BCD制程下的基準應該怎樣設計？

shaq

因為你輸入電壓範圍為 4 ~ 9v，先確定有無 HV 製程 再來考慮接下來的動作。
2 K0 S* h9 e- V$ M
[ 本帖最後由 shaq 於 2008-11-3 11:17 PM 編輯 ]

shaq

原帖由 lynker 於 2008-11-4 11:01 AM 發表
剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？

( U. W7 Q7 \, J% s+ C. e$ w

DMOS 適合作開關（如： PowerMOSFET in LDO）以提升效率
  H* H0 m8 [2 gHVMOS 就是應用在高壓的輸入、輸出端
; k) Y% @" l0 Z5 z* S" k* P
若有缺漏，麻煩其他高手補足。

shaq

原帖由 lynker 於 2008-11-4 09:02 AM 發表
多謝指教！
! E: t; _  x  \. j. z查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什�？

. N8 G/ H; {6 k0 D+ F' A% A
有 HV 製程的話，那你可以設計一個　Pre-regulator，將 4~9v 降至3v左右給 Bandgap 當 VDD 使用。