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[問題求助] 高压LDO 过冲问题!

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1#
發表於 2008-10-21 23:31:36 | 顯示全部樓層
R25和C18是为了作相位补偿吗?8 }& {$ {9 d2 t3 |0 S. q5 d
启动时电压上冲是因为上电时power pmos M30处于ON状态,这会使得负载电容充电。
; I/ l7 ^2 S1 O9 T, M: h& g把C18接到电源上应该可以改善上电过程中输出电压的上冲。
2#
發表於 2008-10-22 15:43:19 | 顯示全部樓層
原帖由 wxw622486 於 2008-10-22 09:58 AM 發表
' U9 y6 K5 G  o+ \我加大推懂M30 的电流,过冲很小了,但是怎么减少负载驱动在转换时候的突变电压,突然变大,变小,一般在60mV 左 ...

! g; B$ x, |5 k" P1 C
. O/ C' r: a- a7 L! g7 k) P  }  i减小负载变化时输出波形的过冲可以从两方面入手:6 W( @3 d2 e- Q2 w+ O
1. 增大OP的GBW;, E4 W/ P: G6 H4 x$ Z, ^
2. 增大输出电容;(将1uF电容换成10uF的电容;)
3#
發表於 2008-10-23 10:58:47 | 顯示全部樓層
负载变化的时间依照负载类型的不同而不同,不好一概而论,而且在设计中需要考虑到最坏的情况,在仿真中用理想开关比较好一点。& r' \. m9 E7 p, v0 Y
一般电源的上电时间在ms级,ldo的过冲一般在100mV左右,输出的恢复时间和你ldo环路的GBW直接相关,GBW越大,恢复时间越短6 t  _# Z7 b9 O+ U: L
增加OP的工作电流可以增大GBW,
( L& P- S* c; L0 I/ u6 S3 G, O3 {另外,也可以采用transient-enhance technique(Slew rate enhancement technique)来改善瞬态响应的性能
4#
發表於 2008-10-23 11:02:46 | 顯示全部樓層
以下几篇paper供你参考,希望对你有用!

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x
5#
發表於 2008-10-23 11:12:22 | 顯示全部樓層
加buffer是为了环路的稳定性。应为OP的输出阻抗较大,它和pass device形成一个低频极点,另外,输出负载电阻电容也形成一个低频极点,这样就有两个低频极点造成环路不稳定。0 l- S% E5 b0 x9 c9 k5 d& q5 S
加buffer可以将OP的输出极点移动高频,同时也是引入buffer输出和pass device产生的一个极点。4 i7 N: w7 a7 x
只有保证输出极点为足够低时才能保证环路的稳定性。
6#
發表於 2008-10-29 12:45:31 | 顯示全部樓層
原帖由 semico_ljj 於 2008-10-27 05:38 PM 發表
! b, [! t, y1 h& D$ N! ?+ {2 w3 E# L9 V( Q1 B0 J) t
我觉得这幅图里好像就有类似buffer的了?M78和M115就起到了降低输出电阻的作用!

8 i& E. {# d: |1 E5 _M78和M15的输出阻抗很大的,不是做buffer用的。如楼上版主所说,是起放大作用的。
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