带隙基准PNP面积大小如何选取？

zhuxiaoqiong

在CMOS制程中，縱向PNP管的面积有10*10，5*5，2*2的，我们在做设计时该如何选取呢？

+ V! }0 C( e; _以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
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* s% v, R# Y9 {bandgap设计 仿真中的温度曲线问题！！
3 k: G% c8 c+ C9 E4 \bandgap如何提高精度
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5 M6 i( t! q+ k+ }BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
4 p' K+ ]5 R; I7 a4 @. h


* S$ d3 c' M* d2 j[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:06 PM 編輯 ]

Oo海闊天空oO

在CMOS製程中的Bipolar Transistor中
10*10,5*5或2*2指的都是Emitter size!!
面積不一樣~~最基本影響的就是Is電流~~
6 I! h# t& r$ C( z% W/ k6 x# B且Vbe=nVt*ln(Ic/Is)
Emitter面積越大~~Is就越大~~
3 j5 P9 y3 M" |4 t- Y2 d3 s# f& v8 |相對的~~VBE就會下降~~
但是三種的VBE電壓在corner TT的情況下,
都在0.63V~0.72V間~~
因此就看你自己的需求了~~

如果有錯..還請其他大大賜教^^"

monkeybad

建議選5*5以上的比較穩 特性也比較好 做出來的IC每一顆之間的差異也比較小

zhuxiaoqiong

Oo海闊天空oO，monkeybad，謝謝二位的作答。

9 j% U0 v+ R& r9 ]& Y/ g還有點想弄清楚的是monkeybad所說的穩定和特性比較好，是什么原因？三種size之間的匹配度應該是10*10 >5*5> 2*2，但beta又是2*2>5*5>10*10，這種選取是基于這樣的折中考慮嗎？
1 J1 z3 o4 f  o  |0 P
7 d8 n% Q( e; s. u3 w; D5 \如monkeybad所說，我見過的bandgap設計都選取了5*5的size。

jerryhao

no matter select 10*10 5*5 or 2*2, there is no problem since it  just be used as a diode.
- N) M8 `5 O+ Y8 r- qbut analog ic design is a trade off work. so select the 5*5 sample meet the requriment of area and match.

tony9211

比較新的製程有提供mismatching model後
BJT mismatching沒有想像中的大
8 y5 Q( d, h% Z( K: I也許2x2已足夠