bandgap设计 仿真中的温度曲线问题！！

fmgay

Hi  finster:
0 O9 X( V  n" D! s6 g  g( ?9 h. U7 e0 D1. HR poly電阻的变化是比较大，能否从工艺制程的角度来说明一下为什么HR poly電阻的阻值变化比较大？
- W) Y3 o$ e/ _% P% B2. 依您所说：“P+ diffusion電阻大概在1百多歐姆左右,而HR Poly電阻因為製程技術緣故,通常製程廠都是建議直接採用1K電阻作單位,依此大小作layout base,面積大概是P+ diffusion電阻的1/2左右”。
  `, b# s  i- W. D* }9 ?为什么对于相同阻值的电阻，HR Poly電阻的面积是P+ diffusion電阻的1/2左右？难道是HRPoly電阻的pitch比P+ diffusion電阻大很多？
在我的印象中，这两种电阻的pitch值不会差很多的
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6 H9 [/ |4 Y( [% y+ O$ C" B: i) p3. 在使用P+ diffusion电阻随电压的变化比HR poly电阻随电压的变化要大的多，如何考虑+ diffusion电阻由于不同的substrate电压带来的误差？
2 {+ y- e1 W; K# C
另外，温度曲线开口向上还有另外一种原因：电路中OP的offset比较大。使得OP两个输入端的电位相等的假设不再成立。