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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154/ S7 I. m0 E& J- [+ ~4 X
A gain of 1000 is expected.
/ R8 c( m7 S: F2 I5 `% Y=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: 0 M7 }& ^9 N9 b* V& z( P
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro19 |# p( _. ^7 |4 t9 \9 R
/ }, N5 Q, y7 i$ y4 L
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
7 ^4 X/ a# g2 @Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro10 I/ N; L) ?! V0 M2 t: @4 `

- V  W+ V# M( `) f補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
1 p$ {. z, w! ^9 eSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:) C$ \0 S0 l; T) C- p- _! I
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小0 o: f+ D% s7 K3 Q
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大+ @% S; M5 V5 }
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
! d' e$ }" }9 A/ [- e! qOutput series: Current sampling輸出電阻變大
2 |( B9 ]: I1 J/ G6 E) M  {2 E- {
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 07317 e) x7 [1 O: n) M& f
需要4各bias 點~
( e2 h( y$ E% u' _7 n3 |
) _3 M# g' W3 W8 G# Lside 0732: ^2 I; E2 N6 m* Z
只需要3各bias 點~
4 K: F2 r8 K- ]+ z3 bM2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 0972 I; l% c! g+ w. Y
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
! A4 t: R! k* I0 W, z( O, b" n0 T& kdepending on the phase margin required.
+ [3 V  b! [1 d+ N" j+ x. R=> 更正: a7 G1 `5 j: l! T9 U
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
0 A6 B$ p8 L: D, H0 v0 Adepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM$ F9 W2 g  I4 v/ T
回復 32# tuza2000
* R& a, J0 v; F
上面說明有誤~
* c4 o. V, i. z) e8 ~實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接& r7 a+ B% |7 ]3 d% Z5 E
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
+ W! _, d' D( ^; {2 J0 V! y, ]Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
" i# |' P% r( `' ^所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
& L# G' v/ x/ a, K+ FRef: silde2219 ! G6 u4 }. c% o3 r$ [
Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
, v2 i8 M7 W, Z* `* p9 zNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
: U( m7 e: K' x5 v3 p; h* Q" }& \4 @Noise of a current mirror with series R:
) s; K- P4 g/ _' R2 M" B前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!4 _5 d8 F# m! W0 p. }: n, I1 P
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
4 ~( v& m+ k3 M. w# v! @謝謝~~幫忙回附一下, e7 O+ {2 j2 K( q; i
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513) [  F6 S0 C5 S/ l5 h
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
6 ]3 b& G. {6 }' E, u1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
7 ?5 h( O* ~' z; L! G/ w2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。! G( n, @8 q4 p& {8 c" O
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513" R3 _' M' h, u# [# u; @' R
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下1 v$ V; m6 E2 c* i
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。% b9 G+ ]* E0 s6 Q
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
. T. G7 t6 L* A8 \( y6 w8 w3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
$ }: A. T8 O! O7 k3 |+ F1 OVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)4 X; l( C; j5 X0 I! E- P& {
7 y1 `% g0 T; M5 N0 I9 t: ~- u, c3 Z
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2  h, M& V$ O0 s8 f1 B
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
  i* i2 V4 \( f' v4 i8 B所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)) \" B* c: M% ^1 i/ C
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222# `. I6 w* h6 r; [, Y+ z1 b: A
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
$ A2 l- [$ E6 A
" x4 r8 G4 K2 T% w# _=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2( `+ L1 o- Z. c1 H2 F! J) {
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻; E2 f6 P* X& g: P* Y; n
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)1 o5 L5 r$ H: u7 K# p
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
- ?; ?1 W, Y. jVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)- W. V& t7 {+ R7 ?; `( \  t: V

+ Z+ k0 p7 w; B) R" f=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
- x" I, H6 ~  k  ]! ?8 K用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻& C5 T! N9 g) O( q; p0 R. y
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
# m; ]" G8 t( @! G$ Q0 r# B9 w
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 22228 m; q0 V) k; C  ]
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
2 K' _% Q  A5 y' J6 ?
8 T1 Z5 I, f1 R9 N1 R2 z=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2" Q3 q$ G' k; c  X) s& I
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
: w" s5 g8 L$ b) l. S. ?" x7 b所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
$ h/ G6 j( m& v6 \* D7 H! T
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA+ F, B: o5 x, M9 j7 Y  ?0 H7 s7 ^

- u7 X# W9 f' x9 I/ Jgmmax 應該是C1WC1/2C3  c0 c- h! ]3 _( Q  [% F; }
  c' E" B$ ~* {' j; k% @: h, L
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM0 R! g! F5 V6 A8 `, \4 I
slide 2222
  g8 ^3 K, l- |$ Q5 _Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
# x; A. w0 |2 L, a; d/ T
gmA~ 4RsCL^2Ws^2. V$ `, p4 G* r: d# m, ]! _
and 4WsCL^2/QCS& L: b' n, Q. r9 a
& ]% C( Y3 {& `8 f+ \- F, ~$ ^4 k' n
- @7 e3 }* c( T9 e
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
& p. Y( ~/ {+ Y" [
# \: Q8 F/ u# C2 BIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)" w1 R: f- ^, W1 Z- U
7 ]0 ]4 ?: v3 \" b3 H, J
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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