
6 W- X# |1 J) S  h7 O所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)% w) ~! N& G6 f$ f; X. ]
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
, z! i8 M$ J7 ~
4 J& c+ \; E) t1 _6 _gmmax 應該是C1WC1/2C3  U6 ?7 D) {6 V9 w' {9 q& v$ M

( K2 g5 z; T' F$ o! P6 D& h6 E=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM, j; W) \* H6 W1 ~0 x' o$ L% F- Y5 d
slide 2222
  y  Y2 V3 I$ WVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
4 v. d! W4 {0 ~2 w
gmA~ 4RsCL^2Ws^28 S# X; |: ?( w  v2 B( o
and 4WsCL^2/QCS  w/ _/ u. o, O1 f6 z

! w4 q" k* o$ ~& a* U9 X/ F9 i2 k/ X3 l& u
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
" E1 o1 L4 f- _  `& `$ M
1 ]6 y; |5 ^: s% [3 f0 x7 DIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)3 U, D* B9 @; d* ~( p3 Z
: ~1 U, m) i. p7 f* W* m0 A
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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