CMOS,DMOS,BJT Process

chenwhae

最近看到有人在討論DMOS,想請問有經驗的的大大,這三種的製程
在開關速度、熱效應及價格上,各有甚麼特色
謝謝

chenwhae

謝謝summer638的回應，內容很不錯
轉載部分內容如下

國內有些FAB有用CDMOS製程在高壓元件上

另
聽說有些大陸design house使用BJT製程
不知performance,yield ,price上會有什麼issue
請有經驗的大大幫忙分享一下
謝謝

⑴高压BCD
主要的电压范围是500∼700V，目前用来制造LDMOS的唯一方法为RESURF技术，原意为降低表面电场（ reduced surface field）[9-10]，在1979年由J.A.Appels等人提出。它是利用轻掺杂的外延层制作器件，使表面电场分布更加平坦从而改善表面击穿的特性，使击穿发生在体内而非表面,从而提高器件的击穿电压。高压BCD主要的应用领域是电子照明（ electronic lamp ballasts）和工业应用的功率控制。
⑵高功率BCD
主要的电压范围是40∼90V，主要的应用为汽车电子。它的需求特点是大电流驱动能力、中等电压，而控制电路往往比较简单。因此主要发展趋势
侧重于提高产品的鲁棒性（robustness），以保证在恶劣的环境下应用能够具备良好的性能和可靠性；另一个方面是如何降低成本。
⑶高密度BCD
主要的电压范围是5∼50V，一些汽车电子应用会到70V。