展望2008年記憶體產業發展展望 記憶體廠商逐步佈局NAND Flash能量

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資料來源：工業局電子資訊組

半導體產業一直是推升我國經濟發展的核心產業，經過了政府及產業界多年來的共同努力，如今我國除了晶圓代工及IC封裝、測試業均已位居全球第1的地位，而IC設計業也創造出全球第2位的亮麗成績外，我國記憶體產業也已在全球記憶體產業占有相當重要的地位。我國記憶體產業的發展肇始於1991年由工研院所執行的「次微米計畫」，開啟了我國記憶體發展的先端，之後隨著全球記憶體產業競爭版圖的更迭變化，我國廠商也陸續與國際廠商建立策略合作關係，加上我記憶體廠商不斷的投入技術研發，歷經十多年的努力，逐步奠定我國記憶體產業發展的基石，也造就我國記憶體產業產值占我國IC製造業產值比重由2003年的29%，推升至2007年約34%之亮麗成績，並奠立了我國在全球記憶體產業的關鍵地位。

: i' g4 m' K! O# s+ [* \* {2 J7 _0 N2007年全球記憶體產業營運成果
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# c1 k* O2 ^( v6 X# y  u9 i4 U+ W全球記憶體產業主要由DRAM、NAND Flash及NOR Flash等產品所組成，2006年此三類記憶體產品合計佔有全球記憶體市場的92.1%。其中DRAM占有最大比重，達57.8%，NAND Flash及NOR Flash則分別占19.7%及14.6%。2007年受到全球DRAM產能供過於求的情況惡化及Vista效應不如預期等因素影響，使得DRAM市場合約價和現貨價雙雙大跌，平均單價(ASP)跌幅達39%。但2007年第3季由於半導體製造業進入傳統旺季，晶圓代工逐步復甦，加上DRAM業者在12吋廠產能及良率不斷提升、製程技術進一步微縮推進，再配合國際記憶體大廠Samsung及Hynix持續因應年底NAND Flash市場的需求回溫，將投入DRAM生產的產能調撥以增加NAND Flash的產量等助力推進下，使得全球DRAM供需情勢逐漸獲得控制。
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根據WSTS報告，2007年全球整體記憶體市場成長率約為10.9%，優於全球半導體市場之2.1%成長率，主要是因為記憶體廠於2006年及2007年大幅擴產，出貨量大增，再加上記憶體的終端應用產品逐漸在市場上展露頭角，使得全球記憶體產值占全球半導體產值比重由2006年的25.7%，成長至2007年的28%。預計未來隨著記憶體在高階應用比例之提升，將進一步擴大記憶體市場的規模。

6 Q7 x6 A3 p) p我國記憶體之發展與布局

我國記憶體產業係以DRAM產品為主，國內DRAM廠商在12吋廠產能快速增加，以及製程持續進行微縮，使得DRAM產出呈現增長的態勢，不僅使我國成為全球DRAM單位成本最低的國家，我國DRAM產值之全球產品市占率也已超過20％，居全球第2位（僅次於南韓），進而促使我國在全球記憶體產業占有關鍵地位。
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依據經濟部ITIS計畫統計，2007年我國記憶體產業由於受到Vista效應不如預期及全球DRAM產能供過於求，致使DRAM報價持續探底的拖累，估計2007年我國記憶體產值僅達約新台幣2,487億元，較2006年衰退約14%。而在主要應用產品方面，PC及NB之銷售仍持續成長，DRAM產出量亦隨之提升；就DRAM容量而言，512Mb以上之 DRAM依然為我商營收貢獻主力，占整體記憶體營收比重約達81%左右。至於非揮發性記憶體產品方面，配合消費性電子產品需求的回升，使得Flash產品比重進一步回升至約4.8%。

未來我國記憶體廠商除了持續推升我國在全球DRAM產業之地位外，為了掌握NAND Flash在終端產品市場的龐大潛在商機，廠商已積極投入NAND Flash之佈局。其中，力晶與瑞薩(Renesas) 於2007年2月合資成立記憶體設計公司Vantel，將共同研發設計先進的嵌入式記憶體，以迅速將高性能、低成本的SiP解決方案投入市場，力晶也藉以建立在NAND Flash的技術能量；此外，旺宏電子也於2007年5月宣布與奇夢達(Qimonda)共同研發非揮發性記憶體技術，並於2008年1月正式簽訂共同開發合約，以研發快閃記憶體(Flash)先進製程技術，期能在非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory)上進行更密切的合作。從而可知，我國記憶體廠商藉著過去發展DRAM成功模式，逐步佈局NAND Flash能量，期能發展成為全方位的記憶體供應商，並在全球的NAND Flash市場中占有重要角色，以提升我國記憶體產業技術能量與競爭優勢。
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/ ^" e/ o3 {5 X5 }展望2008年記憶體產業發展

展望2008年全球DRAM市場，因全球DRAM廠商採取縮減資本支出幅度，延長歲修時程或減緩建廠進度來調配DRAM市場供給，所以DRAM供給面的成長幅度將會受到有效控制；另就需求面而言，在DRAM最大的應用產品PC方面，預估2008年全球PC銷售量將比2007年成長10.7%。因此，全球DRAM產品供過於求的壓力可望減緩。在Flash市場方面，2007年全球發展最具潛力的NAND Flash估計有159億美元之市場規模，為第二大記憶體產品，未來在PC應用、影音儲存及固態硬碟等產品需求帶動下，成長性可望將優於DRAM。

' @0 ]) P, e, I3 t' M& O觀諸2008年我國記憶體產業的發展，在全球DRAM產品供過於求的壓力逐漸舒緩，加以下游通路的庫存去化狀況逐漸在發酵，漸漸使得終端需求升溫等產業情勢下，我國DRAM廠商除了調整產品供給情況，更已計劃將製程技術下探至58奈米，以期降低產品成本，因此在成本控制上優於國際大廠的條件下，預估2008下半年DRAM價格止跌回升時，我國廠商即可因此一競爭優勢而優先獲益。

為了推動我國記憶體產業的發展，政府除了持續協助我商推升在全球DRAM產業的地位外，政府也於2005年推動由工研院及國內記憶體廠商(包括力晶、南亞、茂德、華邦等)共同組成「PCM(Phase Change Memory)研發聯盟」，以從事下世代記憶體(PCM)之技術研發，協助業界建立我國在下世代記憶體的技術能量。聯盟成立至今，在PCM相關技術及智財的掌握上已有一定成果，也為我國在下世代記憶體技術的發展上奠定良好的基礎。相信未來在搭配我國12吋廠產能及製程管理能力之優勢下，我國記憶體產業不僅將擁有獨立自主之技術能力，也將可有效提升我國記憶體產業在全球競爭地位。