汎銓科技專業於產品材料分析 加速客戶產品商業化

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【新竹訊】汎銓科技專精於材料分析及電路修補，配合眾多IC設計公司快速確認IC設計問題的解法，讓產品及早上市。驗證工程處處長廖永順表示，汎銓擁有最好的設備及成熟的技術經驗，以備配有核磁共振影像設備的「健診中心」為比喻，再恰當不過。
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! P- {. k: s& }汎銓在新竹及上海均有實驗室，勇於投資新設備的手筆與氣魄，令同業瞠乎其後。近年，資本支出超過2億元，引進全球最先進的Dual Beam FIB 450S材料分析機台及電路修補 FIB V600CE+ 設備等機台，並率先採用OBIRCH數位Lock-in技術，提高缺陷定位的精準度，應用在IC設計的除錯與製程改善。

以全球最先進的V600CE+機台為例，汎銓為業界最早採用，共有二部，可對應32奈米製程IC電路修補，與IC大廠合作應用於Backside電路修補，成效十分良好，連同業也跟進。
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) a% f/ r/ N- c汎銓主管李基榮表示，科技業講求時效，分秒必爭，目前景氣略為下滑，但排隊的案件還是很多，汎銓自我要求，24小時內回件。許多客戶也認為，汎銓能滿足良率及交期的要求，可成為客戶長期合作實驗室。李基榮強調，汎銓自行開發的雷射開槽機是一大經營利基，經統計，1萬顆IC Decap的良率高達99.5%，電路修改的良率達93%，均高出競爭對手，讓IC設計公司設計開發新產品時能準確排除障礙，加速客戶推出產品時間。

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廖永順表示，下半年景氣雖趨緩，但對該公司全年營收影響有限，主要原因是客戶的認同及持續增加新客戶。
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* `, V; ?& I9 T# y% O6 r& J在材料分析方面，汎銓的TEM（穿透式電子顯微鏡）分析技術達到20nm 製程水準，超前同業；SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度達到0.9nm@1KV ，亦居領先，符合20nm以下製程分析需求，並擁有最先進的低角度背向電子（LABE）影像技術，及可提供超低電壓的電子束增加材料表面對比。SEM成分分析（EDS）先進設備提高Mapping速度與解析度，達到次微米水準（小於1um）。

汎銓在3D package失效分析方面也有布局，廖永順說，3D IC失效的主要來源是TSV（矽穿孔）的缺陷，包含絕緣層breakdown、glue layer 的不完美及金屬填充的缺陷。利用OBRICH/FIB/CP/SEM可觀察3D IC 失效的TSV（矽穿孔）缺陷，已有多家客戶委託相關的失效分析。

4 d0 L& V- h, k除了半導體領域，汎銓也成功拓展綠能光電產業，未來將視客戶需求持續購置最高階的先進設備機台，並強化內部研發及人員訓練，繼續保持在失效分析的領先地位。