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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 1541 Q2 C3 {! a' x5 P7 {2 |7 J, P
A gain of 1000 is expected.
' w$ t% n4 i5 i+ _6 _1 \' C=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
  ?7 s2 l; z1 X3 [: uSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
; q7 p7 j& X" g2 f* ~' W( o+ |9 L2 ^9 o& _) J- o: a
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):: @# R8 S6 s; F* Q! Q, z2 q
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1% o( [  W1 @+ X: h3 O/ t7 q4 z& t7 b

- g5 R: ]$ @& B- B補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):% R4 K( ~" N2 g, ~
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
  Z/ Y% n, u  y7 s/ h; p% sInput shunt: Current mixing輸入電阻變小' m7 \9 y& j% g. P: U
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
* I$ B* ~" Y/ rOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小4 ^: B3 ?- w3 r& w# m  l" @: C7 x% D
Output series: Current sampling輸出電阻變大3 b& L6 `( i) O# W8 B* c- R  k" L
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731/ w! E" l  \, B9 q. R- J* W- A
需要4各bias 點~, z# O; y4 K$ v& s0 t2 V5 O/ `

* W2 }" `. r. _# d, M8 N2 p5 Aside 07325 m' J" R6 j' Y% z2 Y5 c% l
只需要3各bias 點~
' E1 Z- O/ j/ d( G2 bM2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097* @& Z( Y5 D6 I' S6 k
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
% J+ o. O  T# ~: n% cdepending on the phase margin required.
" [9 C2 H' O3 o0 e" t9 d) ^=> 更正( G" W2 E" Y! R  F: R( e
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
: A: F; m" G! W( pdepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM2 l) D$ \+ M0 n* J0 a
回復 32# tuza2000

2 j6 w! r2 F& w上面說明有誤~
; L# Y* z- D; i  |實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接/ b; s0 \  N) }( j9 A
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
' d) s* a+ \3 ~$ k4 Q* PCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
( l3 b8 l, I0 h所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
( X; S# Z, e5 ~$ D2 i$ u- b" U+ }Ref: silde2219
4 K% Q+ J1 }' |3 }1 w. JStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025( W; u6 h- c4 Q; z( G2 N
Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 04442 M! n! r0 s$ a! ^$ B- |  O
Noise of a current mirror with series R:
. Q9 c' H. j  `! h前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
# f, T, R. i6 f9 G還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
5 J2 j( g; z6 h) k( _- v謝謝~~幫忙回附一下5 I# Y1 f) ~1 I) [" v. T! V
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513% m& v) X" G1 s. |
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
9 _$ q& M6 ~+ _" [' S/ \1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。6 U7 M0 Y9 X  h% t  {& c
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。- P1 |/ n# B; Z9 r7 o3 ]
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 05138 I4 f' W! ?" s$ x: W5 @
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
5 A; Q; O! [. m" g* A8 Z1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。3 E  K" h: `6 a) R7 i
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
6 B: R; f8 A2 M0 m- O- G3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
: b" l/ x8 n" Q2 PVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
2 u" l+ ^* n9 x- L+ [4 J0 Y6 U: E7 @: S, g% n  ]7 [7 [
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
+ F( c( c0 k. g8 S  i+ o" a用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
# j$ I6 H1 B" t) B所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
7 Z% t6 W: L  j! u' R
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 22227 N& H) r; o% l/ d2 P' q4 U
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
! {1 J1 Y2 @& a% B1 t( `; U% _! ?
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
! w+ j2 n4 D4 Q3 v8 F用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
$ x$ \: G) j1 G& e所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
. |7 z* }8 B7 u4 `) s
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222( M. |: h; s6 L: l( k
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
( F9 s- U1 o  P; l' ]* E$ w: E, h6 r; q5 {) I
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C24 N, r$ Z5 @% d( m+ P4 x* d& _' Z
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
4 B) [. ]6 Y+ v所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
! z% b, |' T% z
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222; C: O% ^4 {9 X' X  w, y8 r
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)" Z9 |/ k; @& X. C+ p' R

" b- H' n) y! N+ g=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
. ]0 @6 \7 \9 y' ]9 ^. B用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻( H4 C3 ~+ Y3 N, |2 L( e3 l
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)6 i9 H$ [- m7 q+ P& d- d
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA/ D/ [  o) A  M; m
& e; C0 D! Z. w
gmmax 應該是C1WC1/2C3
1 r$ i+ |! e7 B( V" w- p% H3 t& h. B4 R9 A: Z7 q9 J" r( a
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
3 d. S4 \+ L2 oslide 2222
' _3 c, S( ?2 R. nVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
( S: O* K  @) _( E
gmA~ 4RsCL^2Ws^2
% Y- y( }2 w/ ]+ e5 K$ Jand 4WsCL^2/QCS. Y1 ]4 B) T7 ?+ ^2 m, \' H
3 [/ s+ {! w$ n& d+ s; j

+ ]4 ?. f7 ?* O. Q1 }" ^2 j
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
# J9 ]" Q2 E3 O# L$ o( h* E$ a4 U# d0 {- `( s
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)+ C# I+ h! ]; c5 f+ ], F

, n6 U: {* S8 S! f) N" `$ C$ Uhttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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