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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
/ _9 |8 J2 k2 R( t3 R& Q1 GA gain of 1000 is expected.5 a% V4 B2 o3 g* U, P
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
# W% }/ I$ `7 F( QSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro18 N" M* ?5 X5 @) r7 S* j, Y+ i
0 |( J: j0 `+ t; \
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):) x+ u* i6 t6 C; x6 Z4 B" g9 u
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
! f6 j+ a; W8 g& W& u  s1 @
! `; T) P& {" @5 A$ a補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):1 [: {9 D+ j6 h: G9 v/ u* p& @/ a
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:+ {& M& S( b7 W
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
! {6 b1 Y" v* Z) C: L" s+ S% \Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
" `7 `% M! t0 p& Y# ?3 k" _Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
! U  O6 `. [+ [# w! b0 LOutput series: Current sampling輸出電阻變大! ^" y- R2 i- y% B7 B$ I; D
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 07316 ^9 ?- {: `' w1 h- L. f4 r
需要4各bias 點~
% Q  I, Q  x: t9 a: \( W' X1 Z' I% E2 ]4 g- p; ?8 i
side 0732$ y1 g4 i' [, w# D' F
只需要3各bias 點~
( }5 n4 j6 X. F$ u' A: a0 RM2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
7 R; \: r  _4 G) @$ rIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW. ]9 D0 u7 u# S7 D. \0 r0 f
depending on the phase margin required.
  W; M- a- ]( r0 b' F=> 更正
: E1 i0 f% o6 H+ q9 [. ]It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
0 s& C, Y0 c( }* M! ]depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM  {: ^; X$ t5 P+ H  y& \
回復 32# tuza2000
, [. ]$ K* T+ ?! s/ p  N
上面說明有誤~3 c" U" Q$ _. @
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接0 V& @. `& E. F' |- A0 M+ G1 A
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
& x, y6 i0 U: }6 bCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
9 _/ e. X* z7 l* {4 ?6 O所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
! Z2 t/ {- f) W  dRef: silde2219 ( G, N7 v' p2 J/ z( c
Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
. N, O; Q8 m  n. {/ V  ENoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
5 o$ X1 @; ]7 CNoise of a current mirror with series R:
  Y+ z: s1 w6 _* W1 i, E) T/ y前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
2 b# }& ~% O5 o& d還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~8 C( l: F/ E; J. L# f
謝謝~~幫忙回附一下
' |) {7 ?. X6 \" M
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513
5 s6 u' R5 X, T  H; |+ h; j分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
8 X3 b1 U( k5 v. X- P1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
7 M  a. \7 M, N; L5 i" D  L' r2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
( g) ?' D6 c  z0 Y( O! N3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
! z9 O3 Z) l" ?+ y. J分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
" p" a7 \0 e  Z  ~1 ?1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
9 @1 i/ q# C2 D# s4 `6 w3 s1 g2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
* x" A  N/ E/ g- V- g; X3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 22227 w+ x, s0 C; `* `
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2), x9 r6 X" f. c  ]/ n- W
+ B) H8 z" \: C; ]
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
: n% U' ^3 E. n+ e5 |用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻5 Y0 X5 d3 r, `1 C- U3 X( l1 @$ i" f
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)6 N& t2 V. k; `5 u9 x- `
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
8 F, a" ]4 X8 h9 H- WVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
4 k3 {1 E0 {5 [! n8 Q- i! O& l; D' @  N
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
! @7 `* Y- ^  @* e4 c& M* Q7 p用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
; q( j" `+ z0 `( v1 U5 \所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
5 c2 U! b5 @0 m5 c; z; w
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
7 F, o" M0 H# F2 ]7 j1 X& jVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
: F, p8 d% Z* m& J; ?9 M7 D7 e6 M
$ Y0 q& A' c  Q- ~=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
! B9 u& l" y' B/ N  o) W用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻+ [, U* \0 e5 I( f8 r- e
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
) o5 j) P2 J/ }3 g4 d  j6 V
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 22221 J1 E% y2 J6 ?+ h
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2); U  x$ I; l6 l( d0 h+ C6 t$ p% I( I
( k2 A0 y% t* i" E/ N# s
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2& W* N1 I$ M. n* G$ x- E, L
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
9 C5 C; f& b* N! M! Z: z1 m0 w5 N所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
8 Q" L9 T( q1 k7 u4 P! m
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA) c% I9 u. q5 B
( P( i: v9 ?" x$ I0 G% n) L
gmmax 應該是C1WC1/2C39 W. [' e# ]: q/ _# G- t4 x

2 z. m, |' M1 B5 ^! a8 ]/ }2 c( [8 y=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
7 k" C/ U  E) z5 \* z' ^2 u9 fslide 2222
6 S" y- ]2 g' m) iVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
6 |5 y% i. C; \4 y3 A
gmA~ 4RsCL^2Ws^2
! @% E0 O% V- a5 g# [$ {and 4WsCL^2/QCS
( e- Z2 s. K4 U$ l) F1 i/ v7 F& Y) c6 g/ |' t8 P9 h" x
6 Q, v' {2 S# C0 E9 K
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
4 g9 _. d2 `* [7 j4 t& h$ K
) |* g% a3 C4 KIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
' o. _  W7 O, Q3 l+ d  o9 e  x1 m" N  Y. F9 s7 v
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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