how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.

* `" I( D" Q) x" ~" M8 Y8 t. f7 Z
in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?
" R. G/ U$ @  K. ]( L5 P# [& {% ?
thx
& f* Y# q8 q6 N  ?, f0 \) U* {% i% R
[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
如果要用精準的話那建議採取poly電阻
4 L* {8 v/ T* S' Y! Y+ ^
以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
+ ^5 g; G, G+ c! o5 a- b+ q3 R以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
  U  g2 w4 B& M" T1 g' C* T以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  

8 T8 V" U% ?( b* m參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
+ b' X, r4 Z7 f4 a' V" u/ XGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
  d4 M* ^' J8 a6 ?/ _" X* l2 [2 \Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.

' S: c$ h1 m' {0 `For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...
. u/ r2 C% [* F" t! R$ u! s
BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
7 i7 t, ~; W2 ]% N4 W7 J5 gDoes GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
# U0 g% V6 X# q. G) c- d' d" [Any idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
大面積的話  GCNMOS 比較好
但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
( m! R+ z9 f3 b  e8 i! iPower 會動的很厲害的話會漏電.
; y  d0 j6 A* Y/ ~( J& ~/ `
3 V& \1 R- ]! [' {8 J- n是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
( ^6 b  U; }) s* y) ?4 ]請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.
  L# U8 c* \; ^2 a0 L
' u/ z; P- B7 |是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

; v4 J, ~3 }' {, O7 H
是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
2 C& P& F# \: `- G9 PGCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Nor ...

  f! ~2 ^$ H# H/ P0 T9 ^! o不知道你使用的是什么工艺？
+ |4 d& a& M" D* u9 j我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？
; J  G- V' m6 Y0 e* y  L! {
) c6 [& L1 f' N" o3 z4 [是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！
8 p2 N+ D/ v: j' V' P! D1 M5 T
延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！