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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 1548 r: z0 e- l- K5 x& W
A gain of 1000 is expected.
6 P; `$ l4 l$ U=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: 9 c/ B4 o9 }' m# @9 T8 [) Z6 u
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro11 b0 m+ J' `0 I6 E6 S

9 H2 `' J- D7 |) F( h; u補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):* C3 X+ j# @0 U# T& a. _
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
* n' _2 E# z8 F- J. }; A7 [
8 V4 `5 h3 [6 z5 W9 E補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
8 h( W0 D  k! a3 k8 RSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
/ U9 }4 B4 t6 d# C1 @8 C: EInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
5 r5 ^% l. n- H' \/ }, J  aInput series: Voltage mixing輸入電阻變大, g9 C) y7 [7 T2 _% c& l. A; u
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小, J3 y2 r; V3 Q$ g1 D9 H
Output series: Current sampling輸出電阻變大" F( d6 Y1 J$ Q( x
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
0 l' @4 |+ T- Y5 h3 w" x7 D. }需要4各bias 點~
5 X5 |$ x6 b. P, s5 h( M: F& r* E9 P3 `4 W+ Y; {
side 0732
. f  h; E$ ]+ M. ~: b只需要3各bias 點~& O  c  K* H+ [& A1 @/ X/ S  `8 O
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
2 d9 b5 `& l/ r7 f) V+ I& cIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
, k# w- |$ }; t: Y2 a1 v! P! Fdepending on the phase margin required.7 O8 ^: o9 J, L! e* p( R
=> 更正
" t7 U; w, c9 c- JIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW- q5 [! [8 v+ k( O
depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
. ?8 a8 d: J8 U" [! K6 f4 r回復 32# tuza2000
" l) m8 r5 K9 y4 |5 \
上面說明有誤~3 ?( p" v9 @8 z6 z# l1 D
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接/ I) a' R& o9 `) v/ ]' n- o2 D* v
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)- i9 E) _. N# i5 u& ~- F. f
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
$ J2 O! a' \! K1 b3 _所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
0 }7 w( g8 U8 tRef: silde2219 8 `7 X9 C, r+ N+ {7 b/ P: l
Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
7 [0 l/ c  y9 ?' h/ a# ?Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 04445 Y$ B; l1 T/ `5 {  d
Noise of a current mirror with series R:" f6 `: S, o  @! Z# J) V
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
, e5 C9 T; j! Y- @8 ~$ D+ C' z還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
2 ^5 `% F+ p- p謝謝~~幫忙回附一下" h: Y# i# _* J. o2 P# @! v
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513) }$ `+ a* a: _7 Q7 F0 v/ D
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下" B$ h8 K; Q6 V: D
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
( s' t" m, r7 A& f1 \" e9 h2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。4 X& ^" I+ g7 p/ Q" O" m$ W
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 05131 P  W. z, g$ M; h7 x0 l( X
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
$ n- k. [6 a2 ]8 I/ v1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
  m8 K3 A3 g3 m+ N2 G; |# [2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
  N( u0 D3 {" [$ G, W! Y! A8 _3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 22225 U2 h2 N+ P8 K0 h4 ^8 @
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)" \% Y& E9 t+ W9 A5 r& V; v% R% d1 ]
. @( H5 \9 a, }0 y6 P
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C21 l* W( L- C2 P& c+ g. f+ l
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻7 ~$ D7 {1 S* |1 M# f2 x+ B
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
# y  u4 U2 n8 R( K: J
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
" u# v7 u% T! M+ |$ KVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
1 x7 z( _2 X+ m8 {( P* H, ~' U! x3 t$ T) X  h) w$ |
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
  y+ H0 S& G2 A& K9 B$ ]用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
/ o7 i1 _7 t; G& d! H所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2); ~( [- @1 ?& r/ M
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
. N/ ?7 z) x8 C4 j; UVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
% \- P. ~: D  I/ t" h, n5 Y* y* R
6 `, p# [' }6 |6 ?=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2: |! r& f) N- H/ I8 N; _# |
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
% H- ?5 |9 B2 [所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)9 ^1 H& Y, [- b3 J1 ~' N. i
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222" }& s. @% w( |; ~
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
8 H2 o9 K) v7 @' z2 S, A; S" z
" y3 B( W6 Z$ m  _5 ?=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2( Y: j' i! G! o" }5 V2 r
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻7 h: p" k( ^0 E  H" x; Q
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
" F' q; I1 G$ X+ k7 H5 ?
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
8 R4 s" d7 Z; c2 p4 F, e
5 g) z# _7 j% ^: Jgmmax 應該是C1WC1/2C39 J. h' D# @- r5 i4 ]! I
+ M2 I9 Q+ R& K( H0 ~- {
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
% M0 x1 e" Q# z5 \/ M; Cslide 2222" k% x% n' g; q  j" e) j
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
' ]' q% l" F) K* V
gmA~ 4RsCL^2Ws^2% o$ S' ^( f$ A0 l9 P3 a- z
and 4WsCL^2/QCS
- I3 }! R$ g7 d  ^# S0 B5 C, _: W/ d$ r1 I# R

0 Q3 f) h$ G) ]- z+ Z" U) c. C
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
  ?/ h! U, K* M( _: B/ _$ o8 v) z" _7 v& L8 }  |
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)- }) }4 s+ P7 n' B

! G2 n% U+ R0 j+ chttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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