Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 15225|回復: 4
打印 上一主題 下一主題

[經驗交流] 用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

  [複製鏈接]
1#
發表於 2008-9-1 18:02:51 | 顯示全部樓層
我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值,且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令4 ^- H; k( F4 g- l8 W! z
.option dccap post
0 @2 T" K! ~% i0 j.print CGG=LX18(mn1)8 I" W2 @0 M$ z5 s5 l
.dc vin 0 5 0.14 E  B! ]  q! C, ]
....) u( ]  b* K0 y- i! P' r
.....3 U( k% k, ?' P  D8 t/ [1 |( {% `& g
.......
) j3 Y7 f" C( u7 Q; g0 j.end
. i2 E( d3 ^8 I: E然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....: u; D( Z, P& i. ?  p  N& m
如有錯誤,請大大們指教~~~
1 ^3 c: {  }1 L( s/ |) B' j+ X: e& n3 ]1 ^' }7 l4 s8 Y6 t/ y! h
對了,想借問一下,用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊,
1 Z/ T0 o* |0 J, j1 r5 V  c7 G我模擬過,發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF,% J7 E3 t* M+ ~
而三明治卻需要好幾十倍,那面積大大減小,為什麼大家不改成都用MOS做就好了???
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-7 11:38 PM , Processed in 0.096005 second(s), 16 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表