|
是關于MIM CAP 5 @& R5 `/ p( O A* o0 T
依據design Rule,如果需要better matching and process behavior uniformity,可以在MIM電容四週做一層環狀DUMMY CTM層和Dummy Metal,但是同時要求這個dmmy ctm 層上不允許做 VIA(top),也不允許在下面做VIA(top-1),那么是不是意味DUMMY CTM隻能Floating了呢?
) Y7 X: Y6 v& p/ H2 \+ V1 k+ S. k6 M5 q2 p1 n6 Q$ b
還有,做CTM ,或者Metal(bottom)的dummy是否有傚果呢,ctm層不太暸解,但是,電容下層金屬也需要做dummy嗎?如果我隻是做了CTM的dummy,那這個Dummy CTM應該接什么電位?感覺Floating總是不太好.+ |- y' a1 g7 b( F+ m3 p
: F0 u Y% a9 H1 N {& A, ?3 h+ E另外想請教下,若果是普通的DUMMY cap,它的兩個電極應該怎么接,接到GND,還是VDD,或者直接讓他Floating了,還是兩個電極用金屬連接在一起而后接到所使用CAP的隨意一個端上? |
本帖子中包含更多資源
您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員
x
|