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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154, _" A$ b2 a* n$ j. A1 a. H
A gain of 1000 is expected.
$ k3 U0 D! c% G! \2 i=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
( v% h' L$ w6 j" {" g4 ]* jSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
- m/ b! a0 l' @! b/ Y; ]) `
% Z3 P/ m3 f+ O6 T. K補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):# N! {+ c+ [6 g; m# k' V, Y
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1. |( m' n+ s' S1 w, |, v" ~: r

- W. W+ p& C* R  F' o% p( _補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
/ J2 [. B" m8 l( [) hSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
5 \0 [* M# L1 W$ `4 J* ?- J6 ]Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
! ?8 f9 D/ B, Z8 Y1 w( Y/ EInput series: Voltage mixing輸入電阻變大5 `& F3 q& J7 J5 V
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
% x( }. |$ ]! uOutput series: Current sampling輸出電阻變大! v. s% M# a$ R  F' h( K) N
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 07316 z2 B( c+ K& @2 U3 H3 S. X  X
需要4各bias 點~
- ?, x5 g! \5 O7 f4 X5 m3 L# m4 }4 w3 s) l# J3 O
side 0732: ?$ x- }( ~% x/ R+ m
只需要3各bias 點~/ e  m+ z4 h+ J! O
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
5 V3 F+ n! z  e  JIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW6 E8 m3 o$ S4 \" @2 \
depending on the phase margin required.
2 E4 F6 a1 A, X2 v. M7 V; c=> 更正
: h( o+ }- Z( y: g8 \) i* WIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
6 o, `8 \' g' ^9 }- S9 pdepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
; S+ d, \9 \5 G& f! @' P- p回復 32# tuza2000

+ {5 e* F9 l4 k1 W) j& X! g上面說明有誤~- `' @5 ?3 s, K
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
- \9 p! k- j- c& U' T3 X2 @* L
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
2 ^- n) j" z$ D; q: T- TCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
( K& M4 X* h: X所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
# I: I9 a: _  A8 sRef: silde2219 0 k6 H8 Z; ^% l* r8 u
Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025" e* ^; V0 H: R* {- S. e" d: H; f0 }" y
Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
5 y3 g1 t- X- C5 N# n; K/ zNoise of a current mirror with series R:. j. c0 G7 K7 \2 ]' `6 E: C
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
- v+ S, O5 D- M* y* q1 |4 K( I, }7 s還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
$ p7 T- v& F* q+ J4 w謝謝~~幫忙回附一下$ P) Y* i* @- x. A0 D* F
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513" i$ }! x+ Q1 \% ~5 L( E
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
9 y- j) S/ M, O1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
8 y' p$ P% C, t# ~3 O2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
; Z4 m- V/ a: b- f% M3 e4 C7 n6 k( R3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 05131 e" m7 c, ?! ~3 P4 |' [
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下# r$ `+ i' l  n5 w, y6 E4 K/ h' _
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
5 `& N, q1 S: l# n0 b/ M2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
- z* _2 _  t  E* y* O- ^3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
" X. f9 I/ C& ?- V+ V4 S7 [9 qVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
# R1 w+ q, G- p2 X* a" X  \. b- K) i9 O* k1 s# }& Y* [
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C24 m  t& R4 o9 ?+ }9 Z& z6 S
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻' @$ ~  ?# L8 q3 x8 z7 `. L
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)/ y3 c0 ?, v9 p& q% T/ P
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222% f* W9 ^" q  `
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
. t# K; i, y* C6 ?. t" U
: V' t/ t! s4 j4 X% o=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2( l3 b" N3 G( U( V6 p1 O* N& r
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
& y/ E. w, p- V6 i" R所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)$ Z- N' [$ D& q
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
; A" O! k6 X/ s. Z6 T4 J  MVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)  y! U0 C, h5 C8 ^6 S/ G
2 b% z" x2 w5 u7 v
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
" q- L8 F2 X! ]1 C% r  m2 W用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻% k5 a6 ^- i' q
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
0 {% u1 \$ Z& Q9 R2 V
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222' p& h+ [" i  I/ ?1 i3 U
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)1 z. Z$ Q! _: {$ @

  t( H- J' s7 F8 v; l4 A=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2% ^  `  f, d" J  t3 R
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
; ]$ W; \- Z9 j! z+ @/ `所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
! w4 }: b: ~3 Y. s
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA* p3 V4 g- R5 W& u5 x  b+ y

: r, w# R0 _* U4 s+ f8 ~( qgmmax 應該是C1WC1/2C3
  P$ P( h! B+ y: q. x' {: J, a6 W1 c9 p1 u2 s" k
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
8 O) m+ ~4 o$ Z# [3 Vslide 2222
( \! _/ O# [8 _Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
; z% K3 ]) G8 t9 ?% J
gmA~ 4RsCL^2Ws^2
; ?2 v/ m1 ]+ C8 K, mand 4WsCL^2/QCS% W$ C. g) r3 m8 H4 W5 e' a, y
' y/ Z' r2 H" t- K* d, b1 n5 A
* x( }  g( P: x9 \+ x( s3 g4 {2 j  a
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
; L0 n- P: e; o7 j& Q' ]
6 w$ y2 X$ u. MIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)8 K5 o7 m  s# s
) Z/ J- {4 t+ ]3 b# M+ H1 J
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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