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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)9 _' z$ h5 ?" s- d; g$ }) m; |
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; z# L: T; w6 D( A' V2 L _( nPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
; W, S( A$ E, U2 G; m- m ~但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
6 J% ]% _1 \8 X: o) @( F這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊; D- ?+ w4 u0 k5 Y6 t1 C, T q
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input . Y: _# |6 e7 p& [5 J
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 H9 z' o( `$ u' o2 K最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! Y& d) x! D* @" F; t$ R: UCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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& J# |4 [/ y3 @8 {( H[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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